云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 少子寿命

少子寿命: 作品数：263被引量：430H指数：8; 导出分析报告; 相关领域：电子电信电气工程更多>>; 相关作者：胡动力杨德仁汪雷何亮席珍强更多>>; 相关机构：中国科学院晶科能源有限公司浙江晶科能源有限公司河北工业大学更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划中央高校基本科研业务费专项资金国家重点基础研究发展计划更多>>

碲镉汞PIN结构雪崩器件的I区材料晶体质量研究: 《红外与毫米波学报》2024年第2期174-178,共5页沈川张竞杨辽郭慧君谢浩周梅华陈路何力; 上海市自然科学基金资助项目(21ZR1473500);国家自然科学基金资助项目(62204248);上海市青年科技英才杨帆计划(22YF1455900)。; 本文对中波红外PIN结构的碲镉汞(HgCdTe)雪崩器件关键雪崩区域的材料晶体质量进行研究。通过在实验材料上对PIN结构雪崩器件的全过程工艺模拟,采用微分霍尔、微分少子寿命等测试手段进行材料表征,评估获得了关键雪崩区域的真实材料晶体...; 关键词：碲镉汞雪崩器件少子寿命暗电流

高压FRD少子寿命控制技术研究: 《固体电子学研究与进展》2024年第2期173-177,共5页艾治州李松岭张帮会王二俊张小辛; 快恢复二极管(Fast recovery diode,FRD)常采用寿命控制技术来减小反向恢复时间,但也会改变其他电学性能。本文研究了扩铂工艺、电子辐照工艺以及结合扩铂和电子辐照工艺对1 700 V FRD的导通压降温度特性、反向恢复特性以及反向漏电流...; 关键词：快恢复二极管扩铂电子辐照温度系数导通压降

本征氢化非晶硅薄膜厚度对其钝化性能和HIT太阳电池电性能的影响: 《太阳能》2023年第11期25-32,共8页杜敬良张会学姜利凯勾宪芳刘海涛王丽婷; 以异质结(HIT)太阳电池的本征氢化非晶硅薄膜为研究对象,该HIT太阳电池采用n型硅片作为晶硅衬底,其n型电子传输层(下文简称为“n面”)为入光侧,p型空穴传输层(下文简称为“p面”)为背光侧。首先研究了n面和p面本征氢化非晶硅薄膜的厚度...; 关键词：异质结太阳电池板式PECVD设备本征氢化非晶硅薄膜钝化少子寿命光透过率电性能

低温条件下沉积的氮化硅薄膜对非晶硅薄膜钝化性能的影响分析: 《中文科技期刊数据库（全文版）自然科学》2023年第10期67-70,共4页许烁烁张威彭宜昌徐伟陈臻阳; 湖南创新型省份建设专项(2022年度):面向异质结太阳能电池的PECVD装备研发与应用,编号2022GK2047。; 采用微波远程等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备,开展低温条件下(≤200℃)氮化硅(SiNx)薄膜沉积工艺的研究。在n型单晶硅片双面沉积i型非晶硅(a-Si:H)和n型微晶硅(μc-Si:H)薄膜后,再双面沉积SiNx薄膜。研究了SiNx薄膜沉积工艺中加...; 关键词：少子寿命 SiNx薄膜 HBC电池

瞬态光响应法测试中波碲镉汞器件少子寿命的新方法: 《半导体光电》2023年第4期596-599,共4页黄宏桑茂盛王妮丽徐国庆许金通; 国家重点研发计划项目(2021YFA0715501)。; 在测试中波碲镉汞光伏器件的瞬态响应时,当激光光斑照射器件表面位置距离光敏面较远时,器件表现为特殊的双峰脉冲响应现象,分析表明出现这种异常双脉冲现象的原因是光敏区内的少子漂移和光敏区外侧向收集的少子扩散有时间上的差异。通...; 关键词：HGCDTE 瞬态响应少子寿命少子侧向收集光电导衰退

极性相反杂质在硅锭中的抵偿效应研究: 《太阳能学报》2023年第4期414-419,共6页刘振东李志涛高倩倩刘瑞柱; 国家自然科学基金(118040055);河南省高校重点科研计划项目(20A480001);安阳市科技计划项目(2021C01GX008)。; 采用Scheil方程和四探针法、霍尔效应技术、紫外-可见光吸收光谱以及XRD技术分别模拟和测试太阳能硅锭的杂质分布、电阻率、载流子浓度、带隙以及晶体结构,结果表明:若硅料中施主杂质原子浓度小于受主杂质的0.39倍,铸造的p型硅锭不会出...; 关键词：太阳电池载流子迁移率少子寿命抵偿效应 Scheil方程太阳能级硅

非晶硅薄膜沉积工艺中氢注入步骤对硅片少子寿命的影响: 《中文科技期刊数据库（全文版）工程技术》2023年第3期38-41,共4页许烁烁张威彭宜昌吴易龙徐伟; 湖南创新型省份建设专项(2022年度):面向异质结太阳能电池的PECVD装备研发与应用,编号2022GK2047。; 异质结(HJT)电池制备流程中,核心工艺是本征非晶硅(a-Si:H(i))薄膜和掺杂微晶硅(μc-Si:H)薄膜的沉积。本文研究了在a-Si:H(i)薄膜沉积过程中,氢注入步骤对硅片少子寿命和电池转换效率的影响。研究了a-Si:H(i)工艺流程、氢注入时的射频...; 关键词：异质结太阳电池本征非晶硅氢注入

Light soaking-induced performance enhancement in a-Si:H/c-Si heterojunction solar cells被引量：1: 《Science China Materials》2022年第12期3513-3517,共5页Qiyuan He Zechen Hu Xuegong Yu Pengjie Hang Lihui Song Dehang Lin Lifei Yang Deren Yang; the National Natural Science Foundation of China(61974129,62025403,and 61721005);the Natural Science Foundation of Zhejiang Province(LD22E020001);Lingyan Research and Development Project of Zhejiang Province(022C01215).; demonstrated to hydrogenate dangling bonds on the surface of crystalline silicon(c-Si),which reduces the interface defect density,thus enabling an outstanding passivation effect[1–3].However,like many other industria...; 关键词：非晶硅太阳电池饱和电流表面钝化稳定性测试阿伦尼乌斯光伏产业少子寿命

基于高频光电导法半导体少数载流子寿命测量系统的设计与实现: 《宇航计测技术》2022年第5期38-43,共6页赵昭高子兴李洁; 基于高频光电导衰减法半导体少数载流子寿命测量基本原理,设计了半导体少子寿命测量系统,并在二极管检波电路的基础上,对信号处理系统进行了改进。该信号处理系统采用反馈式检波电路,相比于传统二极管检波电路,运用运算放大器的反馈原...; 关键词：高频光电导衰减法少子寿命信号处理运算放大器

硅单晶测试参数的差异分析: 《电子工业专用设备》2022年第5期29-31,共3页田原; 为实现对单晶参数的综合分析,指导单晶制备,迫切需要分析各单晶参数之间的关联性。采用统计分析方法,针对N<111>轻掺P单晶进行了差异分析,发现寿命与电阻率呈显著负相关,旋涡情况与寿命、电阻率不均性相关性不显著。对N<111>重掺As单晶...; 关键词：硅单晶假设检验少子寿命径向电阻率变化氧含量

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