快恢复二极管

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自举二极管的集成开发
《中国科技期刊数据库 工业A》2024年第10期0079-0083,共5页俞韬 陈勇臻 陈烨 
IPM 即智能功率模块,其内部以IGBT或MOS作为功率开关,集成高压栅驱动电路,相比于分离方案,IPM既可以极大地缩小PCB尺寸,同时又能良好地保证系统的可靠性和稳定性,目前已经成为白色家电变频控制的理想功能单元。目前IPM的供应基本被国外...
关键词：自举线路 快恢复二极管 多晶电阻 
高压FRD少子寿命控制技术研究
《固体电子学研究与进展》2024年第2期173-177,共5页艾治州 李松岭 张帮会 王二俊 张小辛 
快恢复二极管(Fast recovery diode,FRD)常采用寿命控制技术来减小反向恢复时间,但也会改变其他电学性能。本文研究了扩铂工艺、电子辐照工艺以及结合扩铂和电子辐照工艺对1 700 V FRD的导通压降温度特性、反向恢复特性以及反向漏电流...
关键词：快恢复二极管 扩铂 电子辐照 温度系数 导通压降 
PIN快恢复二极管掺铂工艺改进
《厦门大学学报（自然科学版）》2023年第4期539-543,共5页郑志霞 陈轮兴 张丹 
福建省科技厅区域发展基金资助项目(2022H4007);福建省科技厅引导性基金资助项目(2022H0051)。
研究掺铂工艺对有效控制少数载流子寿命、缩短PIN快恢复二极管反向恢复时间、节约贵金属用量、提升器件综合性能具有重要意义.为了得到最优掺铂工艺,以电子束蒸发镀膜为参考基准,对比以液态铂源旋涂工艺在硅外延片N+面制备不同表面浓度...
关键词：快恢复二极管 少数载流子 反向恢复时间 正向压降 
电力系统用高电压快速恢复二极管坚固性优化
《固体电子学研究与进展》2022年第6期435-440,478,共7页和峰 刘钺杨 刘江 李翠 王耀华 晁武杰 金锐 魏晓光 
高压快恢复二极管芯片过渡区是反向恢复坚固性的薄弱点,一旦失效将影响电力装置稳定运行。提出了一种高阻型过渡区优化结构,通过建立三种模拟模型,研究了过渡区宽度和掺杂浓度对快恢复二极管反向恢复性能的影响。采用高阻型过渡区结构...
关键词：快恢复二极管 反向恢复 电流丝 坚固性 
快恢复二极管在高频电路中的选型应用
《电子测试》2022年第19期48-51,共4页潘永涛 
快恢复二极管是电源电路中不可或缺的重要器件,但是选型不当会产生器件过热及线路的电磁兼容(EMC)问题。本文从快恢复二极管的基本特性及主要参数入手,分析它们的工作状态,提出选用的依据、原则。根据不同工作频率选用适当开关时间的快...
关键词：快恢复二极管 高频电路 电磁兼容 选型 
快恢复二极管技术综述
《河南科技》2022年第12期36-41,共6页王学良 钱敏 
江苏省高校自然科学基金(19KJD510006)。
本研究重点介绍少数载流子寿命控制技术中的全域少数载流子技术和局域少数载流子技术及不同细分的少数载流子寿命控制技术的优缺点,并从阳极发射效率控制技术(如PIN、LLD、SSD、SPEED、MPS等)出发,介绍各类快恢复二极管技术的历史演变...
关键词：快恢复二极管 寿命控制 阳极发射 高压钝化 
4.5kV高压快恢复二极管的Spice子电路设计
《集成电路应用》2022年第6期6-8,共3页钟正 吴郁 
阐述基于4.5kV高压快恢复二极管,采用集总电荷法搭建了高压快恢复二极管的等效子电路,探讨LTSpice仿真软件进行测试仿真,通过双脉冲电路对模型参数进行调整,使得到的子模型能够完整地描述高压快恢复二极管的特性。通过与常温与高温实测...
关键词：快恢复二极管 子电路 集总电荷法 等效模型 双脉冲电路 
IGCT-MMC中二极管反向恢复特性分析与测试被引量：1
《中国电力》2021年第1期19-24,共6页娄彦涛 孙小平 刘琦 周文鹏 赵彪 余占清 曾嵘 
广东省重点领域研发计划资助项目(2019B111109001)。
二极管的反向恢复特性在IGCT-MMC中起着重要的作用。首先介绍快恢复二极管的反向恢复特性,然后在IGCT-MMC拓扑中介绍快恢复二极管的开关行为,最后搭建适用于IGCT-MMC测试的双脉冲实验平台,并对比了3种商业化快恢复二极管产品的反向恢复...
关键词：IGCT-MMC 快恢复二极管 反向恢复峰值电流 反向恢复峰值功率 安全工作区 
牵引级3300 V/1500 A功率IGBT模块开通失效研究
《电力电子技术》2020年第4期128-131,共4页张泉 蒋华平 王彦刚 吴煜东 
牵引级3300 V/1500 A功率绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块在斩波试验中存在快恢复二极管(FRD)损毁的失效现象,失效波形显示FRD经过反向电流的峰值之后发生损毁失效。从IGBT和FRD的斩波试验工作原理入手,探讨了FRD损毁失效的原因及失效机理...
关键词：绝缘栅双极型晶体管 快恢复二极管 失效 
斯达半导:领军IGBT行业进口替代先锋
《证券市场周刊》2020年第4期74-74,共1页
作为IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor,绝缘栅双极型晶体管)模块世界排名前十的唯一中国企业,斯达半导(603290.SH)自2005年成立以来,一直致力于IGBT芯片和快恢复二极管芯片的设计和工艺及IGBT模块的设计、制造和测试,IGBT模块的销...
关键词：绝缘栅双极型晶体管 IGBT模块 快恢复二极管 进口替代 销售收入 
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