少数载流子

作品数：109被引量：129H指数：4
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PIN快恢复二极管掺铂工艺改进
《厦门大学学报（自然科学版）》2023年第4期539-543,共5页郑志霞 陈轮兴 张丹 
福建省科技厅区域发展基金资助项目(2022H4007);福建省科技厅引导性基金资助项目(2022H0051)。
研究掺铂工艺对有效控制少数载流子寿命、缩短PIN快恢复二极管反向恢复时间、节约贵金属用量、提升器件综合性能具有重要意义.为了得到最优掺铂工艺,以电子束蒸发镀膜为参考基准,对比以液态铂源旋涂工艺在硅外延片N+面制备不同表面浓度...
关键词：快恢复二极管 少数载流子 反向恢复时间 正向压降 
InGaP/GaAs/InGaAs倒装结构三结太阳电池的辐照损伤仿真分析被引量：2
《航天器环境工程》2022年第6期562-568,共7页王彪 方美华 陆宏波 周宏涛 陈建飞 梁筝 魏志勇 
国家自然科学基金青年基金项目“晶格失配高效多结III-V族太阳能电池在空间捕获辐射条件下的性能衰减研究”(编号:11405085)。
为了保证倒装结构三结电池在空间辐射环境中使用的可靠性,揭示倒装工艺引入位错缺陷对电池辐射衰减的影响,文章基于泊松方程和载流子传输方程建立了倒装结构InGaP/GaAs/InGaAs三结太阳电池的物理模型,在地面等效实验验证的基础上,研究...
关键词：倒装结构三结太阳电池 性能衰减 位错缺陷 少数载流子寿命 
基于高频光电导法半导体少数载流子寿命测量系统的设计与实现
《宇航计测技术》2022年第5期38-43,共6页赵昭 高子兴 李洁 
基于高频光电导衰减法半导体少数载流子寿命测量基本原理,设计了半导体少子寿命测量系统,并在二极管检波电路的基础上,对信号处理系统进行了改进。该信号处理系统采用反馈式检波电路,相比于传统二极管检波电路,运用运算放大器的反馈原...
关键词：高频光电导衰减法 少子寿命 信号处理 运算放大器 
太阳能电池用晶体硅标准现状分析
《中国标准化》2022年第11期89-92,共4页王丽华 韩春蕾 张婷 卜延青 
本文通过介绍太阳能电池用晶体硅现行各级标准整体现状,着重分析了现行太阳能电池用晶体硅产品标准及检测方法标准中存在的问题,并提出改善建议,对了解行业质量状况及合理制修订标准具有指导意义。
关键词：太阳能电池 少数载流子寿命 晶体完整性 晶体缺陷密度 标准 
6H-SiC基混合肖特基/PiN二极管反向恢复及少子特性研究被引量：2
《电子元件与材料》2020年第10期52-58,82,共8页刘春娟 郑丽君 汪再兴 穆洲 
甘肃省自然科学基金(1610RJZA046)。
反向恢复特性是衡量混合肖特基/PiN(MPS)二极管开关性能最重要的参数之一。本文对6H-SiC基MPS二极管结构参数与反向恢复峰值电流、反向恢复电压之间的关系进行了数值模拟仿真,分析了器件关断过程中过剩少数载流子分布,以此就6HSiC基MPS...
关键词：6H-SiC MPS 反向恢复峰值电流 反向恢复峰值电压 少数载流子 软恢复因子 
非线性材料的特性研究——发光二极管的特性研究被引量：1
《中学物理教学参考》2020年第4期72-72,共1页石磊 
一、发光二极管的发光原理发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物,如GaAs(砷化镓)、GaP(磷化镓)、GaAsP(磷砷化镓)等半导体制成的,其核心是P-N结。因此它具有一般P-N结的特性,即正向导通,反向截止、击穿特性。此外,在一定条件下,它还具有发光特...
关键词：发光二极管 少数载流子 多数载流子 正向导通 磷砷化镓 直接复合 正向电压 发光原理 
150keV质子辐照对GaAs子电池性能的影响被引量：1
《原子能科学技术》2019年第11期2309-2316,共8页颜媛媛 方美华 汤晓斌 陈飞达 
国家自然科学基金资助项目(11405085);上海航天科技创新基金资助项目(SAST2016109)
低能质子辐射会使电池产生较大的非电离能量损失,导致少数载流子寿命降低从而破坏GaInP/GaAs/Ge电池的电性能,其中尤以中间的GaAs子电池的衰减最严重。本文以卫星用主流GaInP/GaAs/Ge三结电池为研究对象,制备与三结电池中GaAs子电池相...
关键词：GaAs太阳能电池 辐照损伤 COMSOL 少数载流子寿命 
使用太赫兹快速探测器测量硅少数载流子寿命
《红外与激光工程》2019年第9期145-150,共6页张钊 陈勰宇 田震 
国家重点研发计划(2017YFA0701004);国家自然科学基金(61722509,61675145,61735012)
利用脉冲触发信号在半导体中产生非平衡态载流子的方式,提出一种使用太赫兹连续源和超快速响应探头测量半导体少数载流子寿命的方法,用于表征半导体的瞬态载流子动力学过程。根据上述设计原理及思路,以泵浦光作为周期性激励信号,搭建出...
关键词：太赫兹 光泵 单晶硅 少数载流子寿命 
高频光电导法测量硅晶体载流子寿命的深度分析被引量：1
《仪器仪表用户》2019年第8期18-21,44,共5页王昕 田蕾 李俊生 叶灿明 王世进 
高频光电导测量硅单晶寿命的方法在国内半导体材料行业广泛使用,经过长期的实践积累了丰富的经验。本文试图就方法原理、仪器性能要求、测试结果的处理以及如何提高测量的重复性进行了深入分析。
关键词：直流光电导法 高频光电导法 注入比 少数载流子寿命 载流子复合寿命 
一种新分析切入点在晶体三极管教学中的应用被引量：1
《电气电子教学学报》2019年第2期69-72,共4页赵瑞娟 刘士军 尹春雷 
晶体三极管是电子技术课程中的基础元器件,也是教学的重点内容。本文针对三极管原理传统教学方法的缺陷,提出一种新分析切入点,从PN结的偏置状态入手由二极管原理进行过渡逐步展开三极管原理的分析,同时采用类比法使得三极管原理讲解变...
关键词：晶体三极管 PN结 少数载流子 
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