正向压降

作品数：129被引量：128H指数：5
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PIN快恢复二极管掺铂工艺改进
《厦门大学学报（自然科学版）》2023年第4期539-543,共5页郑志霞 陈轮兴 张丹 
福建省科技厅区域发展基金资助项目(2022H4007);福建省科技厅引导性基金资助项目(2022H0051)。
研究掺铂工艺对有效控制少数载流子寿命、缩短PIN快恢复二极管反向恢复时间、节约贵金属用量、提升器件综合性能具有重要意义.为了得到最优掺铂工艺,以电子束蒸发镀膜为参考基准,对比以液态铂源旋涂工艺在硅外延片N+面制备不同表面浓度...
关键词：快恢复二极管 少数载流子 反向恢复时间 正向压降 
具有高电流密度的小电流沟槽肖特基势垒二极管被引量：2
《半导体技术》2022年第3期199-204,共6页庄翔 张超 
研制了一种DFN1006-2L封装的小电流沟槽肖特基势垒二极管,其具有高电流密度、超低正向压降和低漏电特性。与常规平行条状结构排布的沟槽肖特基势垒二极管不同,该器件采用圆形网状结构排布设计,增加了器件中肖特基区域面积,提高了电流密...
关键词：沟槽肖特基势垒二极管 正向压降 反向电流 电流密度 方形扁平无引脚(DFN)封装 
结型半导体正向压降与温度关系的实验研究和应用
《科学大众（科技创新）》2021年第10期363-367,共5页郑辉 许如峰 
电位差计是以电压补偿法为原理所制作出来可以用来测试电动势的仪器。将被测的量值与已知的标准量值进行相互比较,根据电压补偿原理,使得在实际测量所要测量的电路时通过其的电流为零,从而使所得数据的准确度大大提高。在大学物理实验之...
关键词：结型半导体 电位差计 温度 正向压降 
HC-2402型LED液晶彩电三无故障维修
《家电维修》2021年第7期19-19,共1页黄宏章 
一台HC-2402型LED液晶彩电,雷击后三无。拆机检查,该机采用三合一主板(型号为TP.VST59.P4671)。通电,测得电容CB1(47μF/400V)两端电压约为320V,但开关电源次级12V输出端电压为0V。断电,320V电压长时间保持。放去储电后在路测量,发现光...
关键词：液晶彩电 输出端电压 正向压降 开关电源 光耦 LED 电路板 晶体管 
Vishay推出新型650 V SiC肖特基二极管,提升高频应用能效
《电子质量》2021年第2期62-62,共1页
Vishay Intertechnology,Inc.近日宣布,推出十款新型650 V碳化硅(SiC)肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN Schottky(MPS)结构设计,通过降低开关损耗提升高频应用能效,不受温度变化的影响-从而使二极管能够在更高的温...
关键词：肖特基二极管 肖特基势垒 正向压降 空穴注入 高频应用 浪涌电流 能效 
一种低功耗4H-SiC IGBT的仿真研究被引量：5
《电子科技》2021年第1期31-35,59,共6页苏芳文 毛鸿凯 隋金池 林茂 张飞 
浙江省杰出青年基金(LR17F040001)。
针对传统沟槽栅4H-SiC IGBT关断时间长且关断能量损耗高的问题,文中利用Silvaco TCAD设计并仿真了一种新型沟槽栅4H-SiC IGBT结构。通过在传统沟槽栅4H-SiC IGBT结构基础上进行改进,在N+缓冲层中引入两组高掺杂浓度P区和N区,提高了N+缓...
关键词：4H-SIC IGBT 击穿电压 关断能量损耗 正向压降 Silvaco TCAD 
基于正向压降测试仪的继电器触点状态测试方法研究被引量：1
《河南科技》2021年第2期45-47,共3页刘良勇 王纬国 
本文阐述了基于正向压降测试仪的继电器测试系统,通过开发上位机软件测试程序控制正向压降测试仪对继电器触点进行VI测试,利用最小二乘法对测试数据进行分析,计算测试数据的平均电阻值和线性度,并在此基础上开发循环测试程序,得出多次...
关键词：正向压降 最小二乘法 继电器触点测试 
谈谈整流二极管正向压降平均值测试台的设计被引量：2
《电子制作》2020年第10期3-4,34,共3页孙佳良 
本文是针对0~20A整流二极管正向压降平均值测试的工作原理,设计相应设备对其测试进行简析。
关键词：整流二极管 正向压降 平均值 测试 工作原理 
Vishay全新100V和120V TMBS整流器提供低至0.36V的正向压降,降低功率损耗并提高效率
《世界电子元器件》2018年第10期40-40,共1页
对于笔记本电脑和移动设备,整流器采用TO-220AB封装而提供了30 A至40A的电流额定值日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE股市代号:VSH)宣布,推出四款全新100 V和120 V TMBS?Trench MOS势垒肖特基整流器——V30100CI、V30120CI、V4010...
关键词：整流器 正向压降 VISHAY 功率损耗 
一种具有载流子存储层的500V高速SOI-LIGBT被引量：1
《微电子学》2018年第5期686-689,共4页邓菁 陈星弼 
国家自然科学基金资助项目(51237001)
为了改善LIGBT的关断特性,已有一种采用PMOS管来控制LIGBT阳极空穴注入的方法。在此基础上,提出了一种具有载流子存储效应的高速SOI-LIGBT结构。采用二维仿真软件MEDICI,对器件P-top区的剂量、载流子存储层的长度、掺杂浓度等参数进行...
关键词：SOI-LIGBT 击穿电压 正向压降 关断时间 
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