Vishay推出新型650 V SiC肖特基二极管,提升高频应用能效  

出　　处：《电子质量》2021年第2期62-62,共1页Electronics Quality

摘　　要：Vishay Intertechnology,Inc.近日宣布,推出十款新型650 V碳化硅(SiC)肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN Schottky(MPS)结构设计,通过降低开关损耗提升高频应用能效,不受温度变化的影响-从而使二极管能够在更高的温度下工作。日前发布的MPS二极管可屏蔽肖特基势垒产生的电场,减少漏电流,同时通过空穴注入提高浪涌电流能力。与硅肖特基器件相比,新型二极管处理电流相同的情况下,正向压降仅略有上升,坚固程度明显提高。

关 键 词：肖特基二极管 肖特基势垒 正向压降 空穴注入 高频应用 浪涌电流 能效 

分 类 号：TN311.7[电子电信—物理电子学]