晶体完整性

作品数:6被引量:1H指数:1
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相关领域:理学电子电信更多>>
相关作者:徐军陈培杕刘军芳赵广军仲维卓更多>>
相关机构:中国科学院中国科学院上海光学精密机械研究所华莹电子有限公司山东大学更多>>
相关期刊:《热加工工艺》《人工晶体学报》《Journal of Semiconductors》《中国标准化》更多>>
相关基金:国家自然科学基金山东省博士后创新项目中央高校基本科研业务费专项资金凝固技术国家重点实验室开放课题更多>>
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太阳能电池用晶体硅标准现状分析
《中国标准化》2022年第11期89-92,共4页王丽华 韩春蕾 张婷 卜延青 
本文通过介绍太阳能电池用晶体硅现行各级标准整体现状,着重分析了现行太阳能电池用晶体硅产品标准及检测方法标准中存在的问题,并提出改善建议,对了解行业质量状况及合理制修订标准具有指导意义。
关键词:太阳能电池 少数载流子寿命 晶体完整性 晶体缺陷密度 标准 
悬浮区熔法生长Tb_5Si_3晶体完整性研究
《热加工工艺》2014年第7期44-46,共3页徐义库 刘林 张军 
中央高校基本科研业务费专项资金;西北工业大学"凝固技术国家重点实验室开放课题(SKLSP201302)"对本研究的资助
通过采用光辐射加热悬浮区熔法制备了Tb5Si3单晶。得出的结论为:3 mm/h的生长速度,0.1 MPa的循环氩气比较适合Tb5Si3单晶体的生长;Tb5Si3单晶基体内容易产生定向Tb5Si4脱溶沉淀相。调整材料成分可明显减少Tb5Si3相沉淀的尺寸和数量,提...
关键词:悬浮区熔技术 晶体生长 沉淀 成分调整 
硫酸盐对KDP晶体完整性的影响被引量:1
《人工晶体学报》2007年第6期1253-1256,共4页孙洵 牟晓明 徐明霞 王波 刘冰 许心光 
山东省博士基金(03BS063);国家"863-804"主题课题;国家自然科学基金(No.16076019)
本文利用高分辨X射线衍射技术,在"点籽晶"快速生长法基础上,研究了掺杂K2SO4对KDP晶体锥面及柱面扇形结构完整性的影响。结果表明,在5×10-5的掺杂条件下,K2SO4对KDP晶体不同扇形区域的影响略有不同,其原因主要在于[SO42-]与KDP晶体各...
关键词:硫酸盐 KDP晶体 快速生长 高分辨X射线衍射 
新型压电单晶PMNT的下降法生长及晶体完整性
《人工晶体学报》2000年第S1期88-88,共1页许桂生 罗豪更生 齐振一 徐海清 仲维卓 殷之文 
国家自然科学基金!重大项目 (5 99995 5 2 0 );国家自然科学基金项目!(5 9872 0 48);上海市科技发展基金!重点项目(98JC140 17)
新型压电单晶PMNT具有十分优异的压电性能 ,用Bridgman法生长的PMNT单晶的电容率ε可达 5 5 0 0左右 ,纵向压电应变常量d3 3 可达 2 5 0 0pC/N以上 ,机电耦合因数k3 3 可达 93% ,kt可达 6 4 % ,机械品质因数Qm 低至 5 0~ 6 0。用该晶...
关键词:压电单晶 PMNT 布里奇曼法 
半导体表面晶体完整性的SEM电子通道花样研究
《Journal of Semiconductors》1991年第1期23-27,共5页邱素娟 林奇全 
本文对各种GaAs晶体表面作了SEM电子通道技术测量,对测得的电子通道花样进行了结晶学注释,确定了评价晶体完整性的标准。可广泛用来检查和评估半导体表面的晶体完整性.
关键词:GAAS晶体 SEM 电子通道像 
离子注入及退火对GaAs/Si晶体完整性影响的研究
《Journal of Semiconductors》1990年第11期866-870,共5页肖光明 殷士端 张敬平 范缇文 刘家瑞 丁爱菊 周均铭 朱沛然 
本文用4.2MeV ~7Li离子卢瑟福背散射沟道技术研究了Si上外延GaAs膜在MeV Si离子注入及红外瞬态退火后的再生长过程。实验表明,离子注入可使GaAs外延膜内形成一无序网络,当注入剂量低于某一阈值时,850℃,15秒退火后,损伤区可完全再结晶,...
关键词:离子注入 退火 GAAS/SI 晶体 
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