邱素娟

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发文主题：离子注入砷化镓GAAS硅SEM更多>>
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注氮GaAs中的深能级及其对自由载流子的补偿
《物理学报》1996年第3期491-498,共8页陈开茅 金泗轩 贾勇强 邱素娟 吕云安 何梅芬 刘鸿飞 
国家自然科学基金
详细研究了注氮n型GaAs中深的和浅的杂质缺陷的电学性质。深能级瞬态谱(DLTS)技术测量表明,能量为140keV和剂量为1×10^(13)cm^(-2)的氮离子注入并经800℃退火30min的GaAs中存在四个电子陷阱,E_1(0.111),E_2(0.234),E_3(0.415),E_4(0.6...
关键词：砷化镓 注氮 深能级 载流子 
少子陷阱特性和铍硅共注半绝缘GaAs空穴陷阱
《物理学报》1994年第8期1352-1359,共8页陈开茅 金泗轩 邱素娟 
国家自然科学基金
用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）技术测量了高温退火的Ｂｅ和Ｓｉ共注入的ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ（无掺杂）。在多子脉冲作用下的Ａｌ／Ｂｅ－Ｓｉ共注ＬＥＣＳＩＧａＡｓ肖特基势垒中，观测到Ｅ＿（０１）（０．２９８），Ｅ＿（０２）（０...
关键词：砷化镓 离子注入 少子陷阱 空穴 
注硅半绝缘GaAs的深能级
《物理学报》1993年第8期1304-1310,共7页邱素娟 陈开茅 武兰青 
国家自然科学基金
用深能级瞬态谱(DLTS)详细研究了硅离子注入Liquid-encapsulated Czochralski(缩写为LEC)半绝缘GaAs的深中心。结果表明,在注硅并经高温退火的有源区中观测到4个多子(电子)陷阱,E_(01),E_(02),E_(03)和E_(04)。它们的电子表观激活能分别...
关键词：砷化镓 离子注入 深能级 缺陷 
改善GaAs MESFET输出功率线性的载流子浓度分布设计与制备
《半导体情报》1991年第4期1-6,30,共7页邱素娟 
国家自然科学基金
经过对GaAs MESFET输出功率及其线性失真的综合分析,提出了无拖尾双峰n^+n载流子浓度分布的最佳设计。用Si离子注入和Be注入埋层方法,以及优化的快速退火技术,满意地制备出所希望的无拖尾双峰n^+n浓度分布。用于DX571功率GaAs MESFET器...
关键词：场效应晶体管 GAAS MESFET 制造 
半导体表面晶体完整性的SEM电子通道花样研究
《Journal of Semiconductors》1991年第1期23-27,共5页邱素娟 林奇全 
本文对各种GaAs晶体表面作了SEM电子通道技术测量,对测得的电子通道花样进行了结晶学注释,确定了评价晶体完整性的标准。可广泛用来检查和评估半导体表面的晶体完整性.
关键词：GAAS晶体 SEM 电子通道像 
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