云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- MESFET

MESFET: 作品数：302被引量：199H指数：6; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：张义门张玉明夏冠群陈刚吕红亮更多>>; 相关机构：西安电子科技大学南京电子器件研究所中国科学院上海冶金研究所中国科学院更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国防科技技术预先研究基金国家部委预研基金更多>>

基于各向异性导电膜的射频SP8T开关无损测试: 《半导体技术》2024年第1期97-102,共6页睢林曹咏弘王耀利张凯旗张翀程亚昊; 为了解决射频器件无损测试的难点,基于各向异性导电膜Z轴(ACF-Z)连接结构,设计并实现了射频器件无损测试技术。针对表面贴装式GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFET)单刀八掷(SP8T)开关,该测试技术使用ACF-Z轴连接结构实现器件与测试板的...; 关键词：射频器件无损测试各向异性导电膜Z轴(ACF-Z)连接结构 GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFET) 单刀八掷(SP8T)开关插入损耗

GaN异质结场效应管中栅、漏电压对电子气的控制(续): 《固体电子学研究与进展》2021年第6期425-431,共7页薛舫时杨乃彬陈堂胜孔月婵; 国家自然科学基金资助项目(61874101,61904162)。; 从自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程出发,编制出计算GaN HFET内不同栅、漏电压下沟道能带、电子气密度及量子电容的软件,研究场效应管的电荷控制和DIBL。在异质结沟道阱研究中,改变栅电压算出的电子气密度及量子电容同C-V实验测试结果...; 关键词：电荷控制模型漏电压引起的势垒下降类MESFET模拟电荷控制中的量子行为量子电容三角阱近似漏电压引起的阈值电压移动漏电压引起的能带下弯

GaN异质结场效应管中栅、漏电压对电子气的控制被引量：2: 《固体电子学研究与进展》2021年第5期337-342,共6页薛舫时杨乃彬陈堂胜孔月婵; 国家自然科学基金资助项目(61874101,61904162)。; 从自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程出发,编制出计算GaN HFET内不同栅、漏电压下沟道能带、电子气密度及量子电容的软件,研究场效应管的电荷控制和DIBL。在异质结沟道阱研究中,改变栅电压算出的电子气密度及量子电容同C-V实验测试结果...; 关键词：电荷控制模型漏电压引起的势垒下降类MESFET模拟电荷控制中的量子行为量子电容三角阱近似漏电压引起的阈值电压移动漏电压引起的能带下弯

Static performance model of GaN MESFET based on the interface state: 《Journal of Semiconductors》2018年第12期75-80,共6页Xiaohong Li Ruirong Wang Tong Chen; Project supported by the Taiyuan Institute of Technology School Foundation; This paper presents a new model to study the static performances of a GaN metal epitaxial-semiconductor field effect transistor（MESFET） based on the metal-semiconductor interface state of the Schottky junction.The I...; 关键词：GaN MESFET static performance model interface states

应用于汽车雷达的X波段二倍频器被引量：1: 《电子元件与材料》2018年第8期71-75,92,共6页林新王斌; 国家自然科学基金项目(61102026);重庆邮电大学自然科学基金项目(A2015-47); 基于FET倍频原理,选取NEC公司型号为NE900100的金属半导体接触势垒场效应晶体管(Metal EpitaxialSemiconductor Field Effect Transistor,M ESFET),采用单扇形偏置电路代替传统高频短路块,同时采用新型四分之一波长交趾耦合滤波器取代...; 关键词：MESFET 单扇形偏置线交趾耦合滤波器 ADS X波段二倍频器

X-Band Power Amplifier for Next Generation Networks Based on MESFET: 《China Communications》2017年第4期11-19,共9页Muhammad Saad Khan Hongxin Zhang Fan Zhang Sulman Shahzad Rahat Ullah Sajid Ali Qasim Ali Arain Manzoor Ahmed; supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant no.61571063, 61472357, 61501100); Advanced wireless standards of communication like 3GPP and LTE are becoming more and more efficient and with this evolution of communication systems mobile equipment is also become smaller and smaller. Power amplifier...; 关键词：MESFET X-BAND power amplifier advance design system PAE LTE

4H-SiC MESFET特性对比及仿真: 《电子技术应用》2017年第1期13-15,19,共4页侯斌邢鼎张战国臧继超马磊; 通过对双凹栅结构和阶梯栅结构4H-SiC MESFET的直流特性对比,得出阶梯栅结构的直流特性优于双凹栅结构。对阶梯栅结构进行极限化处理后,引出了坡形栅4H-SiC MESFET的结构及其特征参数EP_(CG),通过仿真对比了坡形栅4H-SiC MESFET结构EP_(...; 关键词：仿真 4H—SiC MESFET 阶梯栅坡形栅

4H-SiC MESFET新结构的特性分析: 《电子技术与软件工程》2016年第9期101-102,共2页彭强; 随着新型材料技术的不断发展,金属半导体材料不断被研发出来,推动了我国微电子产业的发展。碳化硅材料具备诸多优点,在金属半导体场效应晶体管制造中取得显著进展。现将浮空金属板加入到双凹型4H-Si C MESFET栅漏间,并将阶梯沟道引入,...; 关键词：4H-SIC 击穿电压饱和漏电流

4H-SiC MESFET新结构的特性研究被引量：2: 《微电子学》2015年第3期404-407,共4页彭沛陈勇; 提出了一种具有阶梯沟道和浮空金属板的新型4H-SiC MESFET结构。在双凹型4HSiC MESFET的栅漏之间加入浮空金属板,并引入阶梯沟道,减少了靠近漏端的栅边缘的电场积聚,提高了击穿电压。对提出的结构进行二维数值模拟,结果表明,该结构的击...; 关键词：4H-SIC 金属半导体场效应晶体管击穿电压

An improved analytical model of 4H-SiC MESFET incorporating bulk and interface trapping effects被引量：3: 《Journal of Semiconductors》2015年第1期64-75,共12页M.Hema Lata Rao N.V.L.Narasimha Murty; An improved analytical model for the current–voltage（I–V） characteristics of the 4H-SiC metal semiconductor field effect transistor（MESFET） on a high purity semi-insulating（HPSI） substrate with trapping and th...; 关键词：SiC MESFET HPSI substrate deep-level traps MMICs

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