彭沛

作品数：1被引量：2H指数：1
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供职机构：电子科技大学微电子与固体电子学院更多>>
发文主题：MESFET4H-SIC击穿电压金属半导体场效应晶体管新结构更多>>
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4H-SiC MESFET新结构的特性研究被引量：2
《微电子学》2015年第3期404-407,共4页彭沛 陈勇 
提出了一种具有阶梯沟道和浮空金属板的新型4H-SiC MESFET结构。在双凹型4HSiC MESFET的栅漏之间加入浮空金属板,并引入阶梯沟道,减少了靠近漏端的栅边缘的电场积聚,提高了击穿电压。对提出的结构进行二维数值模拟,结果表明,该结构的击...
关键词：4H-SIC 金属半导体场效应晶体管 击穿电压 
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