金属半导体场效应晶体管

作品数：28被引量：19H指数：2
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基于各向异性导电膜的射频SP8T开关无损测试
《半导体技术》2024年第1期97-102,共6页睢林 曹咏弘 王耀利 张凯旗 张翀 程亚昊 
为了解决射频器件无损测试的难点,基于各向异性导电膜Z轴(ACF-Z)连接结构,设计并实现了射频器件无损测试技术。针对表面贴装式GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFET)单刀八掷(SP8T)开关,该测试技术使用ACF-Z轴连接结构实现器件与测试板的...
关键词：射频器件 无损测试 各向异性导电膜Z轴(ACF-Z)连接结构 GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFET) 单刀八掷(SP8T)开关 插入损耗 
超宽禁带半导体金刚石功率电子学研究的新进展(续)被引量：1
《半导体技术》2021年第2期81-103,共23页赵正平 
3功率晶体管与逻辑电路金刚石晶体管在功率电子学和微波电子学两大领域均有进展。在功率电子学领域向高击穿电压、高击穿场强、高温工作、低导通电阻、高开关速率和常关器件的方向发展。金刚石晶体管以各类FET为主,包括金属半导体场效...
关键词：金属半导体场效应晶体管 功率电子学 宽禁带半导体 功率晶体管 二维空穴气 低导通电阻 微波电子学 逻辑电路 
4H-SiC MESFET新结构的特性研究被引量：2
《微电子学》2015年第3期404-407,共4页彭沛 陈勇 
提出了一种具有阶梯沟道和浮空金属板的新型4H-SiC MESFET结构。在双凹型4HSiC MESFET的栅漏之间加入浮空金属板,并引入阶梯沟道,减少了靠近漏端的栅边缘的电场积聚,提高了击穿电压。对提出的结构进行二维数值模拟,结果表明,该结构的击...
关键词：4H-SIC 金属半导体场效应晶体管 击穿电压 
Analytical Model for GaAs MESFET with High Pinchoff Voltage
《材料科学与工程（中英文A版）》2013年第12期853-858,共6页Chahrazed Kaddour Cherifa Azizi Saade Edine Khemissi Mourad Zaabat Yasemina Saidi 
关键词：MESFET器件 夹断电压 GAAS 金属半导体场效应晶体管 解析模型 移动特性 电子电路 静态模型 
8.9W/mm高功率密度SiC MESFET器件研制
《半导体技术》2013年第1期20-24,共5页李亮 默江辉 邓小川 李佳 冯志红 崔玉兴 付兴昌 蔡树军 
基于自主研发的碳化硅(SiC)材料外延技术,优化了材料各层结构及参数,减小了Al记忆效应,最终得到了高质量SiC外延片。采用自主研发成熟的SiC MESFET工艺平台,制作了多凹栅器件结构,优化了凹槽尺寸,采用细栅制作技术完成了栅电极制作,最...
关键词：碳化硅 微波 金属半导体场效应晶体管 功率密度 脉冲 
S波段SiC MESFET多胞大功率合成技术研究
《半导体技术》2012年第10期764-767,共4页付兴昌 默江辉 李亮 李佳 冯志红 蔡树军 杨克武 
优化了芯片版图结构,采用常规工艺制作了SiC MESFET大栅宽芯片。优化了管壳内芯片装配形式,采用电容及电感匹配网络提高了器件阻抗,提高了器件增益。设计并优化了3 dB电桥输入及输出匹配电路,保证了器件最大功率输出及工作稳定性。最终...
关键词：碳化硅金属半导体场效应晶体管 内匹配 大功率 高增益 3dB电桥 
沟道角度对微加速度计性能的影响被引量：1
《仪表技术与传感器》2012年第1期10-12,共3页史伟莉 薛晨阳 谭振新 刘俊 张斌珍 张文栋 
国家自然科学基金资助(50730009,50535030);国家重点基础研究发展计划资助(2008CB317104)
通过设计与悬臂梁呈不同角度的沟道,对GaAs基金属半导体场效应晶体管(MESFET)的微加速度计的输出特性进行了初步测试研究。设计了GaAs MESFET的材料层结构并采用四梁固支结构。通过表面浅工艺加工出GaAs MES-FET微加速度计。将敏感单元G...
关键词：金属半导体场效应晶体管 沟道角度 灵敏度 
S波段大功率SiC MESFET的设计与工艺制作
《微纳电子技术》2011年第9期558-561,582,共5页付兴昌 潘宏菽 
针对SiC功率金属半导体场效应晶体管如何在实现高性能的同时保证器件长期稳定的工作,从金属半导体接触、器件制造过程中的台阶控制、氧化与钝化层的设计及器件背面金属化实现等方面进行了分析;并结合具体工艺,对比给出了部分实验结果。...
关键词：碳化硅(SiC) 金属半导体场效应晶体管(MESFET) 功率 微波 S波段 
利用离子注入技术制备新型结构SiC器件的展望被引量：2
《自然杂志》2011年第4期211-215,共5页王守国 张岩 
作者介绍了SiC MESFET(metal-semiconductor field-effect transistor,金属半导体场效应晶体管)器件的优点和离子注入技术在SiC器件制备中的发展趋势,提出一种用离子注入技术制备新型结构的SiC MESFET器件的方法,讨论了这种新型结构的优...
关键词：SIC 离子注入 金属半导体场效应晶体管 工艺设计 
新型4H-SiC射频功率MESFET大信号经验电容模型
《微波学报》2010年第S1期424-426,共3页刘莹 国云川 黄文 
基于4H-SiC射频功率MESFET器件的工作机理,提出了一种新型的大信号经验电容模型。针对此模型参数的提取采用最小二乘法和遗传算法,算法用MATLAB语言实现,与传统算法相比,经验电容模型参数的初值估计和优化更为简单准确。提取的模型重要...
关键词：4H-碳化硅 金属半导体场效应晶体管 大信号模型 经验电容模型 遗传算法 
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