利用离子注入技术制备新型结构SiC器件的展望  

Prospect of a New Structure SiC MESFETs Fabricated by Ion-Implantation

作　　者：王守国[1,2] 张岩[1] 

机构地区：[1]哈尔滨工业大学深圳研究生院电子与信息工程学科部 [2]西北大学信息与技术学院,西安710127

出　　处：《自然杂志》2011年第4期211-215,共5页Chinese Journal of Nature

摘　　要：作者介绍了SiC MESFET(metal-semiconductor field-effect transistor,金属半导体场效应晶体管)器件的优点和离子注入技术在SiC器件制备中的发展趋势,提出一种用离子注入技术制备新型结构的SiC MESFET器件的方法,讨论了这种新型结构的优点,最后给出用离子注入技术制备SiC MESFET器件的设计过程。The perfect characteristics of SiC MESFETs and the development of ion-implantation technology in the fabrication of SiC devices are presented. A new method for design of SiC MESFETs fabricated by ion-implantation is given. The advantages of this new structure are discussed. The process design of SiC MESFETs fabricated by ion-implantation is given lastly.

关 键 词：SIC 离子注入 金属半导体场效应晶体管 工艺设计 

分 类 号：TN305.3[电子电信—物理电子学]