王守国

作品数：2被引量：34H指数：2
导出分析报告
供职机构：西北大学更多>>
发文主题：SICSIC材料半导体器件晶片SIC器件更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《自然杂志》更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-2
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
利用离子注入技术制备新型结构SiC器件的展望被引量：2
《自然杂志》2011年第4期211-215,共5页王守国 张岩 
作者介绍了SiC MESFET(metal-semiconductor field-effect transistor,金属半导体场效应晶体管)器件的优点和离子注入技术在SiC器件制备中的发展趋势,提出一种用离子注入技术制备新型结构的SiC MESFET器件的方法,讨论了这种新型结构的优...
关键词：SIC 离子注入 金属半导体场效应晶体管 工艺设计 
SiC材料及器件的应用发展前景被引量：32
《自然杂志》2011年第1期42-45,53,共5页王守国 张岩 
SiC材料是第三代半导体材料,由于可用于军事领域,国外限制该产品的出口。作者首先阐述了SiC材料的基本特性,介绍了SiC晶体的生长技术及晶体供应商,尤其是国内SiC晶体材料的研制现状,最后评述SiC器件的应用领域和市场前景,并指出中国应建...
关键词：SIC 半导体器件 材料 晶片 工艺 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部