邓小川

作品数：20被引量：128H指数：5
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供职机构：电子科技大学更多>>
发文主题：碳化硅MOSFET器件槽栅栅介质击穿电压更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程文化科学更多>>
发文期刊：《微电子学》《真空科学与技术学报》《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家自然科学基金广东省自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家科技重大专项更多>>
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SiC MOSFET器件栅氧可靠性研究综述被引量：1
《电源学报》2024年第4期1-11,共11页胡嘉豪 王英伦 代豪豪 邓小川 张波 
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管SiC MOSFET(silicon carbide metal-oxide-semiconductor field effect transistor)因具有高压、高频、低导通损耗等优异特性而获得产业界广泛关注,但相比于硅基IGBT,SiC/SiO_(2)栅氧界面高缺陷密度...
关键词：碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 栅氧可靠性 评估方法 极端工况 
“碳化硅功率半导体技术”专题前言
《电子与封装》2022年第2期I0002-I0002,共1页邓小川 
半导体功率器件(即电力电子器件)是电力电子技术的三大核心基础之一,被比作电力电子装置的“CPU”。现有功率器件多采用Si基或SOI基,但是受限于自身材料特性的影响,在节能与转换效率方面越来越显示出他们的局限性。为解决上述问题,半导...
关键词：半导体功率器件 宽禁带半导体 电力电子器件 SOI 转换效率 电力电子技术 电力电子装置 功率半导体技术 
1 200 V SiC MOSFET器件的体二极管抗浪涌能力研究
《机车电传动》2021年第5期33-37,共5页陈超 李旭 黄伟 邓小川 
广东省自然科学基金项目(2019A1515012085)。
对1 200 V碳化硅金属氧化物场效应晶体管(SiC MOSFET)(包括双沟槽型栅极结构、非对称沟槽型栅极结构和平面型栅极结构)的抗浪涌能力进行了试验测试分析与评估。其中,平面型SiC MOSFET展现出了最优的抗浪涌能力,最大浪涌电流密度峰值达到...
关键词：浪涌能力 碳化硅 金属氧化物场效应晶体管 浪涌失效机制 体二极管 
10 kV SiC LBD-MOSFET结构设计与特性研究被引量：3
《电子科技大学学报》2021年第4期520-526,共7页文译 陈致宇 邓小川 柏松 李轩 张波 
国家科技重点研发计划(2017YFB0102302);广东省自然科学基金(2019A1515012085)。
针对SiC MOSFET体二极管双极退化效应,该文提出了一种集成低势垒二极管的10 kV SiC MOSFET器件新结构(LBD-MOSFET)。该结构通过在一侧基区上方注入N阱,降低了漏源间的电子势垒,从而在元胞中形成一个低势垒二极管(LBD)。当LBD-MOSFET在...
关键词：击穿电压 栅漏电容 低势垒 碳化硅 第三象限 
一种高结终端效率1700V/10A SiC功率MOSFET被引量：4
《半导体技术》2020年第9期685-689,695,共6页刘岳巍 杨瑞霞 张志国 王永维 邓小川 
国家自然科学基金资助项目(61774054)。
设计了一种具有分组缓变间距场限环(MGM-FLR)结终端结构的SiC功率MOSFET,并基于国内现有的SiC电力电子器件工艺平台进行了流片,完成了1700 V/10 A SiC功率MOSFET样品的制备。测试结果表明,MGM-FLR结构有效调制并优化了结终端区域的表面...
关键词：SiC MOSFET 场限环 击穿电压 阈值电压 高温反偏(HTRB) 
一种带有注入增强缓冲层的4H-SiC GTO晶闸管被引量：3
《半导体技术》2019年第4期276-280,312,共6页高吴昊 陈万军 刘超 陶宏 夏云 谯彬 施宜军 邓小川 李肇基 张波 
门极可关断(GTO)晶闸管是应用在脉冲功率领域中的一种重要的功率器件。目前,由于常规SiC GTO晶闸管的阴极注入效率较低,限制了器件性能的提高。提出了一种带有注入增强缓冲层的碳化硅门极可关断(IEB-GTO)晶闸管结构,相比于常规GTO晶闸...
关键词：4H-SIC 门极可关断(GTO)晶闸管 注入效率 缓冲层 脉冲功率 
超高压SiC电力电子器件及其在电网中的应用被引量：8
《智能电网》2017年第8期733-741,共9页邓小川 谭犇 万殊燕 吴昊 杨霏 张波 
国家重点研发计划(2016YFB0400500)~~
碳化硅(SiC)作为近年来备受关注的一种宽禁带半导体材料,具有宽禁带、高临界击穿电场、高热导率以及高电子饱和漂移速度等良好的物理和电学特性。宽禁带半导体SiC电力电子器件,突破了传统硅基器件在耐压、工作频率以及转换效率等方面的...
关键词：碳化硅 超高压 电力电子器件 智能电网 
4H-SiC栅氧氮化工艺优化被引量：1
《大功率变流技术》2016年第5期41-45,共5页陈喜明 李诚瞻 赵艳黎 邓小川 张波 
国家科技重大专项02专项(2013ZX02305002)
为了改善SiC MOS电容氧化膜的质量和界面态密度,采用正交试验法考察了温度、压力、时间以及一氧化氮气流量等主要氮化工艺参数对4H-SiC MOS电容栅氧特性的影响,发现温度是影响栅氧特性最关键因素。优选出栅氧的最佳氮化工艺条件,并找到...
关键词：4H-SIC MOS电容 氮化工艺 击穿电压 界面态密度 
1200V SiC MOSFET晶体管的高温可靠性研究被引量：4
《大功率变流技术》2016年第5期62-64,70,共4页邓小川 陈茜茜 王弋宇 申华军 唐亚超 高云斌 
国家科技重大专项子课题(编号2013ZX02305-002);广东省自然科学基金(编号2015A030313875)
高温可靠性是目前限制SiC MOSFET晶体管高温应用的关键问题之一。本文介绍了基于国内碳化硅器件工艺平台研制的1 200 V SiC MOSFET器件的直流特性,并通过高温栅偏(HTGB)和高温反偏(HTRB)试验对器件高温可靠性进行测试分析。试验结果表明...
关键词：SIC MOSFET 高温栅偏 高温反偏 可靠性 
ICP刻蚀4H-SiC栅槽工艺研究被引量：1
《真空科学与技术学报》2015年第5期570-574,共5页户金豹 邓小川 申华军 杨谦 李诚瞻 刘可安 刘新宇 
国家自然科学基金项目(No.61106080,61234006,61275042)
为避免金属掩膜易引起的微掩膜,本文采用SiO2介质作为掩膜,SF6/O2/Ar作为刻蚀气体,利用感应耦合等离子体刻蚀(ICP)技术对4H-SiC trench MOSFET栅槽刻蚀工艺进行了研究。本文详细研究了ICP刻蚀的不同工艺参数对刻蚀速率、刻蚀选择比以及...
关键词：微掩膜 感应耦合等离子体 碳化硅 栅槽 微沟槽效应 
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