夏云

作品数：1被引量：3H指数：1
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供职机构：电子科技大学更多>>
发文主题：漂移区极区反向恢复关断损耗导通压降更多>>
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一种带有注入增强缓冲层的4H-SiC GTO晶闸管被引量：3
《半导体技术》2019年第4期276-280,312,共6页高吴昊 陈万军 刘超 陶宏 夏云 谯彬 施宜军 邓小川 李肇基 张波 
门极可关断(GTO)晶闸管是应用在脉冲功率领域中的一种重要的功率器件。目前,由于常规SiC GTO晶闸管的阴极注入效率较低,限制了器件性能的提高。提出了一种带有注入增强缓冲层的碳化硅门极可关断(IEB-GTO)晶闸管结构,相比于常规GTO晶闸...
关键词：4H-SIC 门极可关断(GTO)晶闸管 注入效率 缓冲层 脉冲功率 
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