界面态密度

作品数：68被引量：69H指数：4
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SiC MOSFET栅极可靠性研究
《电力电子技术》2024年第12期119-124,共6页丁杰钦 王震 程银华 何逸涛 
新型显示与战略性电子材料重点专项(2022YFB-3604003);功率半导体与集成技术全国重点实验室(2023-PT1009)。
栅极可靠性一直是SiC MOSFET芯片所面临的重要问题,主要体现在高温栅偏所导致的阈值电压退化。如何提升SiC MOSFET芯片的阈值电压稳定性,需要展开系统而深入研究。从栅氧氮化和后道工艺出发,研究了氮化退火过程对栅氧界面态密度(Dit)、...
关键词：碳化硅 栅极 界面态密度 
GaN基p-i-n型紫外探测器钝化工艺研究
《半导体光电》2023年第6期895-900,共6页杨富城 杨帆 许金通 
国家重点研发计划项目(2021YFA0715501)。
钝化层膜系的选择及其工艺的优化对降低GaN基紫外探测器的漏电流和提升其可靠性是至关重要的。文章采用多种钝化层:等离子体增强化学气相沉积生长的Si_(3)N_4(PECVD-Si_(3)N_4)、电感耦合等离子体化学气相沉积生长的Si_(3)N_4(ICPCVD-Si...
关键词：GAN 漏电流 钝化 等离子原子层沉积 界面态密度 
AlGaN/GaN肖特基二极管阳极后退火界面态修复技术
《物理学报》2023年第19期278-284,共7页武鹏 李若晗 张涛 张进成 郝跃 
国家自然科学基金(批准号:62104185);国家杰出青年科学基金(批准号:61925404);中央高校基本科研业务费(批准号:QTZX23076);青年人才托举工程(批准号:2022QNRC001)资助的课题。
AlGaN/GaN异质结构材料在较强自发极化和压电极化的作用下,会产生高面密度和高迁移率的二维电子气,保障了基于该异质结构的GaN肖特基二极管器件具有高输出电流密度和低导通电阻特性.阳极作为GaN肖特基二极管的核心结构,对器件的开启电...
关键词：ALGAN/GAN 肖特基二极管 低反向漏电 低界面态密度 
不同钝化层对Er_(2)O_(3)/InP MOS电容器界面和电学性能调控
《绍兴文理学院学报》2023年第8期54-59,共6页吴秋菊 方泽波 
国家自然科学基金资助项目“稀土基高k栅介质钝化层InP叠层栅构筑及其物性研究”(51872186).
为满足集成电路发展需要,实验制备Al/Er_(2)O_(3)/InP金属氧化物半导体(MOS)电容器.采用ALD技术分别制备了超薄的Al_(2)O_(3),HfO_(2)和HfAlO钝化层,研究了不同种类的钝化层对InP-MOS器件界面和电学特性的影响.实验结果表明,钝化层能有...
关键词：MOS电容器 ALD Er_(2)O_(3)栅介质 钝化 界面态密度 
SiO_(2)/SiC界面工艺技术研究现状及新进展被引量：2
《半导体技术》2022年第5期346-353,共8页刘佳霖 刘英坤 
从SiO_(2)/SiC界面工艺技术角度着重介绍了其降低界面态密度、提升沟道电子迁移率及改善SiC MOSFET性能稳定性的机理,分析了国内外研究中有关SiC材料、SiC晶面、氧化层制备工艺和氧化后退火(POA)条件对SiO_(2)/SiC界面的影响,总结了近...
关键词：SIC 界面态密度 沟道电子迁移率 晶面选择 氧化层制备工艺 氧化后退火(POA) 
基于MIS电容器的Al_(2)O_(3)与In_(0.74)Al_(0.26)As的界面特性
《红外与毫米波学报》2022年第2期384-388,共5页万露红 邵秀梅 李雪 顾溢 马英杰 李淘 
Supported by National Natural Science Foundation of China(61704180,62175250)。
采用In_(0.74)Al_(0.26)As/In_(0.74)Ga_(0.26)As/In_(x)Al_(1-x)As异质结构多层半导体作为半导体层,制备了金属-绝缘体-半导体(MIS)电容器。其中,SiN_(x)和SiN_(x)/Al_(2)O_(3)分别作为MIS电容器的绝缘层。高分辨率透射电子显微镜和X...
关键词：INALAS 原子层沉积 Al_(2)O_(3) SiN_(x)金属-绝缘体-半导体电容器 界面态密度 
4H-SiC LDMOSFET沟道迁移率影响因素的研究
《电力电子技术》2022年第3期136-140,共5页高秀秀 邱乐山 戴小平 李诚瞻 
长株潭国家自主创新示范区专项(2018XK2202)。
为了研究4H-SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)沟道迁移率和界面态密度的影响因素,通过在N型4H-SiC(0001)外延片上制备不同沟道长度和宽度的横向扩散MOSFET(LDMOSFET),其干氧氧化的栅极氧化层在不同温度和时间的NO和/或N2气氛中...
关键词：金属氧化物半导体场效应晶体管 界面态密度 沟道迁移率 
锗片表面钝化探究进展
《电子工业专用设备》2021年第4期27-30,39,共5页杨静 韩焕鹏 张伟才 
从锗片实际应用中存在的表面均匀性差、表面质量不稳定问题出发,对影响锗片表面质量的因素进行了分析。研究结果表明,对锗片表面进行钝化后,能够改变锗抛光片表面的悬挂键状态、降低界面态密度,最终提高锗片的实际应用效果。并重点对氢...
关键词：锗片 钝化 表面质量 悬挂键 界面态密度 
SiC MOS器件界面钝化研究进展被引量：4
《微电子学》2021年第3期382-389,共8页朱浩 张静 李鹏飞 袁述 
中国科学院微电子研究所所长基金(Y9SR03X002);北京市自然科学基金面上项目(4182021)。
从氧化后退火处理、氮化处理、碳帽、钡夹层、淀积氧化物后退火处理五个方面介绍了碳化硅钝化工艺。通过改进钝化工艺可以有效降低界面态密度。针对这几种钝化工艺对SiC/SiO_(2)界面态密度的影响进行讨论,分析几种钝化工艺的优劣,并重...
关键词：碳化硅 钝化 界面态密度 
Ge/Si异质键合半/绝接触界面态对异质结光电输运特性的影响研究被引量：2
《光学学报》2020年第19期203-212,共10页何盛泉 柯海鹏 严莲 李杏莲 柯少颖 李东珂 
漳州市自然科学基金(ZZ2020J32);闽南师范大学校长基金(KJ19014);淮安市自然科学研究计划(HAB201909)。
Ge/Si异质键合技术作为一种新型的通用材料制备工艺,在制备高质量Si基Ge薄膜方面展现出巨大的潜力,是研制高性能Ge/Si光电器件的备选方案之一。现阶段主流的直接键合和等离子体键合方法在制备Ge/Si薄膜时都容易在Ge/Si键合界面处引入纳...
关键词：薄膜 Ge/Si异质键合 界面态密度 载流子隧穿 电场 
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