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INALAS: 作品数：46被引量：39H指数：3; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：张永刚王占国顾溢周伟曹远迎更多>>; 相关机构：中国科学院西安电子科技大学中国科学院大学重庆光电技术研究所更多>>; 相关期刊：《Chinese Physics B》《Chinese Physics Letters》《电子材料快报》《Science China Mathematics》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划山东省自然科学基金更多>>

基于MIS电容器的Al_(2)O_(3)与In_(0.74)Al_(0.26)As的界面特性: 《红外与毫米波学报》2022年第2期384-388,共5页万露红邵秀梅李雪顾溢马英杰李淘; Supported by National Natural Science Foundation of China(61704180,62175250)。; 采用In_(0.74)Al_(0.26)As/In_(0.74)Ga_(0.26)As/In_(x)Al_(1-x)As异质结构多层半导体作为半导体层,制备了金属-绝缘体-半导体(MIS)电容器。其中,SiN_(x)和SiN_(x)/Al_(2)O_(3)分别作为MIS电容器的绝缘层。高分辨率透射电子显微镜和X...; 关键词：INALAS 原子层沉积 Al_(2)O_(3) SiN_(x)金属-绝缘体-半导体电容器界面态密度

一种25 Gbit/s背入射高速InAlAs雪崩光电二极管被引量：1: 《半导体光电》2022年第1期122-125,共4页黄晓峰陈伟董绪丰敖天宏王立唐艳张圆圆罗鸣; 设计并制备了一种面向25 Gbit/s长距离传输用背面进光高速InAlAs雪崩光电二极管(APD),芯片采用垂直台面吸收-渐变-电荷-倍增层分离(SAGCM)结构,通过刻蚀工艺形成三层台面,将电场限制在最大台面倍增层的中心,有效降低了台面边缘击穿风险...; 关键词：25 Gbit/s 雪崩光电二极管 INALAS SAGCM 微透镜 100GBASE-ER4

电场对InAs/InAlAs圆形截面量子线中激子态的影响: 《通信技术》2021年第4期809-814,共6页李雪王海龙胡敏贾召赛曹鑫; 国家自然科学基金(No.61674096);山东自然科学基金(No.ZR2019PA010)。; 基于有效质量包络函数近似理论,采用变分法计算了InAs/In_(x)Al_(1-x)As圆形截面量子线中的基态激子结合能和发射能。计算过程主要考虑了量子线半径、材料组分和外加电场的影响。理论研究表明,随着量子线半径的减小,激子结合能先增大到...; 关键词：量子线电场激子变分法

Effect of annealing temperature on interfacial and electrical performance of Au-Pt-Ti/HfAlO/InAlAs metal-oxide-semiconductor capacitor: 《Chinese Physics B》2020年第9期423-428,共6页He Guan Cheng-Yu Jiang Shao-Xi Wang; HfAlO/InAlAs metal-oxide-semiconductor capacitor (MOS capacitor) is considered as the most popular candidate of the isolated gate of InAs/AlSb high electron mobility transistor (HEMT). In order to improve the performa...; 关键词：HfAlO/InAlAs MOS-capacitor annealing temperature interface leakage current

级联倍增InAlAs/InAlGaAs雪崩光电二极管暗电流成分分析: 《半导体光电》2020年第1期20-24,共5页张承黄晓峰迟殿鑫唐艳王立柴松刚崔大健莫才平高新江; 实验制备了级联倍增InAlAs/InAlGaAs雪崩光电二极管,对二极管暗电流随台面直径和温度的变化进行了研究分析。结合暗电流函数模型,利用Matlab软件对暗电流的各成分进行了数值计算,并仿真研究了芯片结构的缺陷浓度Nt和表面复合速率S对暗...; 关键词：InAlAs/InAlGaAs雪崩光电二极管暗电流表面漏电流缺陷辅助隧穿电流缺陷浓度

D波段InP基高增益低噪声放大芯片的设计与实现（英文）被引量：2: 《红外与毫米波学报》2019年第2期144-148,共5页刘军吕昕于伟华杨宋源侯彦飞; Supported by National Natural Science Foundation of China(61771057); 利用90nmInAlAs/InGaAs/InPHEMT工艺设计实现了两款D波段(110～170GHz)单片微波集成电路放大器.两款放大器均采用共源结构,布线选取微带线.基于器件A设计的三级放大器A在片测试结果表明:最大小信号增益为11.2dB@140GHz,3dB带宽为16GHz,...; 关键词：InAlAs/InGaAs/InP 赝高电子迁移率晶体管(PHEMTs) 90nm 单片微波集成电路(MMIC) 放大器 D波段

InAlAs/InGaAs/InP基PHEMTs小信号建模及低噪声应用（英文）被引量：1: 《红外与毫米波学报》2018年第6期683-687,共5页刘军于伟华杨宋源侯彦飞崔大胜吕昕; Supported by National Natural Science Foundation of China(61771057); 利用改进的小信号模型对采用100nmInAlAs/InGaAs/InP工艺设计实现的PHEMTs器件进行建模,并设计实现了一款W波段单片低噪声放大器进行信号模型的验证。为了进一步改善信号模型低频S参数拟合差的精度,该小信号模型考虑了栅源和栅漏二极管...; 关键词：InAlAs/InGaAs/InP 赝高电子迁移率晶体管(PHEMTs) 小信号模型毫米波和亚毫米波单片微波集成电路(MMIC) 低噪声放大器

InP衬底上InAlAs异变缓冲层和高铟组分InGaAs的生长温度优化（英文）被引量：1: 《红外与毫米波学报》2018年第6期699-703,710,共6页张见陈星佑顾溢龚谦黄卫国杜奔黄华马英杰张永刚; Supported by the National Key Research and Development Program of China(2016YFB0402400);National Natural Science Foundation of China(61775228,61675225,and 61605232);the Shanghai Rising-Star Program(17QA1404900); 利用气态源分子束外延技术在InP衬底上生长了包含InAlAs异变缓冲层的In0.83Ga0.17As外延层.使用不同生长温度方案生长的高铟InGaAs和InAlAs异变缓冲层的特性分别通过高分辨X射线衍射倒易空间图、原子力显微镜、光致发光和霍尔等测量手...; 关键词：分子束外延 INGAAS InAlAs异变缓冲层生长温度

Temperature dependence of the ionization coefficients of InAlAs and AlGaAs digital alloys被引量：1: 《Photonics Research》2018年第8期794-799,共6页YUAN YUAN JIYUAN ZHENG YAOHUA TAN YIWEI PENG ANN-KATHRYN ROCKWELL SETH R. BANK AVIK GHOSH JOE C. CAMPBELL; Defense Advanced Research Projects Agency(DARPA)(W911NF-10-1-0391);Army Research Office(ARO)(W911NF-10-1-0391); Digital alloy In_(0.52)Al_(0.48) As avalanche photodiodes exhibit lower excess noise than those fabricated from random alloys. This paper compares the temperature dependence, from 203 to 323 K, of the impact ionizatio...; 关键词：超额噪声通讯技术发展现状技术创新

InAlAs/InGaAs/InAlAs量子阱质子辐照损伤机理被引量：2: 《西安电子科技大学学报》2017年第4期151-155,161,共6页王海丽吉慧芳孙树祥丁芃金智魏志超钟英辉李玉晓; 国家自然科学基金资助项目(61404115,61434006,11475256); 对InP基高电子迁移率场效晶体管关键的InAlAs/InGaAs/InAlAs量子阱结构质子辐照损伤机理进行了研究.基于SRIM软件计算了50keV、75keV和200keV质子在量子阱中的投影射程和诱生空位缺陷信息.随着质子能量增加,质子注入深度逐渐增加并最终...; 关键词：高电子迁移率晶体管质子辐照空位缺陷非电离能量损失

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