丁芃

作品数：18被引量：60H指数：4
导出分析报告
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文主题：半导体器件INP基溶胶-凝胶法电路半导体更多>>
发文领域：电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>
发文期刊：《复合材料学报》《物理学报》《真空科学与技术学报》《太赫兹科学与电子信息学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金中国航空科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
InP基毫米波、太赫兹器件及电路被引量：1
《微波学报》2020年第S01期5-8,共4页金智 苏永波 周静涛 丁芃 丁武昌 杨枫 刘桐 
国家自然科学基金(61434006)
In P基材料具有载流子迁移率高、能带易于剪裁等优点,是毫米波、太赫兹电路的理想材料。利用In P基材料实现了HBT、HEMT、SBD器件及毫米波、太赫兹电路。HBT、HEMT的fmax分别达到600 GHz和1.0 THz,SBD的截止频率达到9.5 THz。基于In P ...
关键词：INP基 固态电子器件和电路 毫米波 太赫兹 
W波段InP DHBT宽带高功率压控振荡器（英文）被引量：2
《红外与毫米波学报》2019年第1期27-31,43,共6页王溪 姚鸿飞 苏永波 丁武昌 阿瑟夫 丁芃 童志航 金智 
Supported by a key program of the National Natural Science Foundation of China(61434006)
成功实现了一款具有高输出功率和宽频率调谐范围的基波压控振荡器.其制作工艺为0. 8μm InP DH-BT工艺,晶体管的最大fT和fmax分别为170和250 GHz.电路核心部分采用了为高频应用改进的平衡式考毕兹拓扑,在后面添加一级缓冲放大器来抑制...
关键词：压控振荡器 磷化铟双异质结晶体管 宽调谐范围 高输出功率 
InAlAs/InGaAs/InAlAs量子阱质子辐照损伤机理被引量：2
《西安电子科技大学学报》2017年第4期151-155,161,共6页王海丽 吉慧芳 孙树祥 丁芃 金智 魏志超 钟英辉 李玉晓 
国家自然科学基金资助项目(61404115,61434006,11475256)
对InP基高电子迁移率场效晶体管关键的InAlAs/InGaAs/InAlAs量子阱结构质子辐照损伤机理进行了研究.基于SRIM软件计算了50keV、75keV和200keV质子在量子阱中的投影射程和诱生空位缺陷信息.随着质子能量增加,质子注入深度逐渐增加并最终...
关键词：高电子迁移率晶体管 质子辐照 空位缺陷 非电离能量损失 
基于光敏BCB工艺的InP基器件性能的研究
《真空科学与技术学报》2016年第10期1119-1123,共5页赵华 王溪 丁芃 姚鸿飞 苏永波 金智 刘新宇 
采用光敏BCB介质工艺制作了In P基TRL校准件和无源器件,研究了这种毫米波片上集成技术。光敏BCB工艺包括三层金属和一层BCB介质。为了验证工艺可行性,采用电磁仿真器设计了TRL校准件和两种无源电路。使用TRL去嵌技术,得到两种无源电路在...
关键词：BCB介质工艺 TRL校准件 微带无源器件 毫米波 
一种简单高效的制备硅纳米孔阵结构的方法被引量：1
《物理学报》2013年第15期315-320,共6页戴隆贵 禤铭东 丁芃 贾海强 周均铭 陈弘 
国家自然科学基金(批准号:11204360;61210014);国家高技术研究发展计划(批准号:2011AA03A112;2011AA03A106)资助的课题~~
本文介绍了一种简单高效的制备硅纳米孔阵结构的方法.利用激光干涉光刻技术,结合干法和湿法刻蚀工艺,直接将光刻胶点阵刻蚀为硅纳米孔阵结构,省去了图形反转工艺中的金属蒸镀和光刻胶剥离等必要步骤,在2英寸的硅(001)衬底上制备了高度...
关键词：激光干涉光刻 纳米阵列 刻蚀 氟碳有机聚合物 
太赫兹固态电子器件和电路被引量：6
《空间电子技术》2013年第4期48-55,共8页金智 丁芃 苏永波 张毕禅 汪丽丹 周静涛 杨成樾 刘新宇 
国家重点基础研究发展计划(973计划)项目(编号:2010CB327502)
随着微电子技术的飞速发展,半导体器件的截止频率已经进入到太赫兹频段,太赫兹电路的频率特性特性得到极大发展。以固态器件为基础的电路的工作频率进入到太赫兹频段。太赫兹固态电子器件与电路技术在空间领域有着重要的应用前景。文章...
关键词：太赫兹 固态电子器件和电路 InP基三端电子器件 肖特基二极管 综述 
InP基三端太赫兹固态电子器件和电路发展被引量：4
《太赫兹科学与电子信息学报》2013年第1期43-49,共7页金智 苏永波 张毕禅 丁芃 汪丽丹 周静涛 杨成樾 刘新宇 
国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(No.2010CB327502)
随着微电子技术的飞速发展,半导体器件的截止频率已经进入到太赫兹频段,太赫兹电路的频率特性得到极大发展。以固态器件为基础的太赫兹电路的工作频率进入到THz频段。本文重点介绍InP基双极器件和场效应器件的发展以及在太赫兹电路和系...
关键词：太赫兹 InP基晶体管 固态电子器件 太赫兹单片集成电路 
Al和Sb共掺对ZnO有序阵列薄膜的结构和光学性能的影响被引量：1
《物理学报》2011年第11期688-694,共7页钟文武 刘发民 蔡鲁刚 丁芃 柳学全 李一 
国家高技术研究发展计划(批准号:2009AA03C116)资助的课题~~
采用水热合成法在预先生长的ZnO种子层的玻璃衬底上制备出Al和Sb共掺ZnO纳米棒有序阵列薄膜.通过X射线衍射、扫描电镜、透射电镜和选区电子衍射分析表明:所制备的薄膜由垂直于ZnO种子层的纳米棒组成,呈单晶六角纤锌矿ZnO结构,且沿[001]...
关键词：Al和Sb共掺ZnO薄膜 纳米棒有序阵列 结构表征 拉曼散射 
Nb/SnO_2复合薄膜的制备、结构及光电性能被引量：5
《物理学报》2011年第3期779-784,共6页曾乐贵 刘发民 钟文武 丁芃 蔡鲁刚 周传仓 
航天科学基金(批准号:373858)资助的课题~~
用溶胶-凝胶旋涂法在玻璃基底上制备出Nb/SnO2复合透明导电薄膜,利用XRD,SEM,紫外—可见分光光度计,四探针电阻仪等测试方法对Nb/SnO2复合薄膜的结构和物性进行了研究.结果表明:当Nb含量小于0.99at%时,Nb/SnO2复合薄膜为较纯的四方金红...
关键词：溶胶-凝胶法 Nb/SnO2复合薄膜 结构表征 光电性能 
Co离子注入TiO2薄膜的显微结构和磁性研究
《物理学报》2011年第3期515-522,共8页丁芃 刘发民 杨新安 李建奇 
北京航空航天大学博士研究生创新基金(批准号:292122)资助的课题~~
利用直流磁控溅射技术在玻璃衬底上沉积了TiO2薄膜,并对其进行了Co离子注入,最后在真空中500℃退火50min,得到系列薄膜样品.利用剥离-分散方法制备了薄膜的透射电镜样品,并用扫描电镜(SEM)、X射线能量散射谱(EDX)和高分辨透射电镜(HRTEM...
关键词：Co注入TiO2薄膜 电镜原位观察 室温铁磁性 
全选清除导出
共2页<12>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部