云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- INP基

INP基: 作品数：124被引量：170H指数：6; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：张永刚顾溢钟英辉王占国陈星佑更多>>; 相关机构：中国科学院中国科学院大学北京邮电大学扬州乾照光电有限公司更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>

环境友好型量子点LED电子注入和泄漏调控策略:刷新绿光InP基QD-LED性能纪录: 《科学通报》2025年第4期463-465,共3页卞阳阳严笑寒陈斐唐爱伟樊逢佳申怀彬; 发光二极管(light emitting diode,LED)显示照明是我国的支柱半导体产业,加快新兴显示照明LED研究,对于增强我国的产业竞争有着重要的意义.基于荧光量子点的电致发光器件(quantum dot based light-emitting diode,QD-LED),相对于以往LE...; 关键词：发光二极管电致发光器件电子注入色纯度超高清三基色 LED 技术制高点

HEMT器件结构和工作原理研究: 《山西电子技术》2024年第6期94-97,共4页雷霖; 高电子迁移率晶体管(HEMT,High Electron Mobility Transistor)以其优良的低噪声特性、高速电子迁移率、高增益和大功率等特性成为竞争力最强和发展潜力最大的半导体器件之一,它广泛应用于通讯芯片、航天探测、国防航空、遥感卫星等民...; 关键词：HEMT器件 GaAs基 INP基 GaN基

基于InP基HEMT器件的D波段倍频源设计: 《太赫兹科学与电子信息学报》2024年第12期1332-1338,1363,共8页宋树田刘军; 传统太赫兹倍频源多采用混合集成电路的实现方式,导致太赫兹倍频源存在体积大、封装损耗高、稳定性差等问题。采用栅长2×25μm的磷化铟(InP)基高电子迁移率晶体管(HEMT)有源器件,利用先进系统设计(ADS)原理仿真和电磁仿真(EM)联合仿真...; 关键词：D波段(110~170 GHz) 磷化铟高电子迁移率晶体管(InP HEMT) 倍频源单片集成太赫兹源

3175 PPI AlGaInP基红光Micro-LED及其CMOS驱动背板的凸点制备与键合: 《科学通报》2024年第32期4773-4782,共10页郭成龙王学燕周毅坚朱学奇鄢支兵杨天溪李晋李洋孙捷严群; 国家重点研发计划(2023YFB3608703,2023YFB3608700);中国福建光电信息科学与技术创新实验室项目(2021ZZ122,2020ZZ110);福建省科技厅项目(2021HZ0114);国家自然科学基金(12474066)资助。; 为了进一步推动微发光二极管(micro light emitting diode, Micro-LED)显示技术的发展进程,本文提出并优化了一种将红光Micro-LED芯片转移至互补金属氧化物(complementary metal oxide semiconductor, CMOS)驱动背板上并与之键合的方案...; 关键词：微发光二极管互补金属氧化物凸点刻蚀键合

1.74μm大应变InGaAs/InGaAsP半导体锁模激光器: 《红外与激光工程》2024年第6期90-97,共8页段阳林中晞苏辉; 国家重点研发计划项目(2023YFB2804803);中国科学院海西研究院自主部署项目(CXZX-2022-GH09);闽都创新实验室自主部署项目(2021ZR114)。; 针对光频梳、医学光声成像及痕量气体探测等应用需要,研制了一种InP基碰撞锁模半导体激光器,可在1.74μm波段实现重复频率为19.3GHz的高效锁模,其射频(RF)谱半高全宽(FWHM)约14kHz。在可饱和吸收区未加偏压时,激光器的阈值电流为83mA,...; 关键词：半导体激光器碰撞锁模 InP基材料 InGaAs/InGaAsP多量子阱

CMP工艺参数对AlGaInP基LED衬底转移的影响: 《激光杂志》2024年第3期224-229,共6页王嘉伟许英朝杨凯鹿晨东范浩爽陆逸; 福建省自然科学基金面上项目(No.2019J01876);厦门市科技计划重大项目(No.3502ZCQ20191002)。; 以GaP/Al2O3/SiO2引导式出光结构作为芯片键合层,通过化学机械抛光工艺减少AlGaInP基Mini-LED衬底转移过程中出现的外延层空洞,提高芯片制备工艺良率。以材料去除速率和表面粗糙度作为技术评价指标,基于单因素实验结果对抛光压力、抛光...; 关键词：化学机械抛光工艺 ALGAINP 正交试验表面粗糙度良率

InP基连续面型方形微透镜设计与制作技术研究: 《半导体光电》2023年第6期883-888,共6页柳聪张为国刘锋崔大健张承黄晓峰高明友刘奎宇朱长林陈益民; 建立了非球面连续面型方形口径微透镜性能仿真模型,利用ZEMAX软件对10°视场、50μm周期、填充因子接近100%的磷化铟微透镜面型参数进行了优化设计。开发了衍射调制动态曝光与感应耦合等离子体刻蚀系统误差补偿方法制作出的磷化铟微透镜...; 关键词：方形微透镜衍射调制动态曝光填充因子粗糙度面型误差

InP基共振隧穿二极管太赫兹振荡器的设计与实现被引量：3: 《红外与毫米波学报》2022年第2期443-447,共5页刘军宋瑞良刘宁梁士雄; Supported by National Key R&D Program of China(2018YFE0202500);National Key Research and Development Program of China(2017YFC08219);Manned Space Advanced Research Project(060401);Advanced Research Project of Civil Aerospace Technology(B0105)。; 利用InP基共振隧穿二极管(RTD)和加载硅透镜的片上天线设计实现了超过1 THz的振荡器。采用Silvaco软件对RTD模型进行仿真研究,分析了不同发射区掺杂浓度、势垒层厚度、隔离层厚度以及势阱层厚度等对器件直流特性的影响规律。对研制的RT...; 关键词：太赫兹共振隧穿二极管振荡器

InP基电吸收调制激光器的应用与研究进展: 《光源与照明》2022年第2期71-73,共3页顾宏涛张宇院智涛蔡成杰; 江苏师范大学大学生创新创业训练计划项目(XSJCX12074)。; 电吸收调制激光器具有响应速度快、功耗低等特点,在通信领域应用广泛。随着InP材料性能的提高,电吸收调制激光器也不断被优化。文章主要介绍InP材料与电吸收调制激光器的应用与研究进展,包括激光器的制备原理及关键工艺流程,以及InP材...; 关键词：INP 电吸收调制激光器量子阱激光器

InP基长波长超辐射发光二极管的设计和制备: 《无线互联科技》2021年第22期17-18,共2页薛正群; 文章通过设计和优化外延和芯片结构实现InP高功率掩埋结构超辐射发光二极管芯片,测试结果显示:500 mA下芯片室温出光功率达到80 mW,增益谱宽超过40 nm,覆盖范围超过1 600 nm,芯片水平和垂直发散角分别为16°和18°,芯片可用于宽带及窄...; 关键词：INP 长波长超辐射发光二极管高功率宽谱宽

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