超辐射发光二极管

作品数：131被引量：218H指数：8
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光纤电流互感器超辐射发光二极管光源衰减故障分析
《电气技术》2024年第12期21-27,共7页耿祥瑞 刘舒杨 柴斌 陈昱卓 黄俊昌 
国网宁夏电力有限公司科技项目(5229CG230009)。
超辐射发光二极管(SLD)光源在光纤电流互感器(FOCT)运行过程中大多有光功率衰减现象,这对FOCT的使用寿命有较大影响。为分析SLD光源性能衰减故障,对5组试品开展性能试验,通过试验分析SLD光源耦合结构,测试SLD光源中管芯与尾纤的耦合性能...
关键词：光纤电流互感器(FOCT) 超辐射发光二极管(SLD)光源 耦合结构 光源衰减 
1.5μm高功率超辐射发光二极管的制备和性能
《发光学报》2024年第4期644-650,共7页薛正群 王凌华 陈玉萍 
福建省科技计划(2021H4016);泉州市科技计划(2021G13);福建省雏鹰计划青年拔尖人才项目(2022173)。
超辐射发光二极管作为光纤陀螺的核心元件,其性能直接影响光纤陀螺的精度;其中超辐射发光二极管出光功率越高,光纤陀螺接收信号信噪比越好。InP/AlGaInAs增益材料具有电子限制效率高的优点,然而由于Al元素容易氧化,面临一定的应用可靠...
关键词：超辐射发光二极管 InP/InGaAsP 电子阻挡结构 材料生长速率 
1μm波段高功率超辐射发光二极管
《发光学报》2023年第12期2231-2241,共11页伏丁阳 高欣 赵仁泽 张悦 苏鹏 薄报学 
国家自然科学基金(61774024);吉林省科技发展计划(20190302007GX,20200501008GS)。
为提高1μm波段超辐射发光二极管的输出特性,对外延结构及J型波导结构参数进行研究,基于研究结果确定外延结构及波导结构参数并对电极窗口制备工艺及单层氧化铪薄膜成膜条件进行了优化。研究表明,缩小波导与限制层AlGaAs材料中Al组分差...
关键词：超辐射发光二极管 弯曲波导 曲率半径 损耗系数 输出特性 
红外波段超辐射发光二极管研究进展被引量：2
《发光学报》2023年第9期1621-1635,共15页杨静航 晏长岭 刘云 李奕霏 冯源 郝永芹 李辉 逄超 
吉林省科技厅项目(20220101122JC);长春理工大学项目(6270111102)。
超辐射发光二极管(SLD)具有高功率、宽光谱和低相干性等光学特性,在光纤通信、工业国防、生物影像和痕量气体检测等领域具有极高的应用价值。本文聚焦于SLD的输出功率与光谱宽度特性,综合评述了量子阱、量子点近红外SLD与量子级联中红外...
关键词：超辐射发光二极管 量子阱 量子点 量子级联 光学相干层析成像 
低纹波超辐射发光二极管的增透膜研制被引量：1
《中国激光》2023年第13期26-35,共10页游道明 谭满清 郭小峰 郭文涛 曹营春 陈文彬 
国家电网公司科技项目(5700-202058482A-0-0-00)。
纹波系数是超辐射发光二极管(SLD)的关键指标,增透薄膜被用于降低纹波系数。基于平面波方法的增透膜设计得到广泛应用,然而倾斜腔面SLD中增透膜的性能普遍不佳,使用时域有限差分方法进行分析,发现存在反射曲线偏离和反射率高等问题。优...
关键词：薄膜 超辐射发光二极管 增透膜 倾斜腔面 优化设计 纹波系数 
970 nm超辐射发光二极管弯曲脊形波导数值分析被引量：1
《光电子．激光》2023年第6期628-635,共8页刘帅男 王芝浩 王警辉 张悦 薄报学 高欣 
国家自然科学基金(61774024);吉林省科技发展计划(20190302007GX,20200501008GS)资助项目
本文基于光束传播法(beam propagation method,BPM)和时域有限差分法(finite difference time domain method,FDTD)建立了分析模型,模拟并分析了弯曲脊形波导超辐射发光二极管(superluminescent light emitting diode,SLD)不同结构参数...
关键词：超辐射发光二极管(SLD) 弯曲脊形波导损耗 倾斜脊形波导模式反射率 光束传播法(BPM) 时域有限差分法(FDTD) 
大功率低偏振度超辐射发光二极管的研制被引量：2
《激光与红外》2022年第2期217-222,共6页李吴皓 王定理 李中坤 单静春 黄晓东 汤宝 
超辐射发光二极管(SLED)是一种非相干性光源,具有激光器功率大,耦合效能高的优点,同时也有着频谱宽、相干长度短等特点,可以应于光学相干层析技术和波分复用技术等领域。未来的发展方向是更大的功率,更大的带宽以及更低的消光比。本论...
关键词：超辐射发光二极管 掩埋异质结 大功率 低偏振消光比 宽光谱 
InP基长波长超辐射发光二极管的设计和制备
《无线互联科技》2021年第22期17-18,共2页薛正群 
文章通过设计和优化外延和芯片结构实现InP高功率掩埋结构超辐射发光二极管芯片,测试结果显示:500 mA下芯片室温出光功率达到80 mW,增益谱宽超过40 nm,覆盖范围超过1 600 nm,芯片水平和垂直发散角分别为16°和18°,芯片可用于宽带及窄...
关键词：INP 长波长 超辐射发光二极管 高功率 宽谱宽 
1310nm大功率高偏振度量子阱超辐射发光二极管被引量：2
《半导体光电》2021年第4期483-487,共5页周帅 许瑨 田坤 张靖 庞福滨 刘尚军 任涛 廖柯 
国家电网有限公司科技项目(5700-202018483A-0-0-00)。
设计并制备了一种斜条脊波导结构压应变高偏振度多量子阱超辐射发光二极管。设计的脊波导出光面TiO_(2)/SiO_(2)四层宽带增透膜的TE模式反射率约为10-6,分析了脊波导角度偏差和膜层厚度偏差对增透膜反射率的影响。实验结果表明,在250mA...
关键词：压应变多量子阱 超辐射发光二极管 增透膜 偏振度 
1310 nm高功率超辐射发光二极管的制备及性能研究被引量：6
《光子学报》2021年第6期179-187,共9页王拓 陈红梅 贾慧民 姚中辉 房丹 蒋成 张子旸 李科学 唐吉龙 魏志鹏 
国家自然科学基金(Nos.61674021,11674038,11804335,61875222);吉林省科技发展计划(No.20200301052RQ)。
为优化1310 nm超辐射发光二极管输出性能,提高器件输出功率,针对J型波导结构的1310 nm超辐射发光二极管的波导结构参数及器件散热能力进行研究。结果表明波导刻蚀深度、弯曲角度和绝缘层厚度是影响器件实现高功率输出的重要因素。基于...
关键词：超辐射发光二极管 J型波导 波导损耗 模拟分析 输出性能 
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