廖柯

作品数：17被引量：37H指数：3
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供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
发文主题：激光器超辐射发光二极管大功率半导体激光器输出功率更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《光学与光电技术》《激光与光电子学进展》《中国材料科技与设备》《江西通信科技》更多>>
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1310nm大功率高偏振度量子阱超辐射发光二极管被引量：2
《半导体光电》2021年第4期483-487,共5页周帅 许瑨 田坤 张靖 庞福滨 刘尚军 任涛 廖柯 
国家电网有限公司科技项目(5700-202018483A-0-0-00)。
设计并制备了一种斜条脊波导结构压应变高偏振度多量子阱超辐射发光二极管。设计的脊波导出光面TiO_(2)/SiO_(2)四层宽带增透膜的TE模式反射率约为10-6,分析了脊波导角度偏差和膜层厚度偏差对增透膜反射率的影响。实验结果表明,在250mA...
关键词：压应变多量子阱 超辐射发光二极管 增透膜 偏振度 
一种用于光时域反射仪的1550nm半导体激光器被引量：2
《半导体光电》2020年第2期159-163,共5页廖柯 王昊璇 熊文涛 陈健 周勇 田坤 
光时域反射仪(OTDR)是通信链路中光纤特性测试的专用仪器,半导体激光器是OTDR的关键元器件,激光器的性能直接影响OTDR的测试距离、测试精度等。为适应OTDR的应用需求,提出并研制了一种非对称分别限制(SCH)激光器,SCH结构可有效提高激光...
关键词：半导体激光器 光时域反射仪 工作波长 输出功率 光谱宽度 
大功率单隧道结半导体激光器的研制被引量：3
《半导体光电》2018年第3期345-349,共5页陈健 廖柯 熊煜 周勇 刘尚军 
针对大功率隧道结半导体激光器因光学灾变损伤(COD)而导致输出光功率无法进一步提高的问题,通过优化器件材料结构,提高了其COD阈值。采用标准的半导体激光器制作工艺,制作了发光区条宽为200μm、腔长为900μm的单隧道结半导体激光器。...
关键词：大功率 单隧道结激光器 光学灾变损伤 材料结构 
异质集成微波光子器件发展现状被引量：3
《半导体光电》2018年第3期305-311,共7页王振 廖柯 瞿鹏飞 
微波光子学利用光子技术实现微波信号的产生、传输、处理及控制,可突破传统微波技术在带宽、传输损耗和抗电磁干扰等方面的瓶颈,提升雷达、电子战等信息系统的综合性能。激光器、电光调制器和光电探测器是微波光子技术中的三种核心光电...
关键词：微波光子学 异质集成 激光器 电光调制器 光电探测器 波导 
基于内置光栅的大功率激光二极管被引量：1
《半导体光电》2015年第6期869-874,879,共7页廖柯 刘刚明 周勇 段利华 冯琛 田坤 
研制了一种用作光纤激光器泵浦光源内置光栅的976nm激光二极管,分析了外延结构和芯片平面结构设计,并着重对内置光栅进行了理论分析和设计,通过技术研究和工艺优化,研制出了满足系统工程应用的激光二极管,其主要光电性能参数如下:中心...
关键词：内置光栅 大功率 激光二极管 中心波长 光谱半宽 温度漂移系数 
一种大功率低偏振度量子阱超辐射发光二极管被引量：5
《半导体光电》2013年第6期949-953,共5页刘科 宋爱民 田坤 廖柯 
设计了一种张应变与压应变相结合的混合应变量子阱结构超辐射发光二极管,研究了TE模和TM模在器件中的模式增益,分析了影响增益偏振性的因素,在此基础上通过改变有源层量子阱的应变类型、应变量以及层数来达到高增益和偏振不敏感性。最...
关键词：超辐射发光二极管 混合应变量子阱 低偏振度 
1064nm应变量子阱的理论设计被引量：1
《江西通信科技》2009年第3期45-48,共4页赵段力 廖柯 吕坤颐 
根据应变理论及有限深量子阱理论,对确定的In含量的InGaAs材料进行系统的计算,得到激射波长为1064nm激光器的应变量子阱的厚度,并采用金属有机化学气相淀积(MOCVD)方法生长该应变量子阱,实验结果与设计波长基本一致。
关键词：INGAAS/GAAS量子阱 量子尺寸效应 应变效应 
ICP刻蚀技术在808nm激光器中的应用被引量：1
《中国材料科技与设备》2007年第5期101-103,共3页廖柯 王致远 
主要分析了不同工艺参数对于刻蚀图形的影响，包括刻蚀侧壁角度，刻蚀表面平整度，选择比，侧向钻蚀等几个方面，及ICP刻蚀对激光器性能的影响，通过对翔蚀图形的控制，使2寸片内均匀性〈±5％，侧壁角达到79°～81°。
关键词：ICP 选择比 侧向钻蚀 刻蚀损伤 
大功率半导体激光器最新研究进展被引量：8
《半导体光电》2007年第2期151-155,共5页张靖 刘刚明 田坤 廖柯 
大功率半导体激光器在军事领域和工业领域有着广泛的应用。综述了大功率半导体激光器最新研究进展,着重于在提高可靠性、提高功率转换效率、波长稳定、拓展波长范围等方面所取得的进步,并对目前大功率半导体激光器在材料加工领域中的直...
关键词：大功率半导体激光器 功率转换效率 波长稳定 扩展波长范围 
808nm激光器端面镀膜技术被引量：2
《半导体光电》2006年第2期167-169,共3页唐婷婷 王锐 刘刚明 廖柯 
通过对AlGaAs/GaAs 808 nm半导体激光器谐振腔的前后端面分别蒸镀Ta2O5/SiO2膜系高反膜和Al2O3单层增透膜,使得前后端面的反射率分别达到11%和98.42%。器件在同一驱动电流下镀膜后的输出功率比镀膜前增加了一倍多,同时镀膜还有效地保护...
关键词：高反膜 增透膜 反射率 输出功率 
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