1064nm应变量子阱的理论设计  

作　　者：赵段力[1] 廖柯[1] 吕坤颐[1] 

机构地区：[1]重庆邮电大学光电工程学院,重庆400065

出　　处：《江西通信科技》2009年第3期45-48,共4页

摘　　要：根据应变理论及有限深量子阱理论,对确定的In含量的InGaAs材料进行系统的计算,得到激射波长为1064nm激光器的应变量子阱的厚度,并采用金属有机化学气相淀积(MOCVD)方法生长该应变量子阱,实验结果与设计波长基本一致。

关 键 词：INGAAS/GAAS量子阱 量子尺寸效应 应变效应 

分 类 号：TN248[电子电信—物理电子学]