吕坤颐

作品数：2被引量：1H指数：1
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供职机构：重庆邮电大学光电工程学院更多>>
发文主题：INGAAS/GAAS量子阱量子尺寸效应应变量子阱硅集成电路更多>>
发文领域：电子电信更多>>
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铁氧体-硅双层基片微带线的谱域导抗法分析
《电子质量》2013年第3期5-8,共4页郑雨薇 吕坤颐 
该文提出两种铁氧体-硅双层基片的微带线结构,并通过对麦克斯韦方程的坐标旋转和傅里叶变换导出波导纳,用谱域导抗法进行特性分析。尤其是对微带线的色散特性进行了计算,讨论了微带线各种参数对色散特性的影响,并对它们的特性进行了对比...
关键词：微带 铁氧体 谱域导抗法 色散 
1064nm应变量子阱的理论设计被引量：1
《江西通信科技》2009年第3期45-48,共4页赵段力 廖柯 吕坤颐 
根据应变理论及有限深量子阱理论,对确定的In含量的InGaAs材料进行系统的计算,得到激射波长为1064nm激光器的应变量子阱的厚度,并采用金属有机化学气相淀积(MOCVD)方法生长该应变量子阱,实验结果与设计波长基本一致。
关键词：INGAAS/GAAS量子阱 量子尺寸效应 应变效应 
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