INGAAS/GAAS量子阱

作品数：13被引量：27H指数：4
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MOCVD生长1.06μm波段InGaAs/GaAs单量子阱材料的发光特性研究被引量：4
《中国激光》2014年第11期173-177,共5页刘洋 李林 乔忠良 苑汇帛 谷雷 戴银 李特 曲轶 
国家自然科学基金(60976038;61107054;61308051);国家自然科学基金委员会和中国工程物理研究院联合基金(U1330136);吉林省科技发展计划(20100419;20140101192);高功率半导体激光国家重点实验室基金(C1301)
利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在不同偏向角的GaAs衬底上生长了InGaAs/GaAs单量子阱外延结构。通过对样品室温光致发光(PL)谱测试结果的分析,讨论了衬底偏向角、量子阱层生长温度以及V/III比对外延片发光波长、发光强度及PL谱...
关键词：材料 金属有机化学气相沉积 INGAAS/GAAS量子阱 偏向角 发光强度 半峰全宽 
InGaAs/GaAs应变量子阱激光器MOCVD生长研究被引量：8
《光电子．激光》2010年第2期163-165,共3页刘安平 段利华 周勇 
重庆市科委自然科学基金资助项目(2007BB2120)
采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法生长了InGaAs/GaAs应变量子阱(QW),通过降低生长温度、提高生长速度以及采用应变缓冲层(SBL)结构,改善了应变QW生长表面质量和器件荧光(PL)谱特性,实验表明,通过优化工艺条件和采用SBL等手段提高...
关键词：金属有机物化学气相淀积(MOCVD) InGaAs/GaAs量子阱(QW) 应变缓冲层(SBL) 
1064nm应变量子阱的理论设计被引量：1
《江西通信科技》2009年第3期45-48,共4页赵段力 廖柯 吕坤颐 
根据应变理论及有限深量子阱理论,对确定的In含量的InGaAs材料进行系统的计算,得到激射波长为1064nm激光器的应变量子阱的厚度,并采用金属有机化学气相淀积(MOCVD)方法生长该应变量子阱,实验结果与设计波长基本一致。
关键词：INGAAS/GAAS量子阱 量子尺寸效应 应变效应 
生长温度和结构参数对InGaAs／GaAs量子阱光学特性的影响被引量：6
《发光学报》2008年第2期325-329,共5页贾国治 姚江宏 舒永春 邢晓东 皮彪 
国家自然科学基金(60476042);国家重点基础研究发展计划(2006CB921703);天津市应用基础研究计划重点项目(06YFJZJC01100);天津城市建设学院人才启动经费资助项目
研究了不同生长温度下制备的In0.15Ga0.85As/GaAs应变量子阱的PL谱,结果表明,生长温度越高,In偏析和In-Ga互混越严重,同时,导致更多的In脱附,PL谱发光峰蓝移。对不同In含量的和不同InGaAs厚度的InGaAs/GaAs量子阱进行PL谱测试,分析表明I...
关键词：应变量子阱 偏析 脱附 光致发光谱 
InGaAs/GaAs量子阱中自组装InAs量子点的光学性质被引量：1
《半导体光电》2007年第2期198-201,共4页孔令民 姚建明 吴正云 
浙江省舟山市科技项目(06110);浙江海洋学院人才引进项目(211050041)
在InGaAs/GaAs量子阱中生长了两组InAs量子点样品,用扫描电子显微镜(SEM)测量发现,量子点呈棱状结构,而不是通常的金字塔结构,这是由多层结构的应力传递及InGaAs应变层的各向异性引起的。采用变温光致发光谱(TDPL)和时间分辨谱(TRPL)研...
关键词：自组装InAs量子点 量子阱 时间分辨谱 
快速热退火对高应变InGaAs/GaAs量子阱的影响被引量：2
《Journal of Semiconductors》2005年第9期1749-1752,共4页苗振华 徐应强 张石勇 吴东海 赵欢 牛智川 
国家自然科学基金资助项目(批准号:90201026)~~
用固态分子束外延技术生长了高应变In0.45Ga0.55As/GaAs量子阱材料.研究了快速热退火对高应变InGaAs/GaAs量子阱材料光学性质的影响.本文采用假设InGaAs/GaAs量子阱中的InGa原子扩散为误差函数扩散并解任意形状量子阱的薛定谔方程的方法...
关键词：分子束外延 高应变In0.45Ga0.55As/GaAs量子阱 快速热退火 室温光致发光 
应变InGaAs/GaAs量子阱MOCVD生长优化及其在980nm半导体激光器中的应用被引量：7
《量子电子学报》2005年第1期81-84,共4页俞波 盖红星 韩军 邓军 邢艳辉 李建军 廉鹏 邹德恕 沈光地 
国家973基金资助项目(G20000683-02)国家863计划资助项目(2002AA312070)北京市自然科学基金(4032007)
使用低压MOCVD生长应变InGaAs/GaAs 980 nm量子阱。研究了生长温度、生长速度对量子阱光致发光谱(PL)的影响。并将优化后的量子阱生长条件应用于980 nm半导体激光器的研制中,获得了直流工作下,阈值电流为19 mA,未镀膜斜率效率为0.6 W/A...
关键词：光电子学 半导体激光器 应变量子阱 金属有机化学气相淀积 
大应变In_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs量子阱激光器的生长和研究被引量：1
《量子电子学报》2003年第6期707-710,共4页潘教青 黄柏标 张晓阳 任忠祥 秦晓燕 朱宝富 李先林 
金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长应变InGaAs/GaAs量子阱,应变缓冲层结合生长中断改善量子阱的PL谱特性.用该量子阱制备的激光器有很低的阈值电流密度(43 A/cm^2)和较高的斜率效率(0.34W/A,per facet)。
关键词：金属有机物化学气相沉积 生长中断 应变缓冲层 应变量子阱激光器 INGAAS/GAAS量子阱 
倒装焊组装的光电混合集成RCE探测器面阵被引量：2
《光电子．激光》2003年第9期893-896,共4页裴为华 陈弘达 邓晖 毛陆虹 杜云 唐君 梁琨 吴荣汉 王启明 
国家自然科学重大资助项目(969896260);国家自然科学基金重点资助项目(69789802);国家"863"高技术资助项目(2001AA312080;2002AA312240;2001AA122032)
报道了一种可用于并行光传输系统的64×64光探测器面阵。器件结构采用谐振腔增强型(RCE),吸收区由3层InGaAs/GaAs量子阱构成,谐振腔是由2组多层布拉格结构的反射镜组成,工作波长位于980nm。该器件利用倒装焊技术,将GaAs基的谐振腔增强...
关键词：倒装焊 光探测器面阵 谐振腔增强型 INGAAS/GAAS量子阱 
MOCVD生长1.06μm InGaAs/GaAs量子阱LDs被引量：4
《光电子．激光》2003年第6期590-593,共4页潘教青 黄柏标 张晓阳 岳金顺 秦晓燕 于永芹 尉吉勇 
用低压MOCVD生长应变InGaAs/GaAs量子阱,采用中断生长、应变缓冲层(SBL)、改变生长速度和调节Ⅴ/Ⅲ等方法改善InGaAs/GaAs量子阱的光致发光(PL)质量。PL结果表明,10s生长中断结合适当的SBL生长的量子阱PL谱较好。该量子阱应用于1.06μm...
关键词：MOCVD INGAAS/GAAS量子阱 LDs 半导体激光器 应变量子阱 中断生长 应变缓冲层 
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