MOCVD生长1.06μm波段InGaAs/GaAs单量子阱材料的发光特性研究  

Optical Characteristics of 1.06μm InGaAs/GaAs Quantum Well Grown by MOCVD

作　　者：刘洋[1] 李林[1] 乔忠良[1] 苑汇帛 谷雷[1] 戴银[1] 李特[1] 曲轶[1] 

机构地区：[1]长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,吉林长春130022

出　　处：《中国激光》2014年第11期173-177,共5页Chinese Journal of Lasers

基　　金：国家自然科学基金(60976038;61107054;61308051);国家自然科学基金委员会和中国工程物理研究院联合基金(U1330136);吉林省科技发展计划(20100419;20140101192);高功率半导体激光国家重点实验室基金(C1301)

摘　　要：利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在不同偏向角的GaAs衬底上生长了InGaAs/GaAs单量子阱外延结构。通过对样品室温光致发光(PL)谱测试结果的分析,讨论了衬底偏向角、量子阱层生长温度以及V/III比对外延片发光波长、发光强度及PL谱半峰全宽(FWHM)的影响。发现在相同生长条件下,对于InGaAs/GaAs应变量子阱结构,在GaAs(100)偏<111>A晶向较小偏向角的衬底上生长的样品PL谱发光强度较大,半峰全宽较窄;量子阱层低温生长的样品发光强度更强;增大量子阱层V/III比可以提高样品的发光强度,同时PL谱峰值波长出现红移。InGaAs/GaAs single quantum well is grown on different misoriented substrates by the metal-organic chemical vapor deposition（MOCVD）technology.The samples are characterized by photoluminescence（PL）spectroscopy at room temperature.The effect of offset substrates,growth temperature and V/III ratio of quantum well layer on PL wavelength,intensity and full width at half-maximum（FWHM）has been studied.The samples with smaller offset from GaAs substrates（100）towards111show the higher PL intensity with narrower FWHM.The PL intensity increases with lower growth temperature of quantum well.The samples with high V/III ratio show high PL intensity while the PL wavelength exhibits red shift.

关 键 词：材料 金属有机化学气相沉积 INGAAS/GAAS量子阱 偏向角 发光强度 半峰全宽 

分 类 号：O472.3[理学—半导体物理]