理学—半导体物理

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VA族元素修饰对二维AlN电磁性质调控的理论研究
《原子与分子物理学报》2025年第6期159-166,共8页莫秋燕 陈广萍 张颂 荆涛 吴家隐 
凯里学院校级规划课题(2022ZD05);黔东南州科技计划([2022]08);广东省普通高校重点科研平台和科研项目(2023ZDZX1069)。
采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了VA族元素(N、P、As、Sb、Bi)对二维AlN电磁性质的影响.研究发现,VA族元素修饰后,二维AlN的能带结构发生显著劈裂,表明体系转变为磁性材料.同时,导带底部向低能量区域移动,使得二维AlN...
关键词：二维AlN 第一性原理 修饰 电子结构 
InSe单层中点缺陷的第一性原理研究
《原子与分子物理学报》2025年第6期167-173,共7页何诗颖 谢瑞恬 刘娟 邹代峰 赵宇清 许英 廖雨洁 
国家自然科学基金(12204166);湖南省教育厅青年基金(20B219);湖南省自然科学基金(2022JJ30237);湖南科技大学科研启动基金(E51996,纵20240008)。
InSe是Ⅲ-Ⅵ族化合物中的主要成员,由于其具有优异的电学性能,在太阳能电池、固体电池组等领域受到广泛的关注.光电材料及器件的优良特性由电子结构决定,而Ⅲ-Ⅵ族化合物中的点缺陷对电子结构具有重要的调控,且单层InSe中点缺陷的Perdew...
关键词：单层InSe 稳定性 形成能 点缺陷 
Cs阳离子掺杂对CH_(3)NH_(3)PbI_(3)钙钛矿电子性质的影响研究
《原子与分子物理学报》2025年第6期174-182,共9页张平丽 
吉林省科技发展计划项目(YDZJ202201ZYTS319);吉林省教育厅科学技术项目(JJKH20230491KJ)。
有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池被报道具有极高的功率转换效率,是下一代太阳能电池材料有希望的候选者,但其化学性质极不稳定,在高温高湿条件下易分解.本研究采用无机Cs阳离子取代CH_(3)NH_(3)PbI_(3)结构中的CH_(3)NH_(3)有机阳离子,...
关键词：钙钛矿 Cs阳离子掺杂 能带结构 态密度 
单原子Pt负载在锐钛矿(001)表面的电光学特性研究
《原子与分子物理学报》2025年第6期43-50,共8页靳帆 赵志超 
山西省基础研究计划项目(20210302124345);山西省高校科技创新项目(2020L0556);运城学院博士启动项目(YQ-2019023);山西省优秀博士来晋项目(QZX-2020004)。
基于第一性原理的多体格林函数理论方法,系统探究了锐钛矿TiO_(2)(001)表面负载Pt单原子催化剂的电子结构和光学性质,考虑Pt在完美表面和缺陷表面(O空位)两种基底上的负载.结果发现,Pt会在TiO_(2)禁带中间、价带和导带边缘引入新能级,...
关键词：二氧化钛 Pt单原子催化剂 多体格林函数理论 电子结构 光吸收 
甲烷在ZnO表面反应制合成气的微观机理研究
《原子与分子物理学报》2025年第6期1-9,共9页黄琼谊 楼波 丁佳欣 王水安 
广东省自然科学基金(2021B7575020071)。
利用密度泛函(DFT)和过渡态理论对甲烷分子在ZnO表面的微观反应过程进行第一性原理研究,通过建立ZnO表面的吸附模型,计算了吸附能、过渡态参数和态密度,探讨了甲烷分子在氧化锌晶体表面H解离以及H_(2)和CO的生成过程,结果表明:CH_(4)在Z...
关键词：化学链重整 甲烷 反应机理 密度泛函理论 过渡态 
二维γ-GeSe基异质结的电子特性研究
《原子与分子物理学报》2025年第5期175-181,共7页乔方卿銮 乔帅 张腊梅 商继敏 冯世全 
二维γ-GeSe拥有类似石墨烯的优异导电特性.利用第一性原理,对二维γ-GeSe的结构和电子特性进行了研究;构建了γ-GeSe/SnSe 2异质结,结果表明该异质结是典型的Ⅱ型能带排列.在施加电场后,其带隙值会有明显的增大,但其能带排列类型保持...
关键词：二维γ-GeSe 范德瓦尔斯异质结 电子特性 能带排列 
单层Cs_(2)PbI_(2)Cl_(2)中点缺陷的形成与稳定性
《原子与分子物理学报》2025年第5期130-136,共7页何诗颖 赵宇清 邹代峰 许英 廖雨洁 禹卓良 
国家自然科学基金(12204166);湖南省教育厅青年基金(20B219);湖南科技大学科研启动基金(E51996)。
Cs_(2)PbI_(2)Cl_(2)是卤化铅钙钛矿材料的新成员,由于其高的光吸收系数和长的载流子迁移距离等优异的光电物理性能,在太阳能电池、光电探测器、场效应晶体管以及发光二极管等领域受到广泛的关注.其中光电材料及器件的优良特性由电子结...
关键词：单层Cs_(2)PbI_(2)Cl_(2) 形成能 点缺陷 稳定性 
体相二硫化铼中点缺陷的形成与稳定性
《原子与分子物理学报》2025年第5期143-150,共8页何诗颖 赵宇清 邹代峰 许英 廖雨洁 禹卓良 
国家自然科学基金(12204166,12205093);湖南省教育厅青年基金(20B219);湖南科技大学科研启动基金(E51996)。
二硫化铼是过渡金属二硫族化合物的成员,由于层间的范德华作用、合适的带隙、高的光吸收系数和长的载流子迁移距离在光电子研究领域引起广泛的关注.其中光电材料及器件的优良特性由电子结构决定,而半导体的缺陷能级对电子结构具有重要...
关键词：体相二硫化铼 形成能 缺陷能级 稳定性 
锗锡浓度对硅锗锡合金性能影响的研究
《原子与分子物理学报》2025年第5期163-174,共12页顾永顺 温淑敏 
2023年校级“大学生创新创业训练计划”项目(2023093019)。
由于SiGeSn合金材料其具有高的载流子迁移率和较长的载流子寿命,并且其结构具有较高的热力学稳定性,所以在光电子领域中是一种具有非常大应用潜力的半导体材料.本文采用密度泛函理论中的广义梯度近似GGA+U的方法,构建并计算了本征半导体...
关键词：SiGeSn 电子特性 光学性质 
Si掺杂对Ga_(2)O_(3)/BP异质结光电性能调控的第一性原理研究被引量：1
《原子与分子物理学报》2025年第4期131-137,共7页李佳宏 郝增瑞 薛瑞鑫 阚红梅 关玉琴 
内蒙古自治区自然科学基金(2023LHMS01004);内蒙古自治区教育厅自然科学项目(NJZY22376);内蒙古工业大学教学改革项目(2022241)。
近年来,氧化镓(Ga_(2)O_(3))是新一代超宽禁带(4.9 eV)半导体,基于优越的热稳定和化学稳定性、高击穿场强和可见光透过率等优点,在日盲紫外探测器和透明光电器件领域中引起了广泛的关注.但是,Ga_(2)O_(3)基光电器件存在迁移率较低而限...
关键词：β-Ga_(2)O_(3)/BP异质结 缺陷 光电性质 第一性原理 
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