快速热退火对高应变InGaAs/GaAs量子阱的影响  

Effect of Rapid Thermal Annealing on Highly Strained InGaAs/GaAs Quantum Well

作　　者：苗振华[1] 徐应强[1] 张石勇[1] 吴东海[1] 赵欢[1] 牛智川[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室,北京100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2005年第9期1749-1752,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金资助项目(批准号:90201026)~~

摘　　要：用固态分子束外延技术生长了高应变In0.45Ga0.55As/GaAs量子阱材料.研究了快速热退火对高应变InGaAs/GaAs量子阱材料光学性质的影响.本文采用假设InGaAs/GaAs量子阱中的InGa原子扩散为误差函数扩散并解任意形状量子阱的薛定谔方程的方法,对不同退火温度下InGaAs/GaAs量子阱室温光致发光峰值波长拟合,得到了In原子在高应变InGaAs/GaAs量子阱中的扩散系数以及扩散激活能(0.88eV).A highly strained In0.45Ga0.55As/GaAs quantum well is grown by solid source molecular beam epitaxy （MBE）. The effect of rapid thermal annealing on the optical properties of the highly strained InGaAs/GaAs quantum well is studied. By fitting the room temperature photoluminescence peak wavelength of the highly strained InGaAs/GaAs quantum well, we obtain the diffusion coefficients and the activation energy of In-Ga atoms interdiffusion （0.88eV）.

关 键 词：分子束外延 高应变In0.45Ga0.55As/GaAs量子阱 快速热退火 室温光致发光 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]