韩军

作品数：87被引量：195H指数：7
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供职机构：北京工业大学更多>>
发文主题：MOCVD金属有机物化学气相沉积半导体激光器金属有机物化学气相淀积氮化镓更多>>
发文领域：电子电信理学自动化与计算机技术金属学及工艺更多>>
发文期刊：《功能材料》《红外与毫米波学报》《半导体技术》《电子学报》更多>>
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基于InSe/MoTe_(2)异质结构的超灵敏宽光谱光电探测器
《红外与毫米波学报》2024年第3期314-321,共8页邢艳辉 贺雯馨 韩梓硕 关宝璐 马海鑫 马晓辉 韩军 时文华 张宝顺 吕伟明 曾中明 
the National Natural Science Foundation of China(60908012,61575008,61775007,61874145,62074011,62134008);National Key Research and Development Program of China(2018YFA0209000,2021YFC2203400,2021YFA1200804);the Beijing Natural Science Foun⁃dation(4172011,4202010);Beijing Nova Program(Z201100006820096)。
基于光栅效应的二维材料垂直结构可实现高灵敏度和宽光谱光探测器。本文报告了一种基于硒化铟(InSe)/二碲化钼(MoTe_(2))垂直异质结构的高灵敏度光电探测器,该探测器在365~965 nm波长范围内具有出色的宽光谱探测能力。顶层的InSe用作调...
关键词：二维材料 宽带光电探测器 光栅效应 超灵敏 
基于SnS_(2)/InSe异质结的高性能宽带光电探测器
《红外与毫米波学报》2023年第5期659-665,共7页王冰辉 邢艳辉 贺雯馨 关宝璐 韩军 董晟园 李嘉豪 方佩景 韩梓硕 张宝顺 曾中明 
supported by the National Natural Science Foundation of China(61574011,60908012,61575008,61775007,61731019,61874145,62074011,62134008);the Beijing Natural Science Foundation(4182015,4172011,4202010);Beijing Nova Program(Z201100006820096);International Student related expenses-Department of Information(040000513303).
我们报道了一种基于SnS_(2)/InSe垂直异质结的宽带光电探测器,其光谱范围为365-965 nm。其中,InSe作为光吸收层,有效扩展了光谱范围,SnS_(2)作为传输层,与InSe形成异质结,促进了电子-空穴对的分离,增强了光响应。该光电探测器在365 nm...
关键词：二维材料 异质结 宽带光电探测器 
ScAlN缓冲层厚度对Si(100)衬底上GaN外延层的影响
《半导体光电》2022年第3期517-521,共5页尹浩田 丁广玉 韩军 邢艳辉 邓旭光 
国家自然科学基金项目(61574011);北京市自然科学基金项目(4182015,4182014)。
采用脉冲直流磁控溅射方法在Si(100)衬底上制备了ScAlN薄膜。以溅射的ScAlN作为缓冲层,在Si(100)衬底上用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术外延了GaN薄膜。使用高分辨X射线衍射、原子力显微镜和拉曼光谱研究了ScAlN缓冲层的厚度对ScAlN...
关键词：Si(100)衬底 氮化镓 ScAlN 磁控溅射 
不同退火条件对PEALD制备的Ga_(2)O_(3)薄膜特性的影响被引量：1
《人工晶体学报》2021年第5期838-844,共7页马海鑫 丁广玉 邢艳辉 韩军 张尧 崔博垚 林文魁 尹浩田 黄兴杰 
国家自然科学基金(61574011);北京市自然科学基金(4182015,4182014)。
利用等离子增强原子层沉积技术(PEALD)在c面蓝宝石衬底上制备了氧化镓(Ga_(2)O_(3))薄膜,研究了退火气氛(v(N_(2))∶v(O_(2))=1∶1(体积比)、空气和N_(2))及退火时间对Ga_(2)O_(3)薄膜晶体结构、表面形貌和光学性质的影响。研究结果表明...
关键词：氧化镓 退火条件 等离子增强原子层沉积 晶体结构 表面形貌 光学性质 
MOCVD生长Si衬底上HT-AlN缓冲层低生长压力对GaN薄膜的影响被引量：2
《发光学报》2018年第9期1285-1290,共6页韩军 赵佳豪 邢艳辉 史峰峰 杨涛涛 赵杰 王凯 李焘 邓旭光 张宝顺 
国家自然科学基金(61204011;11204009;61574011);北京市自然科学基金(4142005);北京市教委科研基金(PXM2017_014204_500034)资助项目~~
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在Si(111)衬底上外延Ga N薄膜,对高温Al N(HT-Al N)缓冲层在小范围内低生长压力(6.7~16.6 k Pa)条件下对Ga N薄膜特性的影响进行了研究。研究结果表明Ga N外延层的表面形貌、结构和光学性质对HT-Al ...
关键词：高温AlN缓冲层 氮化镓 金属有机化学气相沉积 X射线衍射 拉曼光谱 
氮化镓基谐振腔发光二极管发展近况
《光电子》2017年第4期127-140,共14页王元诚 李建军 王海阔 袁泽旭 王梦欢 邹德恕 韩军 邓军 
共振腔发光二极管(Resonant Cavity Light emitting Diodes, RCLED)可视为垂直腔发射激光器(Vertical Cavity Surface Emitting Laser, VCSELs)与传统发光二极管(Light-Emitting Diode, LED)二者的结合,具备了传统发光二极管(LED)和垂...
关键词：共振腔 发光二极管 氮化镓 提取效率 
高功率980nm半导体激光器有源区制备中的Ⅴ/Ⅲ比优化被引量：1
《半导体光电》2017年第5期685-688,共4页米国鑫 李建军 廖翌如 王元诚 王海阔 邓军 韩军 
北京市教委能力提升项目(PXM2016_014204_500026);光电子技术教育部重点实验室发展基金项目(PXM2017_014204_500034)
高质量的MOCVD外延材料是研制高性能半导体光电器件的基础。通过制作简单的量子阱结构,利用光荧光系统进行快速表征,得到Ⅴ/Ⅲ比不但会影响PL的强度,还会影响片内均匀性的结论。根据标准偏差统计法,确定了InGaAs量子阱外延的最佳Ⅴ/Ⅲ比...
关键词：半导体激光器 MOCVD PL Ⅴ/Ⅲ比 
重掺杂n型GaN材料特性研究被引量：1
《半导体光电》2016年第4期499-504,共6页张云龙 韩军 邢艳辉 郭立建 王凯 于保宁 
国家自然科学基金项目(61204011;11204009);北京市自然科学基金项目(4142005);北京市教委能力提升项目(PXM2014_014204_07_000018)
采用金属有机化合物气相外延方法制备了不同SiH_4流量下重掺杂n型GaN材料,研究发现在SiH_4流量为20cm^3/min时样品获得较高的电子浓度,达到6.4×10^(19) cm^(-3),同时材料的结晶质量较好。光荧光测试发现重掺杂使GaN材料的杂质能带进入...
关键词：MOCVD 重掺杂n型GaN 光电特性 缺陷选择性腐蚀 
980nm大功率半导体激光器的MOCVD外延生长条件优化被引量：3
《半导体光电》2016年第4期518-523,共6页李岩 李建军 邓军 韩军 
国家自然科学基金项目(61204011;11204009);北京市教委能力提升项目(PXM2014_014204_07_000018);北京市自然科学基金项目(4142005)
为了对980nm大功率半导体激光器的波导层和有源层外延材料进行快速表征,设计了相应的双异质结(DH)结构和量子阱(QW)结构,并在不同条件下进行了MOCVD外延生长,通过室温荧光谱测试分析,得到Al0.1Ga0.9As波导层的最佳生长温度为675℃,InGaA...
关键词：半导体激光器 MOCVD 量子阱 波导层 生长温度 
反应离子刻蚀损伤对4H-SiC肖特基二极管性能的影响被引量：2
《半导体技术》2016年第5期384-389,共6页郭立建 韩军 邢艳辉 王凯 赵康康 于保宁 
国家自然科学基金资助项目(61204011;11204009);北京市自然科学基金资助项目(4142005);北京市教委能力提升资助项目(PXM2014_014204_07_000018)
通过反应离子刻蚀（RIE）系统地研究了射频功率、压强和气体流量对4H-Si C刻蚀的影响,并进一步研究了刻蚀损伤对金属场板结构4H-Si C肖特基势垒二极管电学性能的影响。研究表明,刻蚀速率和Si C表面形貌都会受到RF功率、压强和刻蚀气体（...
关键词：反应离子刻蚀(RIE) 碳化硅(SiC) 肖特基二极管 刻蚀损伤 电流-电压特性 
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