李岩

作品数:1被引量:3H指数:1
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供职机构:北京工业大学更多>>
发文主题:大功率半导体激光器波导MOCVD外延MOCVD半导体激光器更多>>
发文领域:电子电信更多>>
发文期刊:《半导体光电》更多>>
所获基金:北京市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
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980nm大功率半导体激光器的MOCVD外延生长条件优化被引量:3
《半导体光电》2016年第4期518-523,共6页李岩 李建军 邓军 韩军 
国家自然科学基金项目(61204011;11204009);北京市教委能力提升项目(PXM2014_014204_07_000018);北京市自然科学基金项目(4142005)
为了对980nm大功率半导体激光器的波导层和有源层外延材料进行快速表征,设计了相应的双异质结(DH)结构和量子阱(QW)结构,并在不同条件下进行了MOCVD外延生长,通过室温荧光谱测试分析,得到Al0.1Ga0.9As波导层的最佳生长温度为675℃,InGaA...
关键词:半导体激光器 MOCVD 量子阱 波导层 生长温度 
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