生长温度

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基于分子束外延技术可控制备Bi原子团簇的研究
《原子与分子物理学报》2025年第2期79-84,共6页马玉麟 郭祥 丁召 
国家自然科学基金(61564002);贵州省科学技术基金资助项目(黔科合基础[2020]1Y271和[2017]1055);半导体功率器件可靠性教育部研究中心开放基金(ERCME-KFJJ2019-(07));贵州大学培育项目(贵大培育[2019]58号)。
本研究基于分子束外延(MBE)技术在Si(111)衬底表面成功制备金属Bi原子团簇.首先,分别在100℃、125℃、150℃、175℃、200℃的生长温度下,制备了大小均一、密度不同的Bi原子团簇.实验结果表明,可以通过改变生长温度来精细控制Bi原子团簇...
关键词：分子束外延 Bi原子团簇 生长温度 沉积时长 经典成核理论 晶体生长动力学 
大棚生菜栽培管理技术
《河北农业》2025年第4期93-94,共2页庞景新 
本文详细阐述了大棚生菜栽培管理技术,包括品种选择、播种育苗、定植管理、环境调控、水肥管理、病虫害防治以及采收等环节,旨在为大棚生菜种植户提供全面、系统且实用的技术指导,以实现生菜的优质、高产、高效栽培,满足市场需求并提高...
关键词：大棚生菜 生菜品种 定植 生长温度 
脉冲激光沉积α相氧化镓薄膜及其日盲光电探测器
《人工晶体学报》2025年第2期329-336,共8页丁子舰 颜世琪 徐希凡 辛倩 
本文采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在m面蓝宝石衬底上外延生长了高质量亚稳态α相氧化镓(α-Ga_(2)O_(3))薄膜,结合X射线衍射和扫描电子显微镜等表征手段,研究了不同生长温度和不同氧分压对薄膜形貌及结晶性的影响。基于优化条件下生长的...
关键词：脉冲激光沉积 α相氧化镓 生长温度 氧分压 金属-半导体-金属 日盲光电探测器 
不同晶面蓝宝石衬底上α-Ga_(2)O_(3)雾化学气相沉积法生长研究
《人工晶体学报》2025年第2期255-262,共8页李雄杰 宁平凡 陈世澳 乔思博 程红娟 王英民 牛萍娟 
科技部重点研发计划项目(2022YFA1204001);天津工业大学学位与研究生教育教学改革与创新项目(YJSJG202406)。
采用雾化学气相沉积(Mist-CVD)法在不同晶面蓝宝石衬底上异质外延生长了α-Ga_(2)O_(3)薄膜,并利用XRD、SEM和紫外-可见分光光度计(UV-Vis)分析了薄膜样品的物相、光学特性和表面形貌。600℃以内,在C、M、A、R面蓝宝石衬底上生长纯相α-...
关键词：α-Ga_(2)O_(3) 蓝宝石衬底 雾化学气相沉积 异质外延 生长温度 禁带宽度 
压强对HfO_(2)薄膜表面石墨烯合成的影响研究
《稀有金属与硬质合金》2024年第6期75-81,共7页武海进 王伟 杨玉帅 樊瑞祥 
河北省自然科学基金项目(F2019202377)。
采用真空电子束蒸镀工艺制备HfO_(2)高K介质薄膜,并在HfO_(2)衬底表面使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺无转移制备石墨烯。通过GIXRD、AFM、阻抗分析仪和激光拉曼光谱仪等,研究了生长温度对HfO_(2)薄膜微观结构、表面形貌和介...
关键词：HfO_(2) 石墨烯 薄膜 高K介质 真空电子束蒸镀 等离子体增强化学气相沉积 生长温度 压强 
P型覆盖层生长温度和厚度对LED可靠性的研究
《中国照明电器》2024年第10期15-20,共6页张文燕 
随着半导体材料的不断发展,以Ⅲ族氮化物为代表的第三代半导体材料GaN具有宽禁带,高熔点,高电子迁移率,高击穿场强以及高热导率等优越特性。广泛应用于高亮度发光二极管(LED)、激光二极管、太阳能电池以及高温、高频和高功率电子器件制...
关键词：V一pits P型覆盖层 可靠性 
独蒜兰形态生理特征对不同生长温度的响应
《西部林业科学》2024年第4期20-28,共9页贺膑 张石宝 
云南省基础研究计划重大项目“滇西北重要野生植物种质资源发掘利用”(202101BC07003);云南省“兴滇英才支持计划”产业创新人才项目(YNWR-CYJS-2020-023);云南省创新团队项目(202105AE160012)。
为探究独蒜兰对温度的响应机制,对独蒜兰在昼夜温度为32/27℃(高温)、26/21℃(中温)和20/15℃(低温)3个温度处理下的叶片形态、生理特性和生物量分配进行研究。结果显示:(1)高温处理会显著减少根系的生物量分配。(2)高温和低温处理显著...
关键词：独蒜兰 高温 光合作用 活性氧 膜脂过氧化 
6英寸碳化硅外延片小坑缺陷研究
《微纳电子技术》2024年第7期86-92,共7页李帅 房玉龙 芦伟立 王健 郝文嘉 李建涛 陈宏泰 王波 牛晨亮 
随着碳化硅(SiC)功率器件在新能源汽车、光伏产业、高压输电和智能充电桩等下游领域需求的爆发式增长,对高质量、低缺陷密度SiC外延材料提出了迫切需求。有研究表明,小坑缺陷可能引起器件漏电流增大,影响SiC金属氧化物半导体场效应晶体...
关键词：4H-SIC 小坑缺陷 高质量外延 碳硅比 生长温度 
4H-SiC衬底上生长参数对AlGaN基深紫外多量子阱受激辐射特性的影响
《发光学报》2024年第6期894-904,共11页张睿洁 郭亚楠 吴涵 刘志彬 闫建昌 李晋闽 王军喜 
国家重点研发计划(2022YFB3605104);国家自然科学基金(62274163,62022080,62135013,62234001,62250071);北京市科技新星计划(20230484466);中国科学院青年创新促进会(2022000028,2023123)。
SiC衬底是制备高性能AlGaN基深紫外激光器的良好候选衬底。采用金属有机化学气相沉积方法在4H-SiC衬底上生长了深紫外AlGaN/AlN多量子阱结构(MQWs),系统研讨了MQWs生长参数对深紫外激光结构自发辐射和受激辐射特性的影响规律。综合分析M...
关键词：ALGAN SIC 光泵浦激光器 Ⅴ/Ⅲ比 生长温度 
设施黄瓜栽培及定植后的管理要点
《吉林蔬菜》2024年第2期9-9,共1页金晓明 
黄瓜是喜温作物,对寒冷的耐受性相对较弱,最适合生长温度10℃~32℃.温度过高会对黄瓜光合作用产生不良影响,对黄瓜生长发育不利;如温度太低,可能会被冻死,降低存活率.
关键词：喜温作物 黄瓜生长发育 光合作用 管理要点 生长温度 定植后 设施黄瓜栽培 存活率 
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