牛晨亮

作品数：15被引量：10H指数：2
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供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文主题：分子束外延隧穿太赫兹量子级联激光器THZ超晶格更多>>
发文领域：电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《真空科学与技术学报》《半导体技术》《微纳电子技术》更多>>
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6英寸碳化硅外延片小坑缺陷研究
《微纳电子技术》2024年第7期86-92,共7页李帅 房玉龙 芦伟立 王健 郝文嘉 李建涛 陈宏泰 王波 牛晨亮 
随着碳化硅(SiC)功率器件在新能源汽车、光伏产业、高压输电和智能充电桩等下游领域需求的爆发式增长,对高质量、低缺陷密度SiC外延材料提出了迫切需求。有研究表明,小坑缺陷可能引起器件漏电流增大,影响SiC金属氧化物半导体场效应晶体...
关键词：4H-SIC 小坑缺陷 高质量外延 碳硅比 生长温度 
势垒层Al组分呈台阶梯度的AlGaN/GaN异质结构场效应晶体管
《微纳电子技术》2022年第5期399-403,共5页房玉龙 张志荣 尹甲运 王波 高楠 芦伟立 陈宏泰 牛晨亮 
河北省省级科技计划资助项目(20311001D)。
设计并制备了AlGaN势垒层中Al组分呈线性梯度分布和呈台阶梯度分布的AlGaN/GaN结构材料及其异质结构场效应晶体管(HFET),测试了基于两种结构材料的HFET器件性能。分析发现,两种结构HFET的阈值电压分别为-9.5和-3.2 V,在1 V栅偏压下,峰...
关键词：台阶梯度异质结 氮化镓(GaN) 异质结场效应晶体管(HFET) 均匀性 无线通信 
基于Surfscan系统的GaAs/Ge反向畴被引量：1
《微纳电子技术》2016年第6期406-409,419,共5页师巨亮 牛晨亮 韩颖 夏英杰 张曦 
对于GaAs/Ge反向畴(APD)的表征,常用的测试方法是扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和原子力显微镜(AFM)等,这些方法都存在局部表征所带来的测试误差问题。为此引入了Surfscan系统,该检测系统具有快速、全片和量化结果等优点。...
关键词：Surfscan系统 反向畴(APD) 颗粒 HAZE GAAS/GE 
用于3mm器件的GaAsPHEMT外延材料
《微纳电子技术》2015年第5期283-288,共6页卜夏正 武一宾 商耀辉 牛晨亮 王健 
开发出一种适用于3mm功率器件的新沟道结构的GaAs PHEMT外延材料。分析了提高电子迁移率的途径,讨论了InGaAs电子有效质量和In组分的关系,参考InP HEMT结构的迁移率和沟道电子有效质量推算了InGaAs沟道的In组分范围;通过计算沟道内二维...
关键词：3 mm器件 GAAS PHEMT 电子迁移率 INGAAS 电子有效质量 
太赫兹量子级联激光器注入区结构研究被引量：1
《微纳电子技术》2015年第2期80-84,97,共6页王健 牛晨亮 王建峰 师巨亮 韩颖 夏英杰 孙保瑞 
主要研究了THz量子级联激光器注入区结构的隧穿特性。通过量子力学方程设计出透射率最大的注入区结构。模拟结果表明,周期间势垒宽度为4.7 nm时,注入区的透射率最大。对于含有此注入区的QCL结构,模拟了在不同偏压下,电子波函数的空间分...
关键词：太赫兹量子级联激光器(THz QCL) 隧穿 透射率 波函数 能级 
太赫兹量子级联激光器有源区有限元模拟被引量：2
《微纳电子技术》2013年第1期29-33,63,共6页王建峰 武一宾 王健 商耀辉 牛晨亮 师巨亮 赵辉 王中旭 韩颖 
采用有限元分析法解决了太赫兹量子级联激光器(THz QCL)有源区模拟问题。由于InP基差频THz QCL有源区为千层纳米结构,无法拆分实验探索,因此模拟分析显得尤为必要。首先列出有源区量子结构的薛定谔方程,而后采用Galerkin有限元法改写薛...
关键词：有限元分析 太赫兹量子级联激光器(THz QCL) MATLAB 薛定谔方程 差频 
共振声子THz QCL有源区结构设计
《微纳电子技术》2011年第10期634-638,共5页牛晨亮 王健 王建峰 师巨亮 韩颖 夏英杰 孙保瑞 
利用Airy函数代换与传输矩阵方法精确计算了有外加偏压下电子在共振声子太赫兹量子级联激光器有源区单个周期内的透射系数与波函数,得到了不同偏压下的电子波函数分布以及准束缚态能级位置与外加偏压的关系曲线。在仿真计算的基础上设...
关键词：太赫兹量子级联激光器(THz QCL) 共振声子(RP) 粒子数反转 Airy函数代换 传输矩阵方法 
不对称势垒对共振隧穿二极管I-V特性的影响
《微纳电子技术》2010年第11期663-667,共5页武一宾 杨瑞霞 商耀辉 牛晨亮 王健 
国家部委基金项目
利用Airy函数和传输矩阵方法计算了不对称势垒厚度的InP基AlAs/InGaAs/AlAs DBS结构在偏压情况下的共振透射系数,并通过材料生长和器件工艺制作得到了共振隧穿二极管的直流I-V特性。在峰值电流密度为132kA/cm2下,获得了17.84的电流峰谷...
关键词：不对称势垒 共振隧穿二极管(RTD) 电流峰谷比(PVCR) 负微分电阻(NDR) 分子束外延(MBE) 磷化铟 
InAs/GaAs系列量子点研究
《微纳电子技术》2009年第7期410-413,共4页王建峰 商耀辉 武一宾 牛晨亮 卜夏正 
为了获得波长长、均匀性好和发光效率高的量子点,采用分子束外延(MBE)技术和S-K应变自组装模式,在GaAs(100)衬底上研究生长了三种InAs量子点。采用MBE配备的RHEED确定了工艺参数:As压维持在1.33×10-5Pa;InAs量子点和In0.2Ga0.8As的生...
关键词：自组装量子点 垂直耦合量子点 阱内量子点 柱状岛量子点 S-K模式 分子束外延 光致发光谱 
沟道应力对GaAs PHEMT材料电性能的影响
《微纳电子技术》2009年第4期221-225,230,共6页卜夏正 武一宾 商耀辉 牛晨亮 赵辉 崔琦 
设计并用分子束外延(MBE)法制备了不同沟道结构的GaAs PHEMT材料,采用高分辨率X射线双晶衍射仪(DCXRD)、应力测试仪和霍尔测试仪对样品的结晶质量、薄层组分和厚度偏差、应力以及电子迁移率进行了分析表征。探讨了外延片应力与沟道结构...
关键词：砷化镓赝配高电子迁移率晶体管 砷化镓铟沟道 失配应力 热应力 电性能 
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