自组装量子点

作品数：28被引量：27H指数：3
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波长可调的量子点纠缠光源(特邀)
《光子学报》2024年第5期99-112,共14页陈晨 刘峰 
国家重点研发计划(Nos.2022YFA1204700,2023YFB2806000);国家自然科学基金(Nos.62075194,U21A6006)。
可按需产生纠缠光子对的量子光源是光量子网络中的重要组成部分。半导体量子点可确定性地产生高纠缠保真度的光子对。基于量子点构建量子网络所需的量子中继单元时,需要多个发光波长一致的高质量纠缠光源。然而量子点形貌、组分和应力...
关键词：自组装量子点 纠缠光源 精细结构劈裂 联合调控 光学微腔 
自组装半导体量子点中的俘获与弛豫：量子点与它的环境
《国外科技新书评介》2016年第10期2-3,共2页梁飞 
自组装量子点是近10年以来快速发展的新兴研究领域。由于其奇特的纳米结构，量子点可以看作是一个宏观的“大原子”，它在光电探测、激光、单光子发射源等领域有着潜在的应用价值，因此引起了越来越多的科学家的浓厚兴趣。而量子点之所...
关键词：半导体量子点 自组装量子点 周围环境 弛豫 俘获 纳米结构 光电探测 交换作用 
ZnO自组装量子点的生长及局域态密度测量
《中国科技论文》2016年第4期371-373,共3页卢洋藩 陈匆 曾昱嘉 叶志镇 
高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20120101120116);国家自然科学基金资助项目(51202217)
量子点用于光电器件可以减小极化电场、避免发光峰位偏移、减少非辐射复合。目前文献中针对ZnO量子点的自组装生长机理及电学性能研究较少。针对自组装生长量子点用于光电器件有源层的需求,采用金属有机化学气相沉积方法,自组装生长了Zn...
关键词：半导体材料生长 ZNO 金属有机化学气相沉积 量子点 局域态密度 
温度对GaSb/GaAs量子点尺寸分布的影响被引量：2
《发光学报》2013年第8期1011-1016,共6页刘仁俊 李天天 杨皓宇 王连锴 吕游 张宝林 
国家自然科学基金(61076010);集成光电子学国家重点联合实验室自主课题(IOSKL2012ZZ13)资助项目
采用低压金属有机物化学气相沉积(LP-MOCVD)法制备GaSb/GaAs量子点。通过对不同生长温度的样品进行分析发现温度的变化对GaSb/GaAs量子点的相位角无明显影响,量子点的形状是透镜型。由于量子点特殊的应力分布,可实现量子点的"自限制"生...
关键词：GaSb/GaAs自组装量子点 尺寸分布 MOCVD 
Short-range scattering in quantum dots
《Science Foundation in China》2010年第2期37-37,共1页
In a project funded by NSFC,Professor Li Guodong and colleagues at the National Center for Nanoscience and Technology in Beijing made a new breakthrough in understanding the way electrons travel around quantum dots.Th...
关键词：自组装量子点 国家自然科学基金 二维电子气 散射 短程 物理研究所 纳米科学 制造方法 
CdSe/ZnSe自组装量子点中非线性系数随着温度的规律性变化(英文)被引量：2
《发光学报》2010年第6期836-841,共6页郑金桔 郑著宏 
Project supported by the National Natural Science Foundation of China(50672030)~~
研究了在CdSe/ZnSe自组装量子点中CdSe量子点的发光随着激发光强度变化的特性。发现当激发强度(I)变化3个数量级的时候,量子点发光的峰位、峰形都没有发生明显的变化。通过公式L∝Ik(其中I是激发光强度,L是量子点发光强度,k是非线性系数...
关键词：非线性系数 光致发光 自组装量子点 
薄膜和量子点的外延生长(英文)被引量：1
《微纳电子技术》2010年第6期321-329,共9页吴巨 金鹏 曾一平 王宝强 王占国 
National Natural Science Foundation of China (60676029,60876086);National Basic Research Program of China (973 Program) (2006CB604904,2006CB604908)
首先简短地综述了人们关于外延薄膜材料层状(layer-by-layer)生长机制的认识;给出了作者关于自组装量子点外延生长过程的评价和观点,强调了量子点自组装生长过程的复杂性和非线性性质。在对已经发表过的实验数据进一步分析的基础上,作...
关键词：外延生长 薄膜 自组装量子点 InAs/GaAs(001) 
InAs/GaAs系列量子点研究
《微纳电子技术》2009年第7期410-413,共4页王建峰 商耀辉 武一宾 牛晨亮 卜夏正 
为了获得波长长、均匀性好和发光效率高的量子点,采用分子束外延(MBE)技术和S-K应变自组装模式,在GaAs(100)衬底上研究生长了三种InAs量子点。采用MBE配备的RHEED确定了工艺参数:As压维持在1.33×10-5Pa;InAs量子点和In0.2Ga0.8As的生...
关键词：自组装量子点 垂直耦合量子点 阱内量子点 柱状岛量子点 S-K模式 分子束外延 光致发光谱 
GaSb/GaAs复合应力缓冲层上自组装InAs量子点的生长
《物理学报》2009年第1期471-476,共6页蒋中伟 王文新 高汉超 李辉 何涛 杨成良 陈弘 周均铭 
研究了GaSb/GaAs复合应力缓冲层上自组装生长的InAs量子点.在2MLGaSb/1MLGaAs复合应力缓冲层上获得了高密度的、沿[100]方向择优分布量子点.随着复合应力缓冲层中GaAs层厚度的不同,量子点的密度可以在1.2×1010cm-2和8×1010cm-2进行调...
关键词：自组装量子点 分子束外延 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体 
MBE自组装量子点生长和结构形态研究(续)
《微纳电子技术》2008年第9期498-504,共7页吴巨 金鹏 吕小晶 王占国 曾一平 王宝强 姚然 
国家自然科学基金资助项目(60676029);973项目(2006CB604904;2006CB604908)
关键词：自组装量子点 生长条件 结构形态 INAS/GAAS INAS量子点 MBE GAAS(001) 平衡形态 
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