曾昱嘉

作品数：11被引量：46H指数：5
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供职机构：浙江大学材料与化学工程学院更多>>
发文主题：ZNO晶体薄膜ZNO薄膜P型ZNOAL更多>>
发文领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
发文期刊：《无机材料学报》《中国科技论文》《材料导报》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家教育部博士点基金浙江省自然科学基金更多>>
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ZnO自组装量子点的生长及局域态密度测量
《中国科技论文》2016年第4期371-373,共3页卢洋藩 陈匆 曾昱嘉 叶志镇 
高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20120101120116);国家自然科学基金资助项目(51202217)
量子点用于光电器件可以减小极化电场、避免发光峰位偏移、减少非辐射复合。目前文献中针对ZnO量子点的自组装生长机理及电学性能研究较少。针对自组装生长量子点用于光电器件有源层的需求,采用金属有机化学气相沉积方法,自组装生长了Zn...
关键词：半导体材料生长 ZNO 金属有机化学气相沉积 量子点 局域态密度 
ZnO薄膜p型掺杂及同质p-n结的室温电致发光被引量：3
《中国科技论文在线》2007年第5期317-319,共3页叶志镇 曾昱嘉 卢洋藩 何海平 
本文系统地报道ZnO薄膜p型掺杂技术,其中包括N掺杂技术、共掺技术、Li掺杂技术、非故意掺杂技术、大尺寸失配元素掺杂技术等;在p型掺杂的基础上,实现ZnO同质p-n结室温电注入发光。
关键词：ZNO P型掺杂 发光二极管 
Al-N共掺p型Zn_(0.95)Mg_(0.05)O薄膜的性能被引量：1
《Journal of Semiconductors》2007年第3期425-429,共5页简中祥 叶志镇 高国华 卢洋藩 赵炳辉 曾昱嘉 朱丽萍 
国家自然科学重点基金(批准号:50532060);国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB604906)资助项目
利用直流反应磁控溅射法,以N2O为N掺杂源,用Al-N共掺技术制备了p型Zn0.95Mg0.05O薄膜.用X射线衍射分析(XRD)、Hall测试仪和紫外可见(UV)透射谱等研究方法对其晶体结构、电学性能和禁带宽度进行分析.XRD分析结果表明,Zn0.95Mg0.05O薄膜...
关键词：ZNMGO P型掺杂 薄膜 
生长参数对MOCVD法制备的p型ZnO薄膜性能的影响被引量：1
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期275-278,共4页卢洋藩 叶志镇 曾昱嘉 徐伟中 朱丽萍 赵炳辉 
国家自然科学重点基金(批准号:50532060),国家自然科学基金(批准号:60340460439)和浙江省自然科学基金(批准号:Y405126)资助项目
研究了等离子体辅助金属有机化学气相沉积方法制备N掺杂p型ZnO薄膜过程中生长参数如衬底温度、射频功率、锌源流量对ZnO薄膜结晶质量和电学性能的影响.
关键词：ZNO P型掺杂 金属有机化学气相沉积 射频等离子体 
Li-N-H共掺法制备p型ZnO薄膜被引量：6
《无机材料学报》2006年第6期1511-1514,共4页卢洋藩 叶志镇 曾昱嘉 陈兰兰 朱丽萍 赵炳辉 
国家自然科学基金重点项目(50532060);国家自然科学基金(50572095);浙江省自然科学基金(Y405126)
采用Li-N-H共掺技术在玻璃衬底上生长p型ZnO薄膜．XRD结果表明共掺ZnO薄膜具有高度c轴取向,Hall测试表明薄膜的电阻率为25．2Ω·cm,Hall迁移率为0．5cm^2/(V·s),空穴浓度为4．92×10^(17)/cm^3．此外,p-ZnO薄膜在可见光区域具有90%的...
关键词：p-ZnO 磁控溅射 共掺 
MOCVD法制备ZnO同质发光二极管被引量：10
《Journal of Semiconductors》2005年第11期2264-2266,共3页叶志镇 徐伟中 曾昱嘉 江柳 赵炳辉 朱丽萍 吕建国 黄靖云 汪雷 李先杭 
国家重点基础研究专项经费(批准号:G2000068306);国家自然科学基金(批准号:90201038);香港-大陆两地基金资助项目~~
在n型ZnO体单晶片上,首次采用N等离子体辅助金属有机化学气相沉积方法外延生长了p型ZnO薄膜,制成了同质ZnO的发光二极管(LED)原型器件;在室温下,观察到同质ZnO的LED施加电压后由电注入激发出紫外至绿光波段的光谱.
关键词：ZNO LED P型掺杂 金属有机化学气相沉积 
N-Al共掺ZnO薄膜的p型传导特性被引量：11
《Journal of Semiconductors》2005年第4期730-734,共5页吕建国 叶志镇 诸葛飞 曾昱嘉 赵炳辉 朱丽萍 
国家自然科学基金资助项目(批准号:90201038)~~
利用直流反应磁控溅射技术制得N Al共掺的p型ZnO薄膜,N2O为生长气氛.利用X射线衍射(XRD),Hall实验,X射线光电子能谱(XPS)和光学透射谱对共掺ZnO薄膜的性能进行研究.结果表明,薄膜中Al的存在显著提高了N的掺杂量,N以N Al键的形式存在.N A...
关键词：N—Al共掺ZnO薄膜 P型传导 N2O生长气氛 直流反应磁控溅射 
衬底温度对Al+N共掺p-ZnO薄膜性能的影响被引量：7
《无机材料学报》2005年第3期750-754,共5页曾昱嘉 叶志镇 吕建国 李丹颖 朱丽萍 赵炳辉 
国家重大基础研究项目(G20000683-06)国家自然科学基金(90201038)
目前,制备性能优异的p-ZnO薄膜的可重复性问题已成为制约ZnO基光电器件发展的一个主要因素.本文利用直流反应磁控溅射技术,以X射线衍射,霍尔效应测试,X射线光电子能谱及透射光谱为表征手段,研究了不同衬底温度对Al+N共掺p-ZnO薄膜电学...
关键词：p-ZnO 磁控溅射 共掺 
Au/n-ZnO肖特基势垒特性的退火行为研究
《浙江大学学报（工学版）》2004年第10期1252-1255,共4页袁国栋 叶志镇 朱丽萍 钱庆 曾昱嘉 
国家"973"重点基础研究发展计划资助项目(G20000683);国家自然科学基金重点资助项目(90201038);教育部博士点基金资助项目(20020335010).
报道了Au/n ZnO形成的肖特基势垒经不同温度退火后其特性的变化.利用X射线衍射、扫描电子显微镜和扩展电阻测试对ZnO外延片的晶体质量和电学性能进行测试.采用集成电路标准工艺在ZnO外延层上制备了Si3N4隔离层及Au电极,并对该结构进行...
关键词：ZNO薄膜 肖特基势垒 退火 I-V特性 
直流反应磁控溅射Al,N共掺方法生长p型ZnO薄膜及其特性被引量：11
《Journal of Semiconductors》2004年第6期668-673,共6页袁国栋 叶志镇 曾昱嘉 吕建国 钱庆 黄靖云 赵炳辉 朱丽萍 
国家重点基础研究专项经费 (批准号 :G2 0 0 0 0 683 0 6);国家自然科学基金(批准号 :90 2 0 10 3 8)资助项目~~
报道了利用直流反应磁控溅射以Al,N共掺杂技术生长p型ZnO薄膜 .ZnO薄膜在不同衬底温度下沉积于α Al2 O3 (0 0 0 1)衬底上 ,N来自NH3 与O2 的生长气氛 ,Al来自ZnxAl1-x(x =0 9)靶材 .利用XRD ,AFM ,Hall,SIMS和透射光谱对其性能进行了...
关键词：Al N共掺杂技术 p-ZnO 直流反应磁控溅射 
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