生长参数对MOCVD法制备的p型ZnO薄膜性能的影响  

Effects of Growth Parameters on Proprties of p-Type ZnO Films Grown by MOCVD

作　　者：卢洋藩[1] 叶志镇[1] 曾昱嘉[1] 徐伟中[1] 朱丽萍[1] 赵炳辉[1] 

机构地区：[1]浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第z1期275-278,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学重点基金(批准号:50532060),国家自然科学基金(批准号:60340460439)和浙江省自然科学基金(批准号:Y405126)资助项目

摘　　要：研究了等离子体辅助金属有机化学气相沉积方法制备N掺杂p型ZnO薄膜过程中生长参数如衬底温度、射频功率、锌源流量对ZnO薄膜结晶质量和电学性能的影响.

关 键 词：ZNO P型掺杂 金属有机化学气相沉积 射频等离子体 

分 类 号：TN305[电子电信—物理电子学]