徐伟中

作品数：7被引量：50H指数：4
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供职机构：浙江大学更多>>
发文主题：晶体薄膜ZNO衬底有机锌源P型掺杂更多>>
发文领域：电子电信理学经济管理更多>>
发文期刊：《无机材料学报》《真空科学与技术学报》《Journal of Semiconductors》更多>>
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生长参数对MOCVD法制备的p型ZnO薄膜性能的影响被引量：1
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期275-278,共4页卢洋藩 叶志镇 曾昱嘉 徐伟中 朱丽萍 赵炳辉 
国家自然科学重点基金(批准号:50532060),国家自然科学基金(批准号:60340460439)和浙江省自然科学基金(批准号:Y405126)资助项目
研究了等离子体辅助金属有机化学气相沉积方法制备N掺杂p型ZnO薄膜过程中生长参数如衬底温度、射频功率、锌源流量对ZnO薄膜结晶质量和电学性能的影响.
关键词：ZNO P型掺杂 金属有机化学气相沉积 射频等离子体 
MOCVD法制备磷掺杂p型ZnO薄膜被引量：5
《Journal of Semiconductors》2006年第1期91-95,共5页周新翠 叶志镇 陈福刚 徐伟中 缪燕 黄靖云 吕建国 朱丽萍 赵炳辉 
国家重点基础研究专项经费(批准号:G2000068306);国家自然科学基金(批准号:90201038)资助项目~~
利用金属有机化学气相沉积方法在玻璃衬底上生长了掺磷的p型ZnO薄膜.实验采用二乙基锌作为锌源,高纯氧气和五氧化二磷粉末分别作为氧源及磷掺杂源.实验表明生长温度为400～450℃时获得了p型ZnO薄膜,而且在420℃时,其电学性能最好,空穴...
关键词：p-ZnO 金属有机化学气相沉积 磷掺杂 
MOCVD法制备ZnO同质发光二极管被引量：10
《Journal of Semiconductors》2005年第11期2264-2266,共3页叶志镇 徐伟中 曾昱嘉 江柳 赵炳辉 朱丽萍 吕建国 黄靖云 汪雷 李先杭 
国家重点基础研究专项经费(批准号:G2000068306);国家自然科学基金(批准号:90201038);香港-大陆两地基金资助项目~~
在n型ZnO体单晶片上,首次采用N等离子体辅助金属有机化学气相沉积方法外延生长了p型ZnO薄膜,制成了同质ZnO的发光二极管(LED)原型器件;在室温下,观察到同质ZnO的LED施加电压后由电注入激发出紫外至绿光波段的光谱.
关键词：ZNO LED P型掺杂 金属有机化学气相沉积 
NO和N_2O流量对ZnO薄膜p型导电性能的影响被引量：2
《无机材料学报》2005年第4期955-958,共4页周婷 叶志镇 赵炳辉 徐伟中 朱丽萍 
国家重点基础研究专项经费"973"(G20000683)国家自然科学重点项目(90201038)
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,由NO和N2O混合气体在玻璃衬底上沉积了p型ZnO薄膜.NO和N2O流量分别为40和25 sccm时,得到最低电阻率5.52Ω·cm, 同时样品的空穴浓度最高,为2.17×1018cm-3,电性能的稳定性也最好.全部样品放置四个...
关键词：P型ZNO 导电性能 MOCVD 
MOCVD法以NO气体为掺杂源生长p型ZnO薄膜被引量：13
《Journal of Semiconductors》2005年第1期38-41,共4页徐伟中 叶志镇 周婷 赵炳辉 朱丽萍 黄靖云 
国家重点基础研究专项基金 (批准号 :G2 0 0 0 0 683 0 6);国家自然科学基金 (批准号 :90 2 0 10 3 8)资助项目~~
采用金属有机化学气相沉积方法在玻璃上生长了掺氮的低电阻p型ZnO薄膜 .实验使用NO和N2 O共同作为氧源 ,且NO同时作为掺氮源 ,二乙基锌作为锌源 .X射线衍射测试表明薄膜具有c轴择优取向的结构特性 ,二次离子质谱分析证实了氮被掺入了Zn...
关键词：P型 ZNO 金属有机化学气相沉积 
ZnO薄膜p型掺杂的研究进展被引量：21
《无机材料学报》2003年第1期11-18,共8页叶志镇 张银珠 徐伟中 吕建国 
国家重点基础研究专项经费"973"G20000683;国家自然科学基金重大研究规划项目(90101009)
ZnO是一种新型的II-VI族半导体材料,具有许多优异的性能.但由于ZnO存在诸多的本征施主缺陷(如空位氧Vo和间隙锌Zni),对受主产生高度自补偿作用,天然为n型半导体,难以实现p型转变.ZnO薄膜p型掺杂的实现是ZnO基光电器件的关键技术,也一直...
关键词：研究进展 ZNO薄膜 P型掺杂 氧化锌 半导体 
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