MOCVD法制备ZnO同质发光二极管  

Fabrication of ZnO Light-Emitting Diode by Using MOCVD Method

作　　者：叶志镇[1] 徐伟中[1] 曾昱嘉[1] 江柳[1] 赵炳辉[1] 朱丽萍[1] 吕建国[1] 黄靖云[1] 汪雷[1] 李先杭[1] 

机构地区：[1]浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州310027

出　　处：《Journal of Semiconductors》2005年第11期2264-2266,共3页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究专项经费(批准号:G2000068306);国家自然科学基金(批准号:90201038);香港-大陆两地基金资助项目~~

摘　　要：在n型ZnO体单晶片上,首次采用N等离子体辅助金属有机化学气相沉积方法外延生长了p型ZnO薄膜,制成了同质ZnO的发光二极管(LED)原型器件;在室温下,观察到同质ZnO的LED施加电压后由电注入激发出紫外至绿光波段的光谱.p-type zinc oxide （ZnO） thin films are grown by plasma-assisted metalorganic chemical vapor deposition （MOCVD）. A ZnO homostructural light-emitting diode is fabricated by growing p-type ZnO epi-layer on n-type bulk ZnO wafer. The room temperature electroluminescence spectrum from violet to green regions is observed while the ZnO-LED is supplied with a DC voltage.

关 键 词：ZNO LED P型掺杂 金属有机化学气相沉积 

分 类 号：TN312.8[电子电信—物理电子学]