P型ZNO

作品数：108被引量：317H指数：9
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基于第一性原理计算的共掺型p型ZnO光电学特性对比被引量：1
《有色金属工程》2023年第3期31-40,共10页赵艳芳 庄光亮 包凯琦 封士锐 李鹏 徐伟铭 肖原彬 李东波 
江苏省高校自然科学基金资助项目(20KJB510015)。
基于DFT的第一性原理研究了本征ZnO和Ag单掺、Ag-F(或N)共掺ZnO体系的晶格结构、电子结构和光学性质。结果表明:各掺杂体系与本征ZnO相比晶格常数a、c和晶胞体积基本都有所增大;虽然N3-离子半径高于F-,但Zn_(15)AgO_(15)N晶胞体积低于Zn...
关键词：共掺ZnO 第一性原理 杂质能级 光电子器件 
基于第一性原理计算的ΙA族元素掺杂p型ZnO光电学特性研究被引量：1
《功能材料》2022年第2期2203-2208,共6页肖原彬 赵艳芳 
江苏省高校自然科学基金面上项目(20KJB510015)。
采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波超软赝势方法计算了Li、Na、K掺杂ZnO纤锌矿结构的晶格结构、电子结构(能带结构、态密度)和光学特性,计算结果表明,在掺杂Na或K的情况下,晶胞体积的计算值均略有增加,而掺杂Li的晶胞体积小...
关键词：第一性原理 P型ZNO Li、Na、K掺杂 光电子器件 
氧化锌单晶生长、载流子调控与应用研究进展被引量：6
《人工晶体学报》2021年第2期209-243,共35页黄丰 郑伟 王梦晔 何佳庆 程璐 李悌涛 徐存华 戴叶婧 李宇强 
国家自然科学基金重大研究计划(91833301)。
氧化锌(ZnO)是一种历史悠久的材料,由于其微观结构非中心对称,最初被预测可以应用于压电和非线性光学领域,又因为它在室温下具有宽的禁带和高的激子束缚能,是一类重要的第三代宽禁带半导体材料,在半导体领域受到了广泛关注。然而,在实...
关键词：氧化锌 水热法 载流子自由调控 P型ZNO 超快闪烁体 中红外透明导电 
C-Cu共掺杂ZnO的p型导电性研究被引量：6
《原子与分子物理学报》2019年第2期325-330,共6页丁罗城 符斯列 王春安 李俊贤 鲍佳怡 秦盈星 
国家自然科学基金(10575039);广东省自然科学基金(S2013010012548)
近年来,C、Cu单掺杂ZnO获得p型化的相关研究甚多,然而对于C-Cu共掺杂ZnO却鲜有研究.本文采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,计算分析比较了C、Cu单掺杂、C-Cu分别以1:1、1:2、2:1比例共掺杂ZnO体系的晶格结构、电子态密度、空穴有...
关键词：P型ZNO C-Cu共掺杂 电子态密度 有效质量 形成能 
本征缺陷对ZnO:(In,N)薄膜p型导电的影响被引量：2
《中国科学：物理学、力学、天文学》2018年第4期94-101,共8页谭蜜 孔春阳 李万俊 秦国平 张红 阮海波 王冬 王江 
国家自然科学基金(批准号:51472038;11647099);重庆市自然科学基金(批准号:cstc2016jcyj A0390);重庆教育委员会科学技术研究项目(批准号:KJ1500319;KJ1600314)资助
采用射频磁控溅射和离子注入技术,在石英玻璃衬底上制备了In-N共掺ZnO薄膜[ZnO:(In,N)].通过优化退火工艺,成功实现了可重复的p型ZnO:(In,N)薄膜,其空穴浓度约为10^(16)cm^(-3),并观察到薄膜随退火产生n→p→n电学转变现象.利用X射线衍...
关键词：P型ZNO 本征缺陷 X射线光电子能谱 RAMAN 光致发光谱 
退火处理对N掺杂Al:ZnO薄膜结构及性能的影响被引量：4
《真空科学与技术学报》2018年第2期117-120,共4页高松华 高立华 陈礼炜 
福建省自然科学基金项目(2017J01714);福建省教育科研基金资助项目(JAT160462);福建省三明学院科研基金资助项目(B201611)
采用射频磁控溅射方法,常温条件下以N2作为N掺杂源,在玻璃基底制备了N掺杂Al:ZnO薄膜。在真空氛围下对样品进行了不同温度的退火处理15 min。通过X射线衍射、霍尔效应测试、紫外-可见光谱和X射线光电子能谱(XPS)仪分析了退火对样品结构...
关键词：Al:ZnO薄膜 P型ZNO 退火处理 光电性能 
C和F掺杂p型ZnO的第一性原理研究被引量：6
《人工晶体学报》2017年第11期2159-2163,2177,共6页李强 向晖 谭兴毅 杨永明 
湖北省自然科学基金(2014CFB619;2014CFB342);湖北民族学院博士启动基金(MY2012B006);湖北民族学院院内青年科研基金(MY2017Q006)
采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法对C/F单掺杂ZnO和C-F共掺杂ZnO的O位体系进行了研究,讨论了掺杂体系的稳定性、电子结构和电学性质、光学性质。研究结果表明C和F共掺的形成能比C单掺的形成能小很多,即C和F共掺增加了体系的稳...
关键词：掺杂ZnO 电子结构 电学性质 光学性质 
掺杂N的P型ZnO薄膜制备与特性研究
《科技经济导刊》2017年第25期92-92,共1页赵文海 
牡丹江市科学技术计划项目<通过退火工艺对N掺杂ZnO薄膜的制备及其电学性能研究>(项目编号:Z2016g0003)
氧化锌(ZnO)是一种II-VI族化合物半导体材料,因为其宽带隙半导体特性,所以它的应用及其广泛。氧化锌自然分布也非常广泛,通常以氧化锌矿物质(Wurtzite)形式存在。科学界很早就开始对于氧化锌进行研究,氧化锌薄膜制备技术也比较成熟,但是...
关键词：ZnO半导体薄膜 掺杂 氮元素 
Sb-Na共掺p型ZnO的第一性原理研究被引量：1
《人工晶体学报》2016年第12期2902-2907,共6页谭兴毅 李强 朱永丹 左安友 
湖北省自然科学基金(2014CFB342;2014CFB619);湖北民族学院博士科研启动基金(MY2013B020)
运用密度泛函理论,计算了SbZn、NaZn、SbZn-n NaZn掺杂ZnO晶体的稳定性、能带结构和电子态密度.研究发现SbZn、NaZn、SbZn-n NaZn掺杂ZnO晶体的结构稳定,Sb-Na共掺杂改善了体系的固溶度。能带结构表明,SbZn体系为n型间接带隙半导体材料;...
关键词：P型ZNO 电子结构 导电性能 
p型ZnO薄膜的研究进展
《材料导报》2015年第23期12-17,共6页文俊伟 王小平 王丽军 李剑 刘凌鸿 于颖 
上海市教委重点创新项目(14ZZ137);沪江基金(B14004);上海理工大学国家级项目培育基金项目(14XPM04)
ZnO材料以其优良的光电特性和相对低廉的成本而倍受人们的青睐,但是要获得高质量的p型ZnO薄膜难度极大,这已成为阻碍ZnO基光电器件走向实用化的主要障碍。综述了p型ZnO薄膜掺杂面临的困难、p型ZnO掺杂理论进展及实现p型ZnO薄膜的各种掺...
关键词：ZNO薄膜 制备工艺 掺杂 p型电导 
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