周新翠

作品数:1被引量:5H指数:1
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供职机构:浙江大学更多>>
发文主题:P型ZNO薄膜磷掺杂MOCVD法金属有机化学气相沉积MOCVD法生长更多>>
发文领域:电子电信更多>>
发文期刊:《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
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MOCVD法制备磷掺杂p型ZnO薄膜被引量:5
《Journal of Semiconductors》2006年第1期91-95,共5页周新翠 叶志镇 陈福刚 徐伟中 缪燕 黄靖云 吕建国 朱丽萍 赵炳辉 
国家重点基础研究专项经费(批准号:G2000068306);国家自然科学基金(批准号:90201038)资助项目~~
利用金属有机化学气相沉积方法在玻璃衬底上生长了掺磷的p型ZnO薄膜.实验采用二乙基锌作为锌源,高纯氧气和五氧化二磷粉末分别作为氧源及磷掺杂源.实验表明生长温度为400~450℃时获得了p型ZnO薄膜,而且在420℃时,其电学性能最好,空穴...
关键词:p-ZnO 金属有机化学气相沉积 磷掺杂 
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