云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- MOCVD

MOCVD: 作品数：1163被引量：1333H指数：11; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：张荣郑有炓韩军左然谢自力更多>>; 相关机构：中国科学院吉林大学西安电子科技大学南京大学更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划北京市自然科学基金更多>>

基于衬底台阶调控技术的高质量GaN生长: 《半导体技术》2025年第5期481-487,共7页高楠房玉龙王波张志荣尹甲运韩颖刘超; GaN晶体质量提升对材料及器件性能优化至关重要。通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)在SiC衬底上对GaN晶体质量进行了实验研究。对比了高温H,刻蚀与高温HCl刻蚀对衬底台阶的影响,并对后续生长的AIN和GaN晶体质量进行了表征,发现增加衬...; 关键词：金属有机物化学气相沉积(MOCVD) GAN 衬底台阶高温刻蚀半高宽(FWHM)

AlGaAs插入结构对InAlGaAs/AlGaAs多量子阱发光特性的影响: 《发光学报》2025年第4期683-690,共8页赵书存王海珠王登魁甘露露王祯胜吕明辉马晓辉; 重庆市自然科学基金(cstc2021jcyjmsxmX1060,CSTB2022NSCQ-MSX0401)。; InAlGaAs/AlGaAs多量子阱(MQWs)因其较宽的光谱范围,在近红外及可见光区域受到越来越多的关注,并已经成为新兴的研究热点。本研究采用MOCVD生长技术制备InAlGaAs/AlGaAs多量子阱材料,依据选取插入层(ISL)材料时需要考虑的主要因素及理...; 关键词：InAlGaAs多量子阱插入层金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)

Crystal-phase engineering ofε-Ga_(2)O_(3) for high-performance deep UV photodetectors via MOCVD: 《Science China Materials》2025年第4期1174-1183,共10页Zhiwei Wang Hong Huang Xiaohu Hou Keju Han Weiheng Zhong Xiao Feng Haoyan Zhan Weizhen Liu Xiaolong Zhao Nan Gao Shibing Long; supported by the National Key Research and Development Program of China(2023YFB3610200 and 2024YFA1208800);the National Natural Science Foundation of China(61925110,U20A20207,62304215,and 62171426);the University of Science and Technology of China(WK2100000025,YD2100002009,YD2100002010,and YD2100002007);the China Postdoctoral Science Foundation(2023M733367);the CAS Project for Young Scientists in Basic Research(YSBR-029)。; Gallium oxide(Ga_(2)O_(3)),with an ultrawide bandgap corresponding to the deep ultraviolet(DUV)spectra range,provides a potential subversive scheme for the filter-free DUV photodetection.Meanwhile,the various crystal ...; 关键词：phase engineering c-Ga_(2)O_(3) β-Ga_(2)O_(3) MOCVD deep ultraviolet detection

富加镓业氧化镓MOCVD同质外延技术取得突破,助力下游垂直功率电子器件产业落地: 《人工晶体学报》2025年第3期532-532,共1页齐红基; 近日,杭州富加镓业科技有限公司(以下简称:富加镓业)在氧化镓MOCVD同质外延薄膜研发方面取得重要技术突破,在富加镓业的氧化镓单晶衬底上同质外延出厚度超过10μm的薄膜,经国家权威检测机构验证,该技术已达到国际领先水平,相关标准化产...; 关键词：标准化产品功率电子器件同质外延氧化镓新能源汽车检测机构富加 MOCVD

双生长腔互联MOCVD外延生长氧化镓异质结构及其紫外光电探测器件的研究: 《人工晶体学报》2025年第3期426-437,共12页王月飞高冲吴哲李炳生刘益春; 科技部重点研发计划(2019YFA0705202);国家自然科学基金(62274027,62404039);松山湖材料实验室开放研究基金(2023SLABFK03)。; 本文报道了利用氮化物-氧化物双生长腔互联金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统外延生长氧化镓/氮化物薄膜异质结构并制备了高性能紫外光电探测器件。通过X射线衍射仪、原子力显微镜对不同衬底与不同缓冲层材料的薄膜结晶质量和表面形貌进...; 关键词：氧化镓宽禁带半导体金属有机化学气相沉积外延生长异质结紫外光电探测

衬底晶面对MOCVD同质外延生长n-Ga_(2)O_(3)薄膜性质的影响研究: 《人工晶体学报》2025年第3期438-444,I0003,共8页韩宇焦腾于含赛青林陈端阳李震李轶涵张钊董鑫; 国家重点研发计划(2022YFB3605500)。; 本文采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺,在Fe掺杂的(001)、(010)和(201)晶面的氧化镓(Ga_(2)O_(3))衬底上实现了Si掺杂n型β-Ga_(2)O_(3)薄膜的同质外延生长,系统研究了衬底晶面对生长的薄膜晶体质量、生长速度及电学性能的影响。研...; 关键词：氧化镓金属有机化学气相沉积同质外延掺杂迁移率生长速率

6-inch AlN epitaxial films with low dislocation densities via MOCVD: 《Journal of Semiconductors》2025年第2期151-157,共7页Shunpeng Lu Jianwei Ben Ke Jiang Shanli Zhang Ruojia Zhang Jialong Hao Zhongxu Liu Wenchao Sun Zikai Nie Xiaojuan Sun Dabing Li; supported by National Key R&D Program of China(2022YFB3605100);the National Science Fund for Distinguished Young Scholars of China(62425408);the National Natural Science Foundation of China(62204241,U22A2084,and 62121005);Key Research and Development Projects of Jilin Provincial Science and Technology Development Plan(20240302027GX);the Natural Science Foundation of Jilin Province(20230101345JC,20230101360JC,20230101107JC);the Youth Innovation Promotion Association of CAS(2023223);the Young Elite Scientist Sponsorship Program By CAST(YESS20200182);the CAS Talents Program.; High-quality AlN epitaxial layers with low dislocation densities and uniform crystal quality are essential for next-gener-ation optoelectronic and power devices.This study reports the epitaxial growth of 6-inch AlN fi...; 关键词：ALN 6-inch MOCVD threading dislocation density OPTOELECTRONIC power electronics

基于倍福PLC的MOCVD设备控制系统设计研究: 《电子工业专用设备》2025年第1期13-20,共8页熊峥李明周立平叶肖杰; 为实现MOCVD设备的稳定运行与控制,通过分析MOCVD设备的子系统组成、PLC硬件网络及控制系统,结合系统的安全性设计,研究了一套基于倍福PLC的MOCVD设备控制系统。通过实际运行,该套电气控制系统电气强弱分离,整体结构层次感强,易于维护,...; 关键词：MOCVD设备安全性设计 PLC控制系统

基于MOCVD的β-Ga_(2)O_(3)同质外延与Al掺异质结外延生长研究进展: 《固体电子学研究与进展》2025年第1期1-15,共15页刘洋何云龙陈谷然陆小力郑雪峰马晓华郝跃; 国家自然科学基金资助项目(62474133,U2241220);实验室开放基金项目(2413S111);中央高校基本业务费资助项目(QTZX23019,ZDRC2002)。; β-Ga_(2)O_(3)是一种具有超宽带隙、高临界击穿场强和优异的巴利加优值的半导体材料,近年来在电力电子与深紫外光电探测等领域展现出巨大的应用潜力。金属有机化学气相沉积(Metal-organic chemical vapor deposition,MOCVD)技术凭借其...; 关键词：β-Ga_(2)O_(3) 金属有机化学气相沉积同质外延 β-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)

The in-situ parasitic microstructure interface and defect formation mechanism in (010) β-Ga_(2)O_(3) epitaxial film via MOCVD: 《Science China Materials》2025年第2期515-522,共8页Xianqiang Song Yunlong He Zhan Wang Xiaoli Lu Jing Sun Ying Zhou Yang Liu Jiatong Fan Xiaoning He Xuefeng Zheng Xiaohua Ma Yue Hao; supported by the National Natural Science Foundation of China (62474133, U2241220 and 62304172);the Opening Project of State Key Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Devices and Integrated Technology (2413S111);the Fundamental Research Funds for the Central Universities of China (QTZX23019 and ZDRC2002);in part by Guangdong Basic and Applied Basic Research Foundation (2021A1515110020)。; In this study, a typical hillock surface defect wasdiscovered in (010) β-Ga_(2)O_(3) thin films grown by metal-organicchemical vapor deposition (MOCVD), and the morphologyand structure were systematically investigate...; 关键词：β-Ga_(2)O_(3) MOCVD surface defect

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