何海平

作品数：21被引量：71H指数：5
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供职机构：浙江大学更多>>
发文主题：ZNO脉冲激光沉积钙钛矿脉冲激光沉积法P型ZNO薄膜更多>>
发文领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
发文期刊：《中国科技成果》《分析化学》《无机材料学报》《发光学报》更多>>
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准二维杂化铅铯溴钙钛矿-分子印迹光电化学传感器检测蔬菜中氯氰菊酯残留
《分析化学》2024年第11期1669-1677,共9页陈小锋 秦吉 陆国超 李明 何海平 
国家自然科学基金项目(No.52072337);山西-浙大新材料与化工研究院项目(No.2022SZ-TD004)资助。
采用液相法在氧化铟锡(ITO)玻璃表面制备出准二维有机杂化铅铯溴型钙钛矿薄膜(OLHP/ITO),并以氯氰菊酯为模板分子、甲基丙烯酸六氟丁酯为单体、二乙烯苯为交联剂、偶氮二异丁腈为光引发剂,通过紫外光聚合获得了可特异性识别氯氰菊酯的...
关键词：钙钛矿 分子印迹 光电化学传感器 氯氰菊酯 
铅卤钙钛矿的光稳定性研究进展被引量：8
《物理学报》2019年第15期30-42,共13页楼浩然 叶志镇 何海平 
国家自然科学基金(批准号:51772271)资助的课题~~
铅卤钙钛矿可实现溶液法制备且具有诸多优异的光电特性,在高效太阳能电池、发光二极管、激光、光探测器等光电子领域具有广阔的应用前景.但是铅卤钙钛矿在光辐照下存在不稳定问题,严重影响其相关光电器件的寿命和性能稳定性.因此,铅卤...
关键词：铅卤钙钛矿 光稳定性 机理 
基于溶液燃烧法制备NiO/ZnO纳米线异质结紫外探测器被引量：3
《材料科学与工程学报》2019年第1期1-4,55,共5页王渭天 何海平 叶志镇 
中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(2017FZA4007)
本研究采用溶液燃烧法制备NiO纳米晶材料,采用水热法制备ZnO单晶纳米线,并采用提拉法将ZnO和NiO两者复合,制备出结构简单、重复性良好的NiO/ZnO异质结结构的紫外探测器。光电流测试表明其对365nm紫外光的探测灵敏度在0.9V时达到13.3。...
关键词：紫外探测器 燃烧法 
退火对金属表面等离激元增强ZnO薄膜发光的影响被引量：1
《材料科学与工程学报》2014年第3期331-334,共4页宋世燕 何海平 孙陆威 叶志镇 
中央高校基本科研业务费专项资金资助(2014FZA4008)
本文采用脉冲激光沉积方法,在Si衬底上制备了ZnO薄膜。在制备好的薄膜上,用电子束蒸发沉积不同厚度的Al膜并进行快速热退火处理,系统研究了金属厚度、形貌及界面态对发光增强的影响。实验结果显示,在ZnO表面沉积一层金属薄膜时,ZnO的发...
关键词：ZNO 金属表面等离激元 发光增强 界面态 
化学法制备水溶性良好的石墨烯及其荧光淬灭应用被引量：7
《材料科学与工程学报》2013年第4期484-488,共5页张泰然 孙陆威 何海平 叶志镇 
中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(2012FZA4009)
采用两步还原法对氧化石墨烯(GO)进行还原,并在还原过程中通过重氮盐反应对石墨烯表面进行磺酸化,改善了石墨烯在水中的溶解性。采用原子力显微镜(AFM)、紫外-可见吸收光谱(UV-vis)、拉曼光谱(Raman)和X射线光电子能谱(XPS)等手段对石...
关键词：氧化石墨烯 石墨烯 重氮盐反应 荧光淬灭 
一维ZnO纳米结构的表面发光机理及调控研究
《中国科技成果》2011年第8期25-26,共2页何海平 
国家自然科学基金项目.
ZnO是一种宽禁带半导体材料，在紫外及紫蓝光发光二极管（LED）、激光二极管（LD）等光电器件方面具有很大的潜在应用前景。近年来，纳米ZnO材料因其突出的光电性能、丰富的结构形态以及易于生长等特点，成为纳米发光材料与器件研究中...
关键词：纳米ZNO 纳米结构 发光机理 一维 宽禁带半导体材料 蓝光发光二极管 调控 表面 
ZnO纳米材料的p型掺杂研究进展被引量：5
《材料导报》2010年第15期44-46,共3页唐海平 马权 何海平 叶志镇 Park Ji-Yong 
国家科技部“973”项目(2006CB604906);宝鸡文理学院院级重点项目(ZK072)
随着近年来各种形貌ZnO纳米材料的生长及ZnO纳米器件的研究,ZnO纳米材料的p型掺杂逐渐成为研究的重点之一。主要介绍了ZnO纳米材料的p型掺杂及其器件研究进展,简要讨论了当前掺杂研究的局限,展望了今后的发展方向。
关键词：ZNO 纳米材料 P型掺杂 
氧化锌微米棒的微观生长过程被引量：2
《材料科学与工程学报》2009年第3期348-351,共4页王维维 朱丽萍 叶志镇 王敬蕊 杨叶锋 何海平 赵炳辉 
国家自然科学基金资助项目(50572095;50772099);浙江省自然科学基金资助项目(Y407183)
利用物理热蒸发方法在光滑的(111)硅衬底上生长氧化锌微米棒,生长温度为700℃。在硅衬底的不同区域由于生长环境不同,生成物的形貌也不相同。利用扫描电镜图可以很直观地推测出一个完整的氧化锌微米棒生长过程。透射电镜图片显示了纳米...
关键词：晶体外貌 外延生长 物理热蒸发 自组装 
GaN纳米棒的制备及机理研究被引量：6
《真空科学与技术学报》2009年第1期52-55,共4页王敬蕊 叶志镇 杨志祥 马全宝 姜静 胡少华 何海平 
国家自然科学基金项目(纳米)(No.50572095)
本文分别用三甲基镓和高纯蓝氨作为Ga源和N源,Ni(NO3)2作为催化剂,在Si(111)衬底上制得针尖状GaN纳米棒。测试结果表明制备的GaN纳米棒是沿<100>方向生长的纯六方相结构。通过对生长过程的分析,我们认为GaN纳米棒的生长过程不仅受到VLS...
关键词：Ni催化 GAN纳米棒 生长机制 
Na掺杂p型ZnO和ZnO/ZnMgO多量子阱结构基LED的制备与室温电注入发射紫蓝光被引量：1
《Journal of Semiconductors》2008年第8期1433-1435,共3页叶志镇 林时胜 何海平 顾修全 陈凌翔 吕建国 黄靖云 朱丽萍 汪雷 张银珠 李先杭 
国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB604906);国家自然科学基金(批准号:批准号:50532060)资助项目~~
在硅单晶上,采用了环境友好的ZnO/Zn0.9Mg0.1O多层量子阱结构作为有源层,Na作为p型掺杂元素,制备了ZnO发光二极管(LED).该LED在室温电注入条件下,实现了较强的紫蓝发光,且有效控制了缺陷发光.这项工作将为ZnO LED走向应用起到重要的推...
关键词：LED Na掺杂 P型ZNO ZnO/ZnMgO多量子阱 
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