姜静

作品数：1被引量：6H指数：1
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供职机构：浙江大学材料科学与工程学系硅材料国家重点实验室更多>>
发文主题：GAN纳米棒衬底温度氧化锌薄膜P型ZNONI催化剂更多>>
发文领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
发文期刊：《真空科学与技术学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
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GaN纳米棒的制备及机理研究被引量：6
《真空科学与技术学报》2009年第1期52-55,共4页王敬蕊 叶志镇 杨志祥 马全宝 姜静 胡少华 何海平 
国家自然科学基金项目(纳米)(No.50572095)
本文分别用三甲基镓和高纯蓝氨作为Ga源和N源,Ni(NO3)2作为催化剂,在Si(111)衬底上制得针尖状GaN纳米棒。测试结果表明制备的GaN纳米棒是沿<100>方向生长的纯六方相结构。通过对生长过程的分析,我们认为GaN纳米棒的生长过程不仅受到VLS...
关键词：Ni催化 GAN纳米棒 生长机制 
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