GAN纳米棒

作品数：12被引量：13H指数：2
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稀土金属Tb催化制备GaN纳米棒(英文)
《稀有金属材料与工程》2012年第11期1896-1898,共3页陈金华 师平 郭纪源 薛成山 
National Natural Science Foundation of China(90201025,90301002)
利用稀土金属Tb作为催化剂,通过氨化磁控溅射在Si(111)衬底上的Ga2O3/Tb薄膜制备出GaN纳米棒。X射线衍射和傅里叶红外吸收谱测试结果表明,制备的样品为六方结构的GaN。利用扫描电子显微镜、透射电子显微镜和高分辨透射电子显微镜对样品...
关键词：稀土 纳米棒 单晶 
微波水热及氨化法制备GaN纳米棒
《功能材料与器件学报》2011年第2期218-222,共5页李栋 王芬 朱建锋 薛小霜 
国家自然科学基金资助项目(50802057);陕西科技大学研究生创新基金
以Ga2O3为原料,用微波水热法和高温氨化两步法合成GaN纳米棒。采用XRD及SEM对其结晶形貌进行表征。研究得出,GaN纳米粉呈长径比约为5:1的棒状,该纳米棒是由沿(002)方向高度取向一致的GaN晶粒结晶而成。XRD分析显示,GaN纳米棒为六方纤锌...
关键词：微波水热 高温氨化 GAN 纳米棒 
退火温度对Tb催化GaN纳米棒的影响
《微纳电子技术》2009年第11期660-663,共4页陈金华 石鑫 薛成山 
国家自然科学基金项目(90301002;90201025)
用稀土金属铽(Tb)作催化剂,通过磁控溅射和退火氨化法成功制备出大量单晶GaN纳米棒,并研究退火温度对GaN纳米棒表面形貌、晶体质量和发光特性的影响。扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和光致发光谱(PL)测试结果显示,随着退火温度的...
关键词：氮化镓 纳米棒 退火温度 催化剂 晶体生长 
GaN纳米棒的制备及机理研究被引量：6
《真空科学与技术学报》2009年第1期52-55,共4页王敬蕊 叶志镇 杨志祥 马全宝 姜静 胡少华 何海平 
国家自然科学基金项目(纳米)(No.50572095)
本文分别用三甲基镓和高纯蓝氨作为Ga源和N源,Ni(NO3)2作为催化剂,在Si(111)衬底上制得针尖状GaN纳米棒。测试结果表明制备的GaN纳米棒是沿<100>方向生长的纯六方相结构。通过对生长过程的分析,我们认为GaN纳米棒的生长过程不仅受到VLS...
关键词：Ni催化 GAN纳米棒 生长机制 
磁控溅射与氨化法催化合成GaN纳米棒被引量：1
《功能材料》2008年第4期557-558,562,共3页陈金华 薛成山 庄惠照 秦丽霞 李红 杨兆柱 
国家自然科学重大基金资助项目(90201025;90301002)
使用一种新奇的稀土元素作为GaN纳米棒生长的催化剂,通过氨化溅射在Si(111)衬底上的Ga2O3/Tb薄膜成功合成了大规模的GaN纳米棒。采用扫描电子显微镜,X射线衍射,透射电子显微镜,高分辨透射电子显微镜和傅立叶红外吸收光谱来检测样品的形...
关键词：纳米棒 GAN 溅射 单晶 
氨化温度对氨化Ga_2O_3/Al膜制备GaN纳米结构材料的影响被引量：2
《功能材料》2008年第2期331-333,共3页庄惠照 胡丽君 薛成山 薛守斌 
国家自然科学基金重大研究计划资助项目(9020102590301002)
采用磁控溅射的方法在Si(111)衬底上溅射沉积了Ga2O3/Al膜,并通过氨化的方法在Si(111)衬底上获得了GaN纳米结构材料,研究了不同的氨化温度对生成GaN纳米结构材料的影响。对样品进行了傅立叶红外吸收(FTIR)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(S...
关键词：Ga2O3/Al膜 GAN纳米棒 氨化 磁控溅射 
磁控溅射和氨化法生长GaN纳米棒及其特性
《微纳电子技术》2008年第2期83-86,共4页薛成山 陈金华 庄惠照 秦丽霞 李红 杨兆柱 王邹平 
国家自然科学基金重大研究计划项目(90301002;90201025)
使用一种新奇的稀土元素铽(Tb)作催化剂,通过氨化磁控溅射在Si(111)衬底上的Ga2O3/Tb薄膜,合成了大量的GaN纳米棒,氨化温度为950℃,氨化时间为15min。该方法可以进行持续合成且制备的GaN纳米棒纯度较高、成本低廉。实验后分别用扫描电...
关键词：氮化镓 溅射 纳米棒 单晶 催化剂 
GaN纳米棒的催化合成及其发光特性(英文)被引量：4
《物理化学学报》2008年第2期355-358,共4页陈金华 薛成山 庄惠照 李红 秦丽霞 杨兆柱 
国家自然科学基金(90201025,90301002)资助项目
使用稀土元素Tb作催化剂,通过氨化溅射在Si(111)衬底上的Ga2O3/Tb薄膜,成功制备出GaN纳米棒.X射线衍射测试显示,GaN纳米棒具有六方结构.利用扫描电子显微镜和高分辨透射电子显微镜观察分析得出,纳米棒为单晶GaN,纳米棒的直径为50-150nm...
关键词：GAN 纳米棒 单晶 发光 
GaN纳米棒的合成与表征
《功能材料》2007年第A06期2278-2279,共2页王连红 梁建 马淑芳 万正国 许并社 
基金项目：国家自然科学基金资助项目（20271037）
利用化学气相沉淀法（CVD）以Ga2O3和NH3为原料在沉积有乙酸镍的硅衬底上合成出了GaN纳米棒,纳米棒直径在50-200nm，长度在2-10μm，表面比较光滑,利用场发射扫描电镜（FESEM），X射线衍射仪（XRD），能量散射谱（EDS）对样品进行了成...
关键词：氮化镓 纳米棒 化学气相沉淀 催化剂 气液固机理 
溅射后退火簇状GaN纳米棒的生长及其镁的作用
《功能材料》2007年第2期193-194,共2页艾玉杰 薛成山 孙莉莉 孙传伟 庄惠照 王福学 杨昭柱 秦丽霞 
国家自然科学基金重大研究计划资助项目(90201025);国家自然科学基金资助项目(90301002)
采用磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3／Mg薄膜，然后在1000℃时于流动的氨气中进行氨化反应制备GaN薄膜。X射线衍射（XRD）、X射线光电子能谱（XPS）、选区电子衍射（SAED）和高分辨透射电子显微镜（HRTEM）的结果表明采用此方法得...
关键词：GAN 磁控溅射 纳米棒 
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