马淑芳

作品数：27被引量：101H指数：5
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供职机构：太原理工大学更多>>
发文主题：晶格常数GANZNO氮化镓蓝宝石衬底更多>>
发文领域：一般工业技术电子电信理学化学工程更多>>
发文期刊：《无机化学学报》《发光学报》《太原理工大学学报》《人工晶体学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金山西省回国留学人员科研经费资助项目山西省自然科学基金中日国际合作项目更多>>
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类金字塔状GaN微米结构的生长及其形貌表征被引量：1
《材料导报》2017年第22期21-25,共5页赵晨 贾伟 樊腾 仝广运 李天保 翟光美 马淑芳 许并社 
国家自然科学基金(21471111;61604104);山西省基础研究项目(201601D202029);山西省科技创新重点团队(201605D131045-10)
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在非掺杂GaN层上原位生长SiNx掩模层,制备了形貌可控的类金字塔状GaN微米结构,并系统研究了生长温度、生长时间、反应压力和Ⅴ/Ⅲ比等不同生长参数对其形貌的影响。研究结果表明,在生长温度为1 07...
关键词：类金字塔状GaN微米结构 金属有机化学气相沉积 原位生长SiNx掩模层 三维GaN基LED器件 
Ag作催化剂制备的SiC纳米材料的形貌及其发光性能被引量：1
《材料热处理学报》2016年第7期1-5,共5页齐晓霞 许并社 翟光美 梁建 马淑芳 
国家自然科学基金(61475110;21471111;61404089;61504090);山西省科技创新重点团队(2012041011);山西省基础研究项目(2014011016-6;2014021019-1;2015021103);电子薄膜与集成器件国家重点实验室开放课题(KFJJ201406)
用化学气相沉积法（CVD）通过碳热还原反应在Si（100）衬底上以Ag纳米颗粒为催化剂制备了糖葫芦状的SiC纳米棒。硅源为溶胶凝胶制备的SiO_2,碳源为炭粉。采用X射线分析衍射仪（XRD）、扫描电镜（SEM）、透射电镜（TEM）、高分辨率透射...
关键词：SiC纳米棒 溶胶凝胶法 显微结构 Ag催化机理 
中高温GaN插入层厚度对蓝光LED光电性能的影响被引量：2
《发光学报》2016年第7期829-835,共7页刘青明 卢太平 朱亚丹 韩丹 董海亮 尚林 赵广洲 赵晨 周小润 翟光美 贾志刚 梁建 马淑芳 薛晋波 李学敏 许并社 
国家自然科学基金（21471111,61475110,61404089,61504090）;山西省基础研究项目（2014011016-6,2014021019-1,2015021103）;电子薄膜与集成器件国家重点实验室开放课题（KFJJ201406）;山西省科技创新重点团队项目（2012041011）;山西省高等学校科技创新项目（2015131）;浙江省重点科技创新团队（2011R50012）;浙江省重点实验室项目（2013E10022）资助
利用金属有机气相化学沉积（MOCVD）技术在蓝宝石图形衬底上生长GaN基蓝光LED,并系统研究了不同中高温GaN插入层厚度对其光电性能的影响。利用芯片测试仪和原子力显微镜（AFM）表征了GaN基蓝光LED外延片的光电性能以及表面形貌。当中高...
关键词：氮化镓 LED V形坑 空穴注入效率 
AlGaN中Mg掺杂对蓝光发光二极管光电性质的影响
《半导体光电》2015年第4期577-581,587,共6页李明山 马淑芳 张强 许并社 
国家自然科学基金项目(61475110);北京市博士后科研活动资助项目(2012-027)
采用金属有机化学气相沉积技术生长了GaN基多量子阱(MQW)蓝光发光二极管外延片,并采用高分辨率X射线衍射仪(HRXRD)和光致光谱仪(PL)表征晶体质量和光学性能,其他的光电性能由制成芯片后测试获得,目的是研究外延片p型AlGaN电子阻挡层Mg...
关键词：MOCVD p型AlGaN Mg掺杂 正向电压 
GaN基薄膜材料对器件光电性能的影响研究被引量：2
《中国材料进展》2015年第5期337-341,371,共6页陈席斌 马淑芳 董海亮 梁建 许并社 
国家自然科学基金(21471111)
采用金属有机化学气相沉积方法在蓝宝石衬底上外延生长GaN基材料,设计并优化外延生长条件,探索单层N型GaN(N-GaN)、多量子阱(MQW)、电子阻挡层(P-AlGaN)、P型GaN(P-GaN)材料对发光二极管(LED)器件的光电性能的影响。通过X射线衍射仪(XRD...
关键词：发光二极管 GAN 正向电压 发光强度 
DBR对不同波长AlGaInP LED芯片发光强度的影响
《太原理工大学学报》2015年第2期148-152,共5页张强 马淑芳 李明山 许并社 王智勇 
国家自然科学基金资助项目:InGaN基蓝绿光LED外延材料与器件的研究(61475110);北京市博士后科研活动基金资助项目:高功率半导体激光器外延片结构设计与生长(2012ZZ-08)
利用MOCVD方法,在GaAs衬底上生长了不同DBR结构的红光和黄绿光AlGaInP四元外延片,并通过芯片工艺制成芯片。使用X-射线衍射仪(HRXRD)、光致发光仪(PL)、芯片光电测试仪等表征了外延片和芯片的性能,研究了红光和黄绿光AlGaInP四元外延片...
关键词：金属有机物化学气相沉积 铝镓铟磷 发光二极管 分布式布拉格反射镜 发光强度 反射率 
GaAs纳米薄膜的分步电沉积制备及表征被引量：3
《人工晶体学报》2013年第4期601-606,610,共7页李龙 章海霞 刘晶 马淑芳 梁建 许并社 
国家自然科学基金(51002102);山西省回国留学人员重点科研资助项目(2009-03)
采用分步电化学沉积法,在FTO玻璃基底上成功制备出GaAs薄膜。采用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、紫外可见光光度计(UV-Vis)、荧光光度计(PL)对不同退火工艺下所制备的薄膜的晶体结构、形貌及光学性能进行表征。结...
关键词：GaAs薄膜 电沉积 退火 
Ag作催化剂制备的GaN的形貌及其性能被引量：4
《无机化学学报》2013年第1期63-68,共6页朱琳 余春燕 梁建 马淑芳 邵桂雪 许并社 
国家自然科学基金(No.51002102);山西省回国留学人员重点科研(2009-03)资助项目
用化学气相沉积法(CVD)在Si(100)衬底上以Ag纳米颗粒为催化剂制备了微纳米结构的GaN,原料是熔融态的金属Ga和气态的NH3。采用X射线衍射仪(XRD)、透射电镜(TEM)、X-ray能谱仪(EDS)、场发射扫描电子显微镜(SEM)、光致发光能谱(PL)和霍尔...
关键词：催化剂Ag CVD GaN微纳米结构 
电化学共沉积法制备GaAs纳米结构薄膜及表征被引量：1
《人工晶体学报》2012年第3期626-631,共6页刘晶 章海霞 李龙 马淑芳 梁建 许并社 
山西省回国留学人员重点资助项目(2009-03);山西省回国留学人员科研资助项目(2011-031)
以含一定比例Ga与As2O3的酸性溶液(pH=2.5)作为前驱溶液,以Pt片为对电极,饱和甘汞电极(SCE)为参比电极,室温下利用三电极电化学站在Ti衬底上恒压沉积GaAs薄膜。然后对GaAs薄膜进行退火处理。利用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜...
关键词：电化学沉积 砷化镓薄膜 晶化 光电性能 
金属缓冲层上生长GaN薄膜的结构、发光性能及其生长机理被引量：1
《功能材料》2011年第S4期599-603,共5页梁建 赵丹 赵君芙 马淑芳 邵桂雪 许并社 
山西省回国留学人员重点资助项目(No.2009-03);山西省回国留学人员科研资助项目(No.2008-37)
为了解决硅衬底与GaN之间的晶格失配和热失配问题,实验尝试采用常压化学气相沉积法(APCVD),分别以金属镓(Ga)和氨气(NH3)为镓源和氮源,在加入Al、Au/Al两种金属缓冲层和不加缓冲层的硅衬底上生长氮化镓(GaN)薄膜。采用高分辨X射线衍射仪...
关键词：GAN 薄膜 金属缓冲层 
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