李明山

作品数：3被引量：1H指数：1
导出分析报告
供职机构：太原理工大学材料科学与工程学院新材料界面科学与工程教育部和山西省重点实验室更多>>
发文主题：ALGAN/GAN生长温度应力应变弛豫MOCVD更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《半导体光电》《太原理工大学学报》《人工晶体学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-3
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
AlGaN中Mg掺杂对蓝光发光二极管光电性质的影响
《半导体光电》2015年第4期577-581,587,共6页李明山 马淑芳 张强 许并社 
国家自然科学基金项目(61475110);北京市博士后科研活动资助项目(2012-027)
采用金属有机化学气相沉积技术生长了GaN基多量子阱(MQW)蓝光发光二极管外延片,并采用高分辨率X射线衍射仪(HRXRD)和光致光谱仪(PL)表征晶体质量和光学性能,其他的光电性能由制成芯片后测试获得,目的是研究外延片p型AlGaN电子阻挡层Mg...
关键词：MOCVD p型AlGaN Mg掺杂 正向电压 
DBR对不同波长AlGaInP LED芯片发光强度的影响
《太原理工大学学报》2015年第2期148-152,共5页张强 马淑芳 李明山 许并社 王智勇 
国家自然科学基金资助项目:InGaN基蓝绿光LED外延材料与器件的研究(61475110);北京市博士后科研活动基金资助项目:高功率半导体激光器外延片结构设计与生长(2012ZZ-08)
利用MOCVD方法,在GaAs衬底上生长了不同DBR结构的红光和黄绿光AlGaInP四元外延片,并通过芯片工艺制成芯片。使用X-射线衍射仪(HRXRD)、光致发光仪(PL)、芯片光电测试仪等表征了外延片和芯片的性能,研究了红光和黄绿光AlGaInP四元外延片...
关键词：金属有机物化学气相沉积 铝镓铟磷 发光二极管 分布式布拉格反射镜 发光强度 反射率 
低温AlN插入层的生长温度对AlGaN/GaN量子阱应力弛豫作用的影响被引量：1
《人工晶体学报》2014年第8期1926-1932,共7页刘子超 章海霞 甄慧慧 李明山 尚林 许并社 
山西省科技创新重点团队(2012041011)
利用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)及原子力显微镜(AFM)研究了低温AlN插入层的生长温度对AlGaN/GaN量子阱应力弛豫作用的影响。结果表明,低温AlN插入层不同的生长温度会导致AlGaN/GaN量子阱不同的表面粗糙度及穿透位错密度,并且当生长温度达...
关键词：AlN插入层 生长温度 AlGaN/GaN量子阱 应变弛豫 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部