云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 铝镓铟磷

铝镓铟磷: 作品数：13被引量：20H指数：3; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：沈光地郭伟玲李玉璋陈良惠曹青更多>>; 相关机构：厦门市三安光电科技有限公司北京工业大学中国科学院山东华光光电子有限公司更多>>; 相关期刊：《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》《Optoelectronics Letters》《山东大学学报（理学版）》更多>>; 相关基金：北京市人才强教计划项目国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划山东大学青年科学基金更多>>

DBR对不同波长AlGaInP LED芯片发光强度的影响: 《太原理工大学学报》2015年第2期148-152,共5页张强马淑芳李明山许并社王智勇; 国家自然科学基金资助项目:InGaN基蓝绿光LED外延材料与器件的研究(61475110);北京市博士后科研活动基金资助项目:高功率半导体激光器外延片结构设计与生长(2012ZZ-08); 利用MOCVD方法,在GaAs衬底上生长了不同DBR结构的红光和黄绿光AlGaInP四元外延片,并通过芯片工艺制成芯片。使用X-射线衍射仪(HRXRD)、光致发光仪(PL)、芯片光电测试仪等表征了外延片和芯片的性能,研究了红光和黄绿光AlGaInP四元外延片...; 关键词：金属有机物化学气相沉积铝镓铟磷发光二极管分布式布拉格反射镜发光强度反射率

Effect of top distributed Bragg reflectors on the performance of 650 nm AlGaInP resonant cavity light-emitting diodes被引量：3: 《Optoelectronics Letters》2010年第1期21-23,共3页杨臻李建军康玉柱邓军韩军邹德恕沈光地; supported by the Science and Technology Plan of the Beijing Education Committee (No.KM200810005002) and PHR(IHLB); Three kinds of 650 nm AlGaInP resonant cavity light-emitting diodes (RCLEDs) are fabricated by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) with different numbers of pairs of top distributed Bragg reflectors (DBRs)...; 关键词：分布布拉格反射发光二极管铝镓铟磷光性能谐振腔反射波长金属有机化学气相沉积 MOCVD

基于Au/Au直接键合的高亮度ODRLED被引量：4: 《固体电子学研究与进展》2009年第3期399-402,449,共5页李一博郭霞关宝路揣东旭沈光地; 国家自然科学基金(No60506012);国家重点基础研究发展计划项目(973计划:No2006CB604902);霍英东基金(No101062);国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA03A121);教育部新世纪优秀人才计划项目(批准号:39002013200801);北京市青年骨干教师培养计划项目(NoJ2002013200801); 提出利用Au/Au直接键合制作高亮度全方位反光镜(ODR)LED的新工艺。工艺采用Si做转移衬底,氧化铟锡(ITO)做窗口层和缓冲层,在0.35mPa压力,260°C的低温下实现Au/Au固相直接键合。直接键合后,Al-GaInP有源区与Si衬底结合牢固完整,保证了...; 关键词：铝镓铟磷硅衬底氧化铟锡全方位反光镜直接键合发光二极管

AlGaInP发光二极管的全方位反射镜研究被引量：2: 《固体电子学研究与进展》2008年第4期537-539,共3页高伟邹德恕郭伟玲宋欣原孙浩沈光地; 北京市人才强教计划项目(批准号:05002015200504);北京市科委高效高亮度单芯片半导体照明器件的研发与产业化(批准号:D0404003040221);北京工业大学研究生科技基金(编号YKJ-2007-1586)资助; 全方位反射镜(ODR)AlGaInP发光二极管能够有效提高光提取效率。对全方位反射镜的设计及工艺进行优化:采用λ/4n厚的SiO2作为介质,光刻腐蚀导电孔,带胶保护,溅射AuZnAu,剥离后,再溅射300nmAu层,形成的ODR退火后在波长630nm处的反射率为72...; 关键词：铝镓铟磷发光二极管全方位反射镜

一种新型全方位反射AlGaInP薄膜发光二极管被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2008年第4期751-753,共3页高伟邹德恕李建军郭伟玲沈光地; 北京市人才强教计划项目(批准号:05002015200504);北京市科委高效高亮度单芯片半导体照明器件的研发与产业化(批准号:D0404003040221)资助项目~~; 提出了一种新型全方位反射AlGaInP LED结构和制作工艺.GaAs外延片与含导电孔的SiO2,Au形成全方位反射镜后,银浆键合在Si支架上,去除GaAs衬底,制作薄AuGeNi电极,粗化,生长ITO,制作厚AuGeNi电极,合金则形成ODR薄膜LED结构.300μm×300μm...; 关键词：铝镓铟磷薄膜发光二极管全方位反射镜

新型全方位反射铝镓铟磷薄膜发光二极管被引量：3: 《物理学报》2007年第5期2905-2909,共5页张剑铭邹德恕刘思南徐晨沈光地; 北京市人才强教计划项目(批准号:05002015200504);北京市科委高效高亮度单芯片半导体照明器件的研发与产业化(批准号:D0404003040221)资助的课题~~; 提出了一种新型全方位反射铝镓铟磷(AlGaInP)薄膜发光二极管(LED)的结构和制作工艺,在这个结构里应用了低折射率的介质和高反射率的金属联合作为反光镜.用金锡合金(80Au20Sn,重量比)作为焊料把带有反光镜的AlGaInPLED外延片倒装键合到G...; 关键词：铝镓铟磷薄膜发光管全方位反射镜发光强度

高可靠高亮度AlGaInP发光二极管: 《固体电子学研究与进展》2006年第2期205-208,共4页田咏桃仉志华郭伟玲沈光地; 973计划(批准号:G20000683-02);市教委项目(KP0204200201);国家基金(60077004)的支持; 分析了隧道再生双有源区A lG aInP发光二极管的工作原理,测试了不同注入电流下管芯的轴向光强,得到了轴向光强随注入电流的变化关系。20 mA注入电流条件下,发射峰值波长为620 nm的隧道再生双有源区A lG aInP发光二极管,透明封装成视角1...; 关键词：铝镓铟磷发光二极管隧道结可靠性

隧道再生双有源区AlGaInP发光二极管提取效率的计算: 《固体电子学研究与进展》2006年第1期80-84,共5页田咏桃仉志华郭伟玲沈光地; 本文得到973计划(批准号:G20000683-02);国家基金(60077004);市教委项目(KP0204200201)的资助; 建立了发光二极管提取效率的理论计算模型,分析了影响隧道再生双有源区AlGaInP发光二极管提取效率的主要因素,包括从出光表面出射的光、体内的光吸收损耗、衬底对光的吸收损耗、金属电极对光的吸收损耗,模拟计算了隧道再生双有源区AlGa...; 关键词：铝镓铟磷发光二极管隧道结提取效率

不同集电结结构的AlGaInP/GaAs异质结双极晶体管: 《固体电子学研究与进展》2005年第3期294-298,314,共6页李冰寒刘文超周健夏冠群; 设计并制备了三种不同集电结结构的A lG aInP/G aA s异质结双极晶体管,计算给出了三种集电结能带结构。通过对三种HBT的直流特性测试表明,N pN型HBT因异质集电结的导带尖峰出现电子阻挡效应;N p iN型HBT集电结引入i-G aA s层能有效克服...; 关键词：异质结双极晶体管铝镓铟磷/砷化镓直流特性

光电子材料铝镓铟磷的椭偏研究: 《山东大学学报（理学版）》2002年第4期324-328,共5页连洁王青圃魏爱俭李平王玉荣张晓阳秦晓燕; "8 6 3"计划资助项目 ( 86 3 -71 5 -0 0 1 -0 1 71 ) ;山东大学青年科学基金资助项目 .; 在室温下 ,运用反射椭偏光谱技术 ,对生长在砷化镓上的铝镓铟磷以及铝镓铟磷 (掺硅 )两样品进行了研究 .测得它们在可见光区的光学常数 ,求得吸收系数、介电函数随光子能量的变化关系 .对样品的介电函数虚部谱进行数值微分 ,得到它们的...; 关键词：光电子材料铝镓铟磷反射椭偏光谱技术带隙吸收系数介电函数半导体化合物光子能量三级微商谱

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