半导体化合物

作品数：47被引量：69H指数：5
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“强芯扩链”锻造制造业硬实力
《大众投资指南》2022年第8期5-5,共1页刘成 
日前,青岛华芯晶元半导体科技有限公司第三代半导体化合物晶片衬底项目在青岛高新区启动建设。这座智能工厂达产后,将实现年产第三代大尺寸半导体化合物晶片衬底33万片,助力我国突破芯片“卡脖子”难题。“目前,我们已经在研发第四代新...
关键词：集成电路产业 新一代信息技术产业 智能工厂 宽禁带半导体材料 硬实力 半导体化合物 氧化镓 第三代半导体 
CuAlS2∶Ni中间带半导体材料的制备与性能被引量：2
《苏州科技大学学报（自然科学版）》2020年第3期38-42,共5页王能能 颜长 钱宇澄 赵蒙 姚金雷 
国家自然科学基金资助项目(21771136,51301116)。
利用金属预制层硫化法制备出黄铜矿结构的CuAl1-xNixS2多晶薄膜。Ni对Al的取代导致晶格膨胀,晶胞体积从x=0的0.294 0 nm3增加到x=0.04~0.10的0.296 55~0.297 10 nm3。CuAlS2∶Ni薄膜的能隙为Eg=3.15~3.32 eV,相对于未掺杂CuAlS2的Eg=3.8...
关键词：光伏材料 半导体化合物 多晶薄膜 黄铜矿 
植物工厂里的“太阳”
《生命世界》2019年第10期28-29,共2页伍婵娟 
植物工厂里有'阳光'吗?有.'阳光'从哪里来?是从一些专用的植物照明灯里来.最初被应用于植物工厂的植物灯有白炽灯、高压钠灯、金卤灯、荧光灯等传统灯具,而当前最热门的植物灯光源当属LED光源。自从LED光源诞生后,因其显著的先天优势,...
关键词：LED 植物工厂 传统灯具 传统光源 半导体化合物 
美国拟开发全球首个氮化镓处理器
《新材料产业》2018年第2期77-77,共1页
氮化镓（GaN）材料不仅成为了电子学的新一代半导体,还可能是太空领域的基础材料。亚利桑那州立大学（ASU）电子与计算机工程师赵宇杰（Yuji Zhao）计划研发出第一个氮化镓处理器,这可能会彻底改变未来的太空探索任务。氮化镓是通常用...
关键词：氮化镓 处理器 半导体化合物 开发 美国 基础材料 太空探索 发光二极管 
稀土上转换用于提高半导体化合物光催化效率的研究进展被引量：6
《有色金属科学与工程》2015年第4期97-103,共7页薛霜霜 何洪波 余长林 
国家自然科学基金资助项目(21067004;21263005);江西省自然科学基金青年科学基金计划(20133BAB21003);江西省教育厅高等学校科技落地计划项目(KJLD14046);江西省青年科学家培养项目(20122BCB23015);江西省远航资助工程
半导体光催化剂的最大不足在于对可见光和红外光的吸收不够,转化效率低.因此,如何设计合成能够吸收太阳光中的可见光和红外光的光催化剂是这几十年来国内外研究的重点.重点讨论利用一些稀土离子的上转换发光特征,通过掺杂来合成具有高...
关键词：稀土上转换剂 钛基 锌基 铋基 光催化剂 
太阳能材料CuInS_2的晶体结构、电子和光学特性(英文)被引量：1
《原子与分子物理学报》2014年第3期482-487,共6页张向丹 乔庆鹏 余功奇 张宪周 
国家自然科学基金10947162和11104072;新乡学院青年基金(12ZC10);河南省教育厅自然科学基金(2011A140005)
用全电势线性缀加平面波法加局域轨道方法调查了黄铜矿半导体CuInS2的结构、电子和光学特性.我们计算的带隙0.17eV是直接的,其它实验和理论也表明这种材料有一个直接带隙.在In 4d和S3p轨道之间有相当强的杂化,构成了(InS2)4-阴离子.我...
关键词：半导体化合物 电子带结构 光学特性 
纳米带
《热处理技术与装备》2014年第1期33-33,共1页
美国佐治亚理工学院的三位中国科学家2001年初利用高温气体固相法，首次合成了半导体化合物纳米带状结构。是继发现多壁碳纳米管和合成单壁纳米管以来，一维纳米材料合成领域的又一大突破。它的横截面是窄矩形结构，带宽为30～300mm，...
关键词：纳米带 半导体化合物 材料合成 带状结构 多壁碳纳米管 中国科学家 单壁纳米管 高温气体 
MOCVD外延生长AlGaAs组份的在线监测
《发光学报》2012年第9期985-990,共6页王鹏程 徐华伟 张金龙 宁永强 
国家自然科学基金(10974012;11074247;61106047;61176045;61106068;51172225;61006054);国家自然科学基金重点项目(90923037);长春市科技计划(2009145)资助项目
利用反射各向异性谱(RAS)和反射谱在线监测了AlxGa1-xAs样品的金属有机化合物汽相淀积(MOCVD)外延生长过程。通过在线监测得到的RAS和反射谱可以敏感地反映出AlxGa1-xAs外延层组份发生的变化,从而优化外延生长工艺。实验表明,反射谱中...
关键词：Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物 外延生长 金属有机化合物汽相淀积 反射各向异性谱 
金属有机化学气相沉积的研究进展被引量：5
《材料导报（纳米与新材料专辑）》2012年第1期153-156,165,共5页李一 李金普 柳学全 贾成厂 
国家高技术研究发展计划(863计划)(2009AA03Z116)
概述了金属有机化学气相沉积技术(MOCVD)的一般原理,讨论了适用于金属有机化学气相沉积的前驱体化合物及反应器类型,介绍了金属有机化学气相沉积技术在半导体化合物材料和各种薄膜材料中的发展及应用。
关键词：金属有机化学气相沉积 半导体化合物 薄膜材料 
LED论文专著分析
《广东科技》2011年第9期47-51,共5页
自1962年。发红光的磷砷化镓半导体化合物在IBM、GE等产业巨头的联合实验室开发出来，有关LED的研发和产业化进程便一直不间断地推进着。进入21世纪，随着世界范围内能源危机的日益严重，低能耗高能效的产品被人们所青睐，更促使LED产...
关键词：LED产业 研究论文 专著 国内 产业化进程 半导体化合物 联合实验室 能源危机 
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