太阳能材料CuInS_2的晶体结构、电子和光学特性(英文)  

Thecrystal structural,electronic and optical properties of a solar energy material:CuInS_2

作　　者：张向丹[1] 乔庆鹏[2] 余功奇[3] 张宪周 

机构地区：[1]新乡学院物理系,河南新乡453000 [2]河南教育学院物理系,郑州450046 [3]第二炮兵指挥学院 [4]河南师范大学物理与信息工程学院,新乡453007

出　　处：《原子与分子物理学报》2014年第3期482-487,共6页Journal of Atomic and Molecular Physics

基　　金：国家自然科学基金10947162和11104072;新乡学院青年基金(12ZC10);河南省教育厅自然科学基金(2011A140005)

摘　　要：用全电势线性缀加平面波法加局域轨道方法调查了黄铜矿半导体CuInS2的结构、电子和光学特性.我们计算的带隙0.17eV是直接的,其它实验和理论也表明这种材料有一个直接带隙.在In 4d和S3p轨道之间有相当强的杂化,构成了(InS2)4-阴离子.我们计算的反射率光谱,介电函数的实部和虚部,消光系数和折射率和实验结果取得了很好的一致.Full-Potential Linearized Augmented Plane Wave plus local orbital method （FPLAPW ＋lo） calculations were performed for the chalcopyrite semiconductor CuInS2 in order to investigate the structural, electronic and optical properties. Our calculated band gap of 0.17 eV is direct. Furthermore, other experiments and theory also shows that this material has a direct band gap. It is noted that there is quite strong hybridization between In 4d and S 3p orbitals, which belongs to the （InS2）4-. Our calculated imaginary parts and real parts of the dielectric function are in good agreement with the experimental results.

关 键 词：半导体化合物 电子带结构 光学特性 

分 类 号：O469[理学—凝聚态物理]