金属有机化学气相沉积的研究进展  

Recent Advances in Metal-Organic Chemical Vapor Deposition

作　　者：李一[1,2] 李金普[1] 柳学全[2] 贾成厂[1] 

机构地区：[1]北京科技大学材料科学与工程学院,北京100083 [2]钢铁研究总院,北京100081

出　　处：《材料导报（纳米与新材料专辑）》2012年第1期153-156,165,共5页

基　　金：国家高技术研究发展计划(863计划)(2009AA03Z116)

摘　　要：概述了金属有机化学气相沉积技术(MOCVD)的一般原理,讨论了适用于金属有机化学气相沉积的前驱体化合物及反应器类型,介绍了金属有机化学气相沉积技术在半导体化合物材料和各种薄膜材料中的发展及应用。The general rules of metal-organic chemical vapor deposition（MOCVD） are introduced. The precur sors and typical reactors apply to MOCVD are discussed. The recent progress and applications of MOCVD in com- pound semiconductor materials and thin film materials are reviewed.

关 键 词：金属有机化学气相沉积 半导体化合物 薄膜材料 

分 类 号：TQ320.721[化学工程—合成树脂塑料工业]