异质结双极晶体管

作品数：320被引量：291H指数：7
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具有N型赝埋层的新型SiGe-HBT器件及应用研究
《固体电子学研究与进展》2025年第2期97-100,共4页刘冬华 陈曦 钱文生 
提出了一种新型锗硅异质结双极晶体管(Germanium silicon heterojunction bipolar transistor,SiGe-HBT)结构,摒弃了传统SiGe-HBT中的深隔离沟槽、N型埋层以及通过外延生长形成的集电区。通过在浅隔离槽底部采用离子注入技术形成N型赝埋...
关键词：N型赝埋层 锗硅异质结双极晶体管 深接触孔 
基于GaAsHBT的C波段RLC负反馈功率放大器设计
《湖南大学学报（自然科学版）》2024年第8期101-108,共8页傅海鹏 姚攀辉 
国家自然科学基金资助项目(62074110);国家重点研发计划资助项目(2018YFB2202500)。
提出了一款基于GaAs HBT C波段的线性负反馈功率放大器(power amplifier,PA).本设计采用三级共发射极(common emitter,CE)结构,使用两种不同的有源线性偏置来提升PA的线性度,同时使用RLC负反馈网络来提高稳定性和拓展工作带宽.针对传统...
关键词：功率放大器 负反馈 异质结双极晶体管(HBT) 
基于锗硅异质结双极晶体管的低噪声放大器及其反模结构的单粒子瞬态数值仿真研究
《物理学报》2024年第12期288-299,共12页黄馨雨 张晋新 王信 吕玲 郭红霞 冯娟 闫允一 王辉 戚钧翔 
针对锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)进行TCAD仿真建模,基于SiGe HBT器件模型搭建低噪放大器(LNA)电路,开展单粒子瞬态(SET)的混合仿真,研究SET脉冲随离子不同LET值、入射角度的变化规律.结果表明:随着入射离子LET值的增大,LNA端口的SE...
关键词：锗硅异质结双极晶体管 单粒子效应 反模 混合仿真 
基于SiGe BiCMOS的全集成射频功率放大器设计
《湖南大学学报（自然科学版）》2024年第2期104-110,共7页傅海鹏 项德才 
国家自然科学基金资助项目(62074110);国家重点研发计划基金资助项目(2018YFB2202500)。
提出了一种基于SiGe BiCMOS工艺的适用于移动设备的紧凑全集成功率放大器.设计采用cascode驱动级与共发射极功率级级联以提高放大器的功率增益,片上集成CMOS电源以提供偏置电流,采用分布式的镇流电阻和具有热负反馈效果的偏置电路补偿...
关键词：功率放大器 异质结双极晶体管 锗硅工艺 
SiGe HBT器件低温S参数计算方法
《核电子学与探测技术》2023年第5期992-999,共8页魏正华 叶小兰 
湖南省教育厅科学研究项目“基于Mesh通信的智慧环境监测系统的研究与应用”(23B1108);湖南省教育厅科学研究项目“宽阻带高抑制小型腔体滤波器的研究与实践”(22C1436);长沙民政职业技术学院校级自科研究项目(23mypy08)。
针对锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)器件的S参数是用于射频前端电路匹配设计的关键参数,提出一种测量SiGe HBT器件在多个不同温度下的S参数获取该器件低温S参数的计算方法。首先建立SiGe HBT器件在已知直流偏置下的T型小信号电路模型,...
关键词：锗硅异质结双极晶体管 S参数 低温 T型小信号电路模型 
基于InP DHBT工艺的33~170 GHz共源共栅放大器被引量：1
《红外与毫米波学报》2023年第2期197-200,共4页王伯武 于伟华 侯彦飞 余芹 孙岩 程伟 周明 
Supported by National Natural Science Foundation of China(61771057)。
基于500 nm磷化铟双异质结双极晶体管(InP DHBT)工艺,设计了一种工作在33~170 GHz频段的超宽带共源共栅功率放大器。输入端和输出端的平行短截线起到变换阻抗和拓展带宽的作用,输出端紧密相邻的耦合传输线补偿了一部分高频传输损耗。测...
关键词：磷化铟双异质结双极晶体管(InP DHBT) 单片微波集成电路(MMIC) 共源共栅放大器 宽带 
一种40 GSa/s超宽带采样保持电路被引量：1
《固体电子学研究与进展》2023年第2期163-167,共5页罗宁 周猛 张有涛 叶庆国 
基于0.7μm的InP双异质结双极晶体管(DHBT)工艺设计了一种超高速宽带采样保持电路。输入缓冲器采用Cherry-Hooper结构有效提升了电路的增益和带宽。时钟缓冲器采用多级Cascode结构提升时钟信号的带宽。芯片面积1.40 mm×0.98 mm,总功耗...
关键词：采样保持电路 超高速 超宽带 磷化铟 异质结双极晶体管 
应用于WLAN的GaAs HBT功率放大器设计
《湖南大学学报（自然科学版）》2023年第2期122-128,共7页傅海鹏 寇宁 
国家自然科学基金资助项目(62074110);国家重点研发计划资助项目(2018YFB2202500)。
提出了一款基于GaAs HBT工艺的高功率功率放大器(Power Amplifier,PA).设计采用三级放大器级联的结构以提高功率放大器的功率增益,在功率晶体管的基极处串联RC有耗稳定网络来提高稳定性及改善增益平坦度,采用电流镜有源偏置的方式提升...
关键词：功率放大器 线性度 异质结双极晶体管(HBT) 
锗硅异质结双极晶体管空间辐射效应研究进展被引量：5
《太赫兹科学与电子信息学报》2022年第6期523-534,共12页李培 贺朝会 郭红霞 张晋新 魏佳男 刘默寒 
国家自然科学基金资助项目(12005159);强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室开放课题资助项目(SKLIPR2010)。
异质结带隙渐变使锗硅异质结双极晶体管(SiGeHBT)具有良好的温度特性,可承受-180~+200℃的极端温度,在空间极端环境领域具有诱人的应用前景。然而,SiGeHBT器件由于材料和工艺结构的新特征,其空间辐射效应表现出不同于体硅器件的复杂特...
关键词：锗硅异质结双极晶体管 单粒子效应 总剂量效应 低剂量率辐射损伤增强效应 电离总剂量/单粒子效应协同效应 电离总剂量/位移损伤协同效应 
基于变压器耦合的2.6GHz功率放大器的设计
《半导体技术》2022年第10期824-828,共5页颜景 张志浩 彭林 关宇涵 陈哲 章国豪 
国家重点研发计划项目(2018YFB1802100);国家自然科学基金资助项目(61974035);广州市创业领军团队项目(202009030006)。
基于InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)工艺,设计了一款工作频率为2.6 GHz的功率放大器。其输出匹配网络由片外变压器及调谐电容组成,与传统的LC输出匹配网络相比,该匹配网络具有更低的插入损耗和更宽的带宽。功率放大器主体采用伪差分结...
关键词：伪差分 变压器 功率放大器 异质结双极晶体管(HBT) 功率合成 
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