低剂量率辐射损伤增强效应

作品数：14被引量：48H指数：4
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：任迪远陆妩何宝平余学峰刘敏波更多>>
相关机构：中国科学院新疆理化技术研究所西北核技术研究所中国科学院研究生院中国科学院更多>>
相关期刊：《微电子学》《电子质量》《物理学报》《核技术》更多>>
相关基金：模拟集成电路国家重点实验室开放基金模拟集成电路重点实验室基金国家重点实验室开放基金国家自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
锗硅异质结双极晶体管空间辐射效应研究进展被引量：5
《太赫兹科学与电子信息学报》2022年第6期523-534,共12页李培 贺朝会 郭红霞 张晋新 魏佳男 刘默寒 
国家自然科学基金资助项目(12005159);强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室开放课题资助项目(SKLIPR2010)。
异质结带隙渐变使锗硅异质结双极晶体管(SiGeHBT)具有良好的温度特性,可承受-180~+200℃的极端温度,在空间极端环境领域具有诱人的应用前景。然而,SiGeHBT器件由于材料和工艺结构的新特征,其空间辐射效应表现出不同于体硅器件的复杂特...
关键词：锗硅异质结双极晶体管 单粒子效应 总剂量效应 低剂量率辐射损伤增强效应 电离总剂量/单粒子效应协同效应 电离总剂量/位移损伤协同效应 
氢气浸泡辐照加速方法在3DG111器件上的应用及辐射损伤机理分析被引量：5
《物理学报》2019年第6期231-237,共7页赵金宇 杨剑群 董磊 李兴冀 
科学挑战专题(批准号:TZ2018004);模拟集成电路重点实验室基金(批准号:6142802WD201803)资助的课题~~
本文以^(60)Co为辐照源,针对3DG111型晶体管,利用半导体参数分析仪和深能级缺陷瞬态谱仪,研究高/低剂量率和有/无氢气浸泡条件下,电性能和深能级缺陷的演化规律.试验结果表明,与高剂量率辐照相比,低剂量率辐照条件下,3DG111型晶体管的...
关键词：双极型晶体管 氢气 电离辐射 低剂量率辐射损伤增强效应 
硅双极器件ELDRS效应机理的研究进展被引量：2
《固体电子学研究与进展》2016年第6期481-488,共8页张修瑜 代刚 宋宇 
低剂量率辐射损伤增强效应(ELDRS)的发现引起了国际航天领域的关注。本文介绍了双极器件的辐照响应,综述了自1991年发现双极器件具有ELDRS效应二十多年以来ELDRS效应机理研究取得的主要成果,分析了未来可能的研究方向。调研发现,机理研...
关键词：双极器件 低剂量率辐射损伤增强效应 界面 机理模型 工艺 
双极集成电路低剂量率辐射损伤增强效应的高温辐照加速实验被引量：5
《强激光与粒子束》2014年第3期214-218,共5页刘敏波 陈伟 姚志斌 黄绍艳 何宝平 盛江坤 肖志刚 王祖军 
选择了四种典型双极集成电路,在两种不同剂量率下,开展了不同温度的高温辐照加速实验,测量了典型双极集成电路的辐射敏感参数在不同高温辐照下的变化规律。实验结果表明:高温辐照能够给出空间低剂量率辐射损伤增强效应的保守估计,且存...
关键词：双极集成电路 低剂量率 高温辐照 界面态 
双极器件低剂量率辐射损伤增强效应物理机制研究被引量：3
《现代应用物理》2013年第2期-,共6页何宝平 姚志斌 刘敏波 黄绍艳 王祖军 肖志刚 盛江坤 
采用多陷阱的理论方法,模拟了不同剂量率辐照下MOS电容的总剂量效应,分析了氧化层空间电荷场效应与辐照剂量率的关系.研究了氧化层中浅能级陷阱、深能级陷阱对界面俘获电荷和半带电压的影响.研究结果表明,相对于高剂量率辐照,低剂量率在...
关键词：半带电压漂移 低剂量率辐射损伤增强 MOS电容 总剂量 
PMOSFET低剂量率辐射损伤增强效应研究被引量：4
《原子能科学技术》2013年第5期848-853,共6页高博 刘刚 王立新 韩郑生 余学峰 任迪远 孙静 
为研究PMOSFET的低剂量率辐射损伤增强效应,本文对4007电路中PMOSFET在不同剂量率、不同偏置条件下的辐射响应特性及高剂量率辐照后不同温度下的退火效应进行了讨论。实验结果表明:相比高剂量率,低剂量率辐照时PMOSFET阈值电压漂移更明...
关键词：PMOSFET 退火效应 低剂量率辐射损伤增强效应 
PNP输入双极运算放大器ELDRS效应的^(60)Coγ辐照高温退火评估方法
《核技术》2011年第11期810-814,共5页许发月 陆妩 王义元 席善斌 李明 王飞 周东 
选用了三种型号的PNP输入双极运算放大器,在正偏和零偏状态下进行了辐照实验,由此对高剂量率辐照后高温退火加速评估方法进行了探索。结果表明,辐照后高温退火的实验结果乘以一定的倍数因子,便可较好地模拟PNP输入双极运算放大器的低剂...
关键词：双极运算放大器 60Coγ辐照 低剂量率辐射损伤增强效应 加速评估方法 
p型金属氧化物半导体场效应晶体管低剂量率辐射损伤增强效应模型研究被引量：2
《物理学报》2011年第6期812-818,共7页高博 余学峰 任迪远 崔江维 兰博 李明 王义元 
对一种非加固4007电路中p型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)在不同剂量率条件下的电离辐射损伤效应及高剂量率辐照后的退火效应进行了研究.通过测量不同剂量率条件下PMOSFET的亚阈I-V特性曲线,得到阈值电压漂移量随累积剂量、退...
关键词：p型金属氧化物半导体场效应晶体管 60Coγ射线 电离辐射损伤 低剂量率辐射损伤增强效应 
工艺条件对双极晶体管低剂量率辐射损伤增强效应的影响被引量：13
《原子能科学技术》2010年第1期114-120,共7页陆妩 郑玉展 任迪远 郭旗 余学峰 
模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目(9140C090403070C09)
对具有相同制作工艺但NPN管的发射极面积不同以及LPNP管发射极掺杂浓度相异的两种不同类型的国产双极晶体管,在不同剂量率下进行辐射效应和退火特性研究。结果表明:晶体管类型不同,对高低剂量率的辐照响应也相异;不同发射极面积的NPN管...
关键词：双极晶体管 60Coγ辐照 剂量率效应 发射极面积 掺杂浓度 
10位双极数模转换器的电离辐射效应被引量：2
《固体电子学研究与进展》2009年第4期551-555,共5页王义元 陆妩 任迪远 郑玉展 高博 李鹏伟 于跃 
研究了国产互补双极工艺生产的数模转换器(D/A转换器)在不同偏置和不同剂量率条件下的电离辐射效应及退火特性。研究结果表明:D/A转换器对偏置条件和辐照剂量率都很敏感。大剂量率辐照时,电路功能正常,各功能参数变化较小;而在低剂量率...
关键词：双极数模转换器 ^60Co辐照 低剂量率辐射损伤增强效应 偏置条件 
全选清除导出
共2页<12>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部