双极器件低剂量率辐射损伤增强效应物理机制研究  

Investigation of Physical Mechanism of Enhanced Low Dose Rate Sensitivity for Bipolar Devices

作　　者：何宝平[1] 姚志斌[1] 刘敏波[1] 黄绍艳[1] 王祖军[1] 肖志刚[1] 盛江坤 

机构地区：[1]西北核技术研究所,西安,710024

出　　处：《现代应用物理》2013年第2期-,共6页Modern Applied Physics

摘　　要：采用多陷阱的理论方法,模拟了不同剂量率辐照下MOS电容的总剂量效应,分析了氧化层空间电荷场效应与辐照剂量率的关系.研究了氧化层中浅能级陷阱、深能级陷阱对界面俘获电荷和半带电压的影响.研究结果表明,相对于高剂量率辐照,低剂量率在Si/SiO2界面附近俘获更多的空穴,导致产生更大的半带电压漂移;空间电荷场效应是由高、低剂量率辐射损伤差异造成的;浅能级陷阱俘获的空穴主要支配着氧化层电荷的传输特征,被深能级陷阱俘获的空穴是永久性的,是引起器件半带电压漂移的主要原因.

关 键 词：半带电压漂移 低剂量率辐射损伤增强 MOS电容 总剂量 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]